La carte microSD UHS-1 de 1 To de Samsung en production de masse basée sur la dernière technologie V-NAND

Samsung, leader dans le domaine de la technologie mémoire avancée, lance sa carte microSD Express de 256 gigaoctets (Go)[1] avec une vitesse de lecture allant jusqu’à 800 mégaoctets par seconde (Mo/s). De plus, l’entreprise a commencé la production de masse de sa carte microSD UHS-1 de 1 téraoctet (To)[3]. Avec cette nouvelle génération de cartes microSD, Samsung propose des solutions de mémoire pour l’informatique mobile du futur et les applications d’IA sur les appareils.

“Avec ces deux nouvelles cartes microSD, nous répondons aux exigences croissantes de l’utilisation informatique mobile et de l’IA embarquée“, déclare Roderick Niehorster, , Marketing Manager Digital Storage chez Samsung Benelux. “Malgré leur petite taille, ces cartes mémoire offrent des performances et des capacités comparables à celles des SSD, les rendant adaptées aux applications actuelles et futures.”

Carte microSD SD Express avec des vitesses allant jusqu’à 800 Mo/s

En introduisant une carte microSD basée sur l’interface SD Express, Samsung réalise une première dans le secteur. Grâce à une conception économe en énergie et un micrologiciel optimisé pour des performances élevées et une gestion thermique efficace, la carte offre des performances dignes d’un SSD dans un format compact. Alors que les vitesses de lecture pour les cartes microSD traditionnelles avec une interface UHS-1 étaient limitées à 104 Mo/s, la SD Express permet des vitesses allant jusqu’à 985 Mo/s. Ces vitesses n’étaient pas disponibles commercialement pour les cartes microSD jusqu’à présent.

La carte microSD SD Express de Samsung offre une vitesse de lecture séquentielle allant jusqu’à 800 Mo/s – 1,4 fois plus rapide que les SSD SATA (jusqu’à 560 Mo/s) et plus de quatre fois plus rapide que les cartes mémoire UHS-1 traditionnelles (jusqu’à 200 Mo/s). Pour garantir des performances optimales dans un petit format, le Dynamic Thermal Guard (DTG) maintient une température optimale, même lors de sessions d’utilisation prolongées.

Carte microSD UHS-1 de 1 To avec V-NAND avancé de 1 To

La nouvelle carte microSD de Samsung, d’une capacité de 1 To, utilise huit couches de V-NAND de 8e génération à 1 térabit (Tb), ce qui lui permet d’atteindre une capacité qui n’était jusqu’à présent disponible que dans les disques SSD. La nouvelle carte microSD de 1 To de Samsung réussit les tests les plus stricts et est très fiable, même dans des environnements difficiles, avec une protection contre l’eau, les températures extrêmes, les chutes, l’usure, les rayonnements X et les champs magnétiques[4].

Disponibilité

La carte microSD SD Express de 256 Go sera disponible plus tard cette année, et la carte microSD UHS-1 de 1 To sera commercialisée au troisième trimestre de cette année.

[1] 1 gigaoctet (Go) = 1 000 000 000 octets (1 milliard d’octets). La capacité utilisable réelle peut varier.

[2] SD Express : la nouvelle interface de carte SD avec PCIe Gen3x1 (basée sur la spécification SD 7.1 publiée en février 2019), avec une vitesse de transfert théorique de 985 Mo/s.

[3] 1 téraoctet (To) = 1 000 000 000 000 octets (1 billion d’octets). La capacité utilisable réelle peut varier.

[4] Samsung décline toute responsabilité pour tout dommage et/ou perte de données ou coût résultant de la récupération de données sur la carte mémoire. Les six types de protection mentionnés s’appliquent uniquement à une carte microSD UHS-1 de 1 To, pas à une carte microSD SD Express de 256 Go. Profondeur de 1 mètre, eau salée, 72 heures. Températures de fonctionnement de -25°C à 85°C (-13°F à 185°F), températures non opérationnelles de -40°C à 85°C (-40°F à 185°F). Résistant aux équipements de radiographie standard dans les aéroports (jusqu’à 100 mGy). Champ magnétique équivalent à un scanner IRM haute intensité (jusqu’à 15 000 gauss). Résistant aux chutes jusqu’à 5 mètres (16,4 pieds). Jusqu’à 10 000 balayages.