Samsung dévoile ses récentes technologies de Silicon pour la nouvelle vague d’innovation à l’événement annuel Tech Day

on 23-10-2019
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Nouvelle génération de processeurs et de solutions de mémoire Samsung destinée à alimenter l’innovation dans les marchés des technologies mobile et domestique, des centres de données et de l’automobile

Samsung-Tech-Day

 

Samsung Electronics Co., Ltd., l’un des leaders mondiaux des technologies avancées de semiconducteurs, a dévoilé de nouveaux appareils à mémoire et logique système avancés lors du Samsung Tech Day 2019. Samsung a présenté les nouvelles capacités des processeurs et dispositifs de mémoire qui alimenteront la 5G, l’IA, l’infonuagique, l’interface de rebords, l’IdO, et les véhicules sans conducteur de demain. L’entreprise a dévoilé le tout nouveau processeur mobile haut de gamme Exynos 990 et le modem compatible 5G Exynos 5123, en plus d’annoncer la production en série de la troisième génération de DRAM 10 nanomètres (1z-nm).
 
« Samsung est tournée vers les technologies de semiconducteurs les plus avancées pour alimenter l’innovation dans les marchés clés, a expliqué JS Choi, président, Semiconducteurs Samsung. Des appareils d’intégrations de systèmes à grande échelle parfaitement adaptés à la 5G et à l’IA dans le monde réel, jusqu’aux disques SSD (Solid-State Drive) avancés qui gèrent les tâches critiques et déchargent l’unité centrale, nous sommes déterminés à fournir des capacités d’infrastructure qui sont conçues pour permettre chaque vague d’innovation. »
 
Les nouvelles technologies annoncées incluent :
 

  • Processeur Exynos 990 et Modem Exynos 5G 5123 : Optimisation de l’expérience utilisateur IA intégrée grâce à une unité de traitement neuronale double cœur (NPU) et à un processeur de signal numérique (DSP) amélioré qui peut effectuer plus de dix billions d’opérations par seconde.
  • DRAM 10 nanomètres (1z-nm) de troisième génération : Optimisée pour le développement des plateformes de serveur haut de gamme, la mémoire DRAM 1z-nm ouvre la porte à une gamme de mémoires à la fine pointe de la technologie, incluant la DDR5, la LPDDR5, la HBM2E et la GDDR6 dès le début de la nouvelle année.
  • uMCP LPDDR4X 12 Go (paquets multi-puces avec UFS) : Combine quatre puces LPDDR4X de 24 Gbit et la mémoire flash NAND sur interface eUFS 3.0 haute performance dans un seul boîtier, permettant de dépasser la limite actuelle de 8 Go des téléphones intelligents milieu de gamme et offrant plus de 10 Go de stockage au marché du téléphone intelligent en général.

 
Samsung a aussi proposé de nouvelles possibilités d’affaires pour les technologies de stockage nouvelle génération, incluant la mémoire V-NAND de 7e génération, laquelle a près de 200 couches (1yy) pour solutions mobiles et autres solutions de stockage haut de gamme et la SSD PCIe de 5e génération pour applications de serveurs et de stockage du futur.
 
La troisième édition de l’événement Tech Day de Samsung, qui accueillait les principales entreprises de Silicon Valley, a présenté des collaborations-client sur processeur graphique, PCIe 4e génération et HBM2e, un panel de clients à la pointe de l’industrie, et un pavillon de démonstration mettant en vedette le futur de la domotique, des centres de données, de la technologie mobile/5G et de l’automobile.
 
« Les avancées technologiques en matière de 5G, de calcul informatisé en périphérie de réseau et d’intelligente artificielle sont en train de transformer notre monde à une vitesse exponentielle.  L’impact de l’IA se retrouvera partout, des nouvelles voies de communication aux connexions sans précédent. Des voitures sans conducteur sillonneront nos routes, tandis que les demeures et les entreprises deviendront réellement connectées », a affirmé Choi. « Pour favoriser de telles innovations, l’infrastructure technologique doit ouvrir la voie. Samsung s’engage à demeurer au cœur de toute cette innovation, et il sera fascinant de voir ce que le monde nous réserve. »

Ressources médiatiques > Communiqué de presse

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