Samsung franchit une étape importante dans son nouveau complexe de R et D sur les semi-conducteurs

Samsung organise une cérémonie d’inauguration de la NRD-K, dont la mise en service est prévue pour 2025.

Samsung prévoit investir environ 20 milliards de KRW d’ici 2030 pour la R et D des semi-conducteurs avancés.

Samsung Electronics Co. a annoncé aujourd’hui la tenue d’une cérémonie d’inauguration de son nouveau centre de recherche et développement sur les semi-conducteurs (NRD-K) sur son campus de Giheung, marquant ainsi un saut important dans l’avenir. Environ 100 invités, y compris ceux des fournisseurs et des clients, étaient présents pour célébrer ce tournant.

Le NRD-K a été inauguré en 2022 et est appelé à devenir une base de recherche clé pour la mémoire de Samsung, le système LSI et la R et D sur les semi-conducteurs de fonderie. Grâce à son infrastructure avancée, la recherche et la vérification au niveau du produit pourront avoir lieu sous un même toit.  Samsung prévoit d’investir environ 20 000 billions de KRW d’ici à 2030 pour ce centre d’une superficie d’environ 109 000 mètres carrés (m²) au sein de son campus de Giheung.  Le centre comprendra également une ligne dédiée à la recherche et au développement, dont la mise en service est prévue pour le milieu de l’année 2025.

« Le NRD-K renforcera notre vitesse de développement, ce qui permettra à l’entreprise de créer un cercle vertueux pour accélérer la recherche fondamentale sur la technologie de la prochaine génération et la production de masse. Nous jetterons les bases d’un nouveau bond en avant à Giheung, où Samsung Electronics a commencé à fabriquer des semi-conducteurs il y a 50 ans, et nous créerons un nouvel avenir pour les 100 prochaines années », a déclaré Young Hyun Jun, vice-président, PDG et directeur de la Device Solutions Division de Samsung Electronics.

« À une époque où l’importance des partenariats gagnant-gagnant est plus grande que jamais, Applied Materials s’engage à accélérer la vitesse d’innovation grâce à une collaboration approfondie avec Samsung Electronics, en travaillant ensemble pour conduire une nouvelle vague de croissance pour l’industrie des semi-conducteurs », a déclaré Park Gwang-Sun, directeur d’Applied Materials Korea.

Le campus de Samsung à Giheung, situé au sud de Séoul, est le lieu de naissance de la première DRAM de 64 mégabits (Mb) en 1992, qui a marqué le début de l’entreprise en tant que leader de l’industrie des semi-conducteurs. La création de la nouvelle installation de R et D permettra à Samsung de mettre en œuvre ses derniers développements en matière de technologie des procédés et d’outils de fabrication, prolongeant ainsi l’héritage du site en matière d’innovation.

Le NRD-K sera doté d’un équipement de lithographie à ultraviolet extrême (EUV) High NA et d’un nouvel équipement de dépôt de matériaux visant à accélérer le développement des semi-conducteurs de mémoire de la prochaine génération, tels que les DRAM 3D et les V-NAND à plus de 1000 couches. En outre, il est également prévu de mettre en place une infrastructure de collage de plaquettes avec des capacités innovantes de collage de plaquette à plaquette.

Samsung a investi un montant record de 8,87 milliards de KRW dans la R et D au cours du troisième trimestre de cette année et continue de repousser les limites en développant des technologies d’avenir, telles que l’emballage avancé pour la production de mémoire à grande largeur de bande (HBM).