Samsung Electronics Co., Ltd., le numéro un mondial des technologies avancées en matière de mémoires, annonce aujourd’hui que sa deuxième ligne de production de Pyeongtaek, en Corée, a entamé la fabrication à grande échelle de la DRAM mobile LPDDR5 16 gigabits, une première mondiale réalisée grâce au procédé EUV (extreme ultraviolet). Conçue dans le cadre du processus Samsung 10 nm (1z) de troisième génération, la nouvelle LPDDR5 16 Go offre des performances mobiles sans précédent et une capacité inégalée. Elle permettra à des consommateurs encore plus nombreux d’exploiter entièrement les fonctionnalités 5G et IA des nouveaux smartphones.

« La LPDDR5 16 Go à base 1z fait entrer l’industrie dans une nouvelle ère en surmontant un obstacle majeur au développement des DRAM à l’échelle des nœuds avancés, » déclare Jung-bae Lee, vice-président exécutif DRAM Product & Technology chez Samsung Electronics. Nous allons continuer à enrichir notre haut de gamme DRAM et à surpasser les attentes de nos clients. C’est tout le marché des mémoires qui en bénéficiera. »

Complexe de Pyeongtaek : expansion de la capacité de production

S’étendant sur plus de 128 900 mètres carrés (l’équivalent d’environ 16 terrains de football), la Ligne 2 de l’usine Samsung de Pyeongtaek est actuellement la plus grande infrastructure de ce type dans le monde.

La nouvelle ligne de Pyeongtaek centralisera la mise en œuvre des technologies de semi-conducteurs les plus avancées du marché. Les DRAM de pointe seront suivies d’une nouvelle génération de V-NAND et de solutions de fonderie qui renforcera le leadership de l’entreprise à l’ère Industrie 4.0.

Mémoire mobile : records de vitesse et de capacité

Basée sur le processus le plus avancé d’aujourd’hui (1z), la nouvelle LPDDR5 16 Go de Samsung est la première mémoire produite en masse grâce à la technologie EUV. Elle bat les records de capacité et de vitesse des DRAM mobiles.

À 6 400 mégabits par seconde (Mb/s), la nouvelle LPDDR5 se montre environ 16 pour cent plus rapide que la LPDDR5 12 Go (5 500 Mb/s) qui équipe la majorité des bons appareils mobiles actuels. Incorporée dans un package 16 Go, la LPDDR5 est capable de transférer une dizaine de films full-HD de 5 Go, soit 51,2 Go de données, en une seconde à peine.

Utilisant le premier processus commercial 1z, le package LPDDR5 est 30 pour cent plus mince que son prédécesseur. Résultat : les smartphones 5G et multicaméras ainsi que les appareils pliables embarqueront davantage de puissance sans augmenter leurs dimensions. La LPDDR5 16 Go peut former un package 16 Go à partir de huit puces seulement, alors que son prédécesseur 1y en nécessitait 12 (huit puces 12 Go et quatre puces 8 Go) pour la même capacité.

En mettant la première LPDDR5 16 Go à base 1z à la disposition des constructeurs mondiaux de smartphones, Samsung entend conforter en 2021 sa présence sur le marché des appareils mobiles. Samsung va aussi élargir l’utilisation de ses produits LPDDR5 aux applications automobiles. Une plage de température agrandie permettra de respecter des normes strictes de sécurité et de fiabilité dans les environnements extrêmes.

Samsung Electronics Co, Ltd, a annoncé aujourd’hui qu’elle a commencé à produire en masse la première mémoire vive dynamique (DRAM) mobile LPDDR5 de 12 gigaoctets du marché. Elle est optimisée pour l’utilisation des fonctions 5G et AI des futurs smartphones. La nouvelle mémoire mobile arrive à peine cinq mois après l’annonce de la production de la LPDDR4X de 12 Go. Samsung prévoit également de commencer la production de paquets de LPDDR5 de 12 gigaoctets plus tard ce mois-ci, chacun combinant huit puces de 12 Go. Samsung répond ainsi à la demande croissante de la part des fabricants de smartphones haut de gamme pour de meilleures performances et plus de capacités.

« Nous nous félicitons de pouvoir soutenir les futurs smartphones 5G haut de gamme de nos clients mondiaux grâce à la production en grande série de la mémoire LPDDR5 de 12 gigaoctets développée sur les processeurs classe 10 nanomètres (nm) de deuxième génération les plus récents de Samsung », indique Jung-bae Lee, Vice-président exécutif de DRAM Product & Technology chez Samsung Electronics.

Forte de la vitesse la plus élevée et de la meilleure efficacité énergétique du marché, la nouvelle puce de Samsung permet aux smartphones phares de la prochaine génération d’exploiter pleinement les possibilités 5G et AI comme l’enregistrement vidéo ultra haute définition et le machine learning tout en augmentant considérablement l’autonomie de la batterie.

Avec un débit de 5 500 mégabits par seconde (Mb/s), le LPDDR5 de 12 Go est environ 1,3 fois plus rapide que la mémoire mobile précédente (LPDDR4X, 4 266 Mb/s) que l’on trouve sur les smartphones haut de gamme actuels. Les packages de 12 Go peuvent transférer 44 Go de données – comparables à 12 fichiers vidéo full-HD de 3,7 Go – en une seconde. La nouvelle puce consomme également 30 % d’énergie en moins que son prédécesseur grâce à l’intégration d’un nouveau circuit design qui présente des améliorations en termes de clocking, training et low-power feature, qui garantissent des performances stables, même à une vitesse extrêmement élevée.

Afin de garantir une capacité de production plus flexible, Samsung envisage de transférer sa production de LPDDR5 de 12 Go sur son campus de Pyeongtaek (Corée) à partir de l’année prochaine. Dans la foulée du lancement de la DRAM mobile LPDDR5 de 12 Go, Samsung prévoit également de développer une LPDDR5 de 16 Go l’an prochain, afin de renforcer son avantage concurrentiel sur le marché mondial des mémoires.

[Reference] Samsung Mobile DRAM Timeline: Production/Mass Prod.