Resumo AI

• Samsung e ASML ampliam parceria estratégica para acelerar o desenvolvimento de tecnologias avançadas de fabricação de semicondutores na era da inteligência artificial.
• A Samsung participará de uma iniciativa do setor para desenvolver fotomáscaras de 12 polegadas para High NA EUV, tecnologia que pode aumentar a produtividade e contribuir para reduzir custos na fabricação de chips avançados.
• A Samsung planeja adotar a tecnologia High NA EUV da ASML na fabricação em alto volume de DRAM de próxima geração até 2028, em uma iniciativa inédita na indústria que pode ampliar a escalabilidade e a eficiência da memória.

A Samsung Electronics e a ASML anunciaram recentemente a ampliação de sua parceria estratégica de longa data, aprofundando a colaboração em litografia High NA EUV e tecnologias avançadas de fabricação de semicondutores que contribuirão para impulsionar a inovação na era da AI.

Com base em anos de cooperação bem-sucedida, as empresas trabalharão juntas para acelerar o desenvolvimento e a implementação de tecnologias capazes de atender às crescentes demandas por desempenho e eficiência na fabricação avançada de semicondutores.

A Samsung participará de uma iniciativa do setor para desenvolver a tecnologia de fotomáscaras de 12 polegadas, que poderá contribuir para a fabricação de semicondutores mais avançados. Há décadas, a indústria utiliza fotomáscaras de 6 polegadas. Com a High NA EUV, a adoção de máscaras maiores, de 12 polegadas, poderá aumentar a produtividade das fábricas, reduzir os custos de fabricação de chips e superar limitações relacionadas ao stitching.

Essa mudança permitirá que fabricantes de chips avançados aproveitem melhor as vantagens da High NA EUV, tornando mais competitivas – em termos de custo – as futuras gerações de chips de ponta.

Destaque na fabricação de memória e foundry, além de ampla experiência com litografia EUV avançada, a Samsung está posicionada para desempenhar um papel importante na transição para fotomáscaras de 12 polegadas. A empresa trabalhará em estreita colaboração com parceiros do setor para desenvolver as tecnologias de máscaras necessárias e a infraestrutura de suporte.

A Samsung também planeja introduzir a litografia High NA EUV da ASML na fabricação em alto volume de DRAM de próxima geração até 2028, pela primeira vez na indústria, demonstrando ainda mais o potencial da tecnologia High NA para aplicações avançadas de memória e lógica. Espera-se que a High NA EUV amplie o roadmap de escalabilidade da DRAM, com sua maior resolução permitindo simplificar processos e aumentar a eficiência.

O anúncio reforça o compromisso conjunto das empresas com a inovação, liderança tecnológica e uma parceria de longo prazo. A Samsung e a ASML esperam continuar explorando oportunidades de colaboração em áreas que incluem tecnologias avançadas de memória e novas abordagens de fabricação.

“A era da AI está transformando a indústria de semicondutores e aumentando a importância da inovação tecnológica em toda a cadeia de valor. A Samsung está comprometida em manter sua liderança na fabricação avançada de semicondutores, incluindo memória e foundry, por meio de tecnologias inovadoras e parcerias sólidas.

Ao fortalecer ainda mais nossa colaboração com a ASML, estamos ajudando a estabelecer as bases para a próxima geração de inovação em AI e semicondutores”, afirmou Young Hyun Jun, vice-chairman e CEO da Samsung Electronics.

“A Samsung tem sido uma das parceiras de inovação mais importantes da ASML há muitos anos. Juntas, contribuímos para o avanço das tecnologias que sustentam a fabricação moderna de semicondutores. À medida que a indústria entra em uma nova era impulsionada pela inteligência artificial, a colaboração próxima com nossos clientes se torna ainda mais importante. Esperamos trabalhar com a Samsung para viabilizar a próxima onda de inovação em semicondutores”, afirmou Christophe Fouquet, presidente e CEO da ASML.