O MOU foi anunciado durante o AI Summit, realizado no The Midway em São Francisco, nos Estados Unidos. Os participantes incluíram Jinman Han, presidente e head da divisão de Foundry Business da Samsung Electronics, Hock Tan, presidente e CEO da Broadcom, executivos sêniores de ambas as empresas e representantes do governo coreano.

As empresas esperam que a colaboração seja estimada em mais de US$ 200 bilhões em memória e foundry nos próximos cinco anos.

Na área de memória, a Samsung e a Broadcom planejam estabelecer uma colaboração estratégica para o fornecimento de soluções de memória líderes do setor, incluindo High Bandwidth Memory (HBM), para dar suporte aos aceleradores de AI de próxima geração da Broadcom.

Na área de Foundry, a colaboração entre as empresas concentra-se nas tecnologias de processo de 2 nanômetros (nm) e inferiores da Samsung para os produtos da Broadcom, incluindo soluções de Wireless Broadband Communications (WBC). Espera-se que a colaboração também se estenda às tecnologias de encapsulamento avançado baseadas no processo de 2 nm da Samsung, incluindo integração 2.3D e 2.5D, para viabilizar chips de AI e redes com maior desempenho e eficiência energética.

“A AI está impulsionando uma demanda sem precedentes por tecnologias de semicondutores altamente integradas, que abrangem memória, lógica e encapsulamento avançado”, afirmou Young Hyun Jun, vice-chairman e CEO da divisão Device Solutions (DS) da Samsung Electronics. “Ao expandirmos nossa colaboração com a Broadcom nessas tecnologias essenciais, esperamos oferecer ainda mais valor aos clientes e, ao mesmo tempo, contribuir para o avanço da infraestrutura de AI do futuro”.

“À medida que a infraestrutura de AI continua a crescer, a colaboração estreita em todo o ecossistema de semicondutores se torna cada vez mais importante”, disse Charlie Kawwas, presidente do Grupo de Soluções de Semicondutores da Broadcom. “Ao combinar a experiência em memória e foundry da Samsung com a liderança em AI e conectividade da Broadcom, pretendemos continuar a fornecer tecnologias que impulsionam a próxima geração de infraestrutura de AI”.

Com capacidades que abrangem memória, lógica, foundry e encapsulamento avançado, a Samsung está em uma posição única para fornecer soluções integradas de semicondutores para a era da AI. A ampliação da colaboração com a Broadcom reflete o compromisso contínuo da Samsung em apoiar seus clientes com tecnologias de semicondutores de ponta a ponta para uma gama cada vez mais diversificada de aplicações de AI e computação de alto desempenho.

Resumo AI

• Samsung apresenta a primeira solução UFS 5.0 da indústria, com velocidade de transferência de dados de até 10,8 GB/s para aplicações de AI embarcada.
• O novo padrão oferece mais que o dobro do desempenho da UFS 4.1 e melhora a eficiência energética em mais de 40%.
• Com design 16,7% mais compacto que a geração anterior e capacidade de até 1 TB, a UFS 5.0 foi desenvolvida para smartphones, dispositivos vestíveis e headsets XR de próxima geração.

A Samsung anuncia que desenvolveu, pela primeira vez na indústria, a solução Universal Flash Storage (UFS) 5.0, que ajudará a viabilizar serviços de inteligência artificial mais eficientes e contínuos em futuros dispositivos móveis.

Esse avanço estabelece um novo marco para o mercado de memória móvel de próxima geração, já que o desempenho aprimorado deverá permitir aos usuários tempos de resposta mais rápidos e latência significativamente reduzida ao executar modelos de linguagem de grande escala (LLMs) em ambientes de AI embarcada no dispositivo.

“Na era da AI embarcada, os dispositivos de armazenamento estão evoluindo para se tornar um fator-chave na definição das experiências de inteligência artificial”, afirmou Jangseok Choi, Chefe de Planejamento de Produtos de Memória da Samsung Electronics. “Ao avançarmos com sucesso além da fase de desenvolvimento da primeira solução UFS 5.0 da indústria, a Samsung estabelece um novo padrão para armazenamento móvel e continuará impulsionando a inovação no mercado de plataformas móveis de próxima geração.”

A AI generativa está migrando rapidamente da nuvem para os dispositivos, impulsionando um crescimento expressivo no volume de dados necessários para processamento local. Como resultado, o armazenamento deixa de ser apenas um meio para guardar informações e passa a atuar como uma infraestrutura essencial para suportar a computação de AI.

A UFS 5.0 da Samsung integra o mais recente padrão de interface para memória embarcada da JEDEC, alcançando níveis inéditos de desempenho com a maior largura de banda da indústria, de até 10,8 gigabytes por segundo (GB/s).

A nova solução de armazenamento oferece velocidade de leitura sequencial de até 10,8 GB/s e velocidade de gravação sequencial de até 9,5 GB/s, resultados que representam mais que o dobro do desempenho do padrão UFS 4.1 anterior. Esse avanço significativo permite armazenamento e processamento muito mais rápidos de grandes volumes de dados para aplicações de AI embarcada.

A eficiência energética da UFS 5.0 da Samsung também foi aprimorada em mais de 40% em comparação com a solução UFS 4.1 da empresa. Esse ganho é resultado da implementação de diversas inovações, incluindo tecnologias de clock gating e múltiplas tensões. Esses aprimoramentos ajudam a reduzir significativamente a energia necessária para transferir a mesma quantidade de dados, diminuindo o consumo total de energia e ampliando a duração da bateria dos dispositivos móveis de próxima geração.

A Samsung desenvolveu a solução UFS 5.0 em um pacote ultracompacto com dimensões de apenas 7,5 mm x 13 mm x 0,9 mm, tornando-a 16,7% menor que sua antecessora. Esse formato oferece maior flexibilidade de design e melhor aproveitamento do espaço interno para uma ampla gama de aplicações, incluindo dispositivos móveis, vestíveis e de realidade estendida (XR).

A Samsung iniciará a produção em massa da UFS 5.0 no quarto trimestre deste ano, em diferentes capacidades de armazenamento de até um terabyte (TB). Com esse avanço tecnológico, a empresa continua antecipando as necessidades da indústria e planeja ampliar o fornecimento para atender ao crescimento dos mercados de dispositivos de próxima geração, que incluem desde smartphones flagship até headsets XR e dispositivos vestíveis com AI.