Samsung prévoit investir environ 20 milliards de KRW d’ici 2030 pour la R et D des semi-conducteurs avancés.

Samsung Electronics Co. a annoncé aujourd’hui la tenue d’une cérémonie d’inauguration de son nouveau centre de recherche et développement sur les semi-conducteurs (NRD-K) sur son campus de Giheung, marquant ainsi un saut important dans l’avenir. Environ 100 invités, y compris ceux des fournisseurs et des clients, étaient présents pour célébrer ce tournant.

Le NRD-K a été inauguré en 2022 et est appelé à devenir une base de recherche clé pour la mémoire de Samsung, le système LSI et la R et D sur les semi-conducteurs de fonderie. Grâce à son infrastructure avancée, la recherche et la vérification au niveau du produit pourront avoir lieu sous un même toit.  Samsung prévoit d’investir environ 20 000 billions de KRW d’ici à 2030 pour ce centre d’une superficie d’environ 109 000 mètres carrés (m²) au sein de son campus de Giheung.  Le centre comprendra également une ligne dédiée à la recherche et au développement, dont la mise en service est prévue pour le milieu de l’année 2025.

« Le NRD-K renforcera notre vitesse de développement, ce qui permettra à l’entreprise de créer un cercle vertueux pour accélérer la recherche fondamentale sur la technologie de la prochaine génération et la production de masse. Nous jetterons les bases d’un nouveau bond en avant à Giheung, où Samsung Electronics a commencé à fabriquer des semi-conducteurs il y a 50 ans, et nous créerons un nouvel avenir pour les 100 prochaines années », a déclaré Young Hyun Jun, vice-président, PDG et directeur de la Device Solutions Division de Samsung Electronics.

« À une époque où l’importance des partenariats gagnant-gagnant est plus grande que jamais, Applied Materials s’engage à accélérer la vitesse d’innovation grâce à une collaboration approfondie avec Samsung Electronics, en travaillant ensemble pour conduire une nouvelle vague de croissance pour l’industrie des semi-conducteurs », a déclaré Park Gwang-Sun, directeur d’Applied Materials Korea.

Le campus de Samsung à Giheung, situé au sud de Séoul, est le lieu de naissance de la première DRAM de 64 mégabits (Mb) en 1992, qui a marqué le début de l’entreprise en tant que leader de l’industrie des semi-conducteurs. La création de la nouvelle installation de R et D permettra à Samsung de mettre en œuvre ses derniers développements en matière de technologie des procédés et d’outils de fabrication, prolongeant ainsi l’héritage du site en matière d’innovation.

Le NRD-K sera doté d’un équipement de lithographie à ultraviolet extrême (EUV) High NA et d’un nouvel équipement de dépôt de matériaux visant à accélérer le développement des semi-conducteurs de mémoire de la prochaine génération, tels que les DRAM 3D et les V-NAND à plus de 1000 couches. En outre, il est également prévu de mettre en place une infrastructure de collage de plaquettes avec des capacités innovantes de collage de plaquette à plaquette.

Samsung a investi un montant record de 8,87 milliards de KRW dans la R et D au cours du troisième trimestre de cette année et continue de repousser les limites en développant des technologies d’avenir, telles que l’emballage avancé pour la production de mémoire à grande largeur de bande (HBM).

Permet des performances élevées avec des vitesses de lecture et d’écriture aléatoires allant jusqu’à 1 050 000 IOPS et 1 400 000 IOPS, respectivement

Samsung Electronics Co. Ltd., un chef de file en matière de technologie de mémoire avancée, a annoncé aujourd’hui la sortie du disque SSD 990 EVO Plus, ajoutant à sa gamme de produits SSD. Avec la prise en charge de PCIe 4.0 et la plus récente technologie NAND de Samsung, le disque SSD 990 EVO Plus est un excellent choix pour les consommateurs qui recherchent une performance et une efficacité énergétique améliorées pour leurs ordinateurs. Conçu pour les jeux, les affaires et les projets créatifs.

« Notre vie quotidienne exige de plus en plus de données avec les images que nous partageons sur les médias sociaux et la diffusion vidéo en continu de haute qualité  », a déclaré Hangu Sohn, vice-président de l’équipe de Memory Brand Product Biz chez Samsung Electronics. « Le 990 EVO Plus est conçu pour les utilisateurs d’ordinateurs portables et d’ordinateurs de bureau qui recherchent des vitesses de traitement plus rapides et une capacité de stockage accrue. »

Rendement et efficacité énergétique améliorés

Le disque SSD 990 EVO Plus repose sur des décennies de technologie de semi-conducteurs novatrice de Samsung. Ses vitesses de lecture séquentielles sont jusqu’à 7 250 mégaoctets par seconde (Mo/s) et ses vitesses d’écriture sont jusqu’à 6 300 Mo/s, une amélioration allant jusqu’à 50 % par rapport au disque SSD 990 EVO. L’amélioration de la performance est attribuable à la plus récente technologie V-NAND de 8^e génération de Samsung et au contrôleur à 5 nanomètres (nm), tandis qu’un bouclier thermique novateur revêtu de nickel minimise la surchauffe, permettant une efficacité énergétique 73 % supérieure à celle de son prédécesseur.

Le modèle de 4 To a une vitesse de lecture aléatoire incroyable de 1 050 000 IOPS et 1 400 000 opérations d’entrée/sortie par seconde (IOPS) pour l’écriture aléatoire. Cette performance remarquable rivalise presque avec celle des produits SSD de Samsung avec DRAM, malgré le fait de ne pas utiliser la mémoire cache DRAM, ce qui en fait une excellente solution pour les jeux et les tâches qui nécessitent une haute performance.

Capacité de stockage accrue

La demande toujours croissante pour les dispositifs de stockage à grande capacité est motivée par la gestion de fichiers de grande taille, l’édition vidéo de haute qualité et les jeux de nouvelle génération. Pour répondre aux exigences de stockage croissantes d’aujourd’hui, le disque SSD 990 EVO Plus présente une grande capacité avec un modèle de 4 To, dépassant les limites de stockage du disque SSD 990 EVO. Le disque SSD 990 EVO Plus est équipé du TurboWrite 2.0 intelligent de Samsung, remanié pour maximiser sa performance, permettant des vitesses de transfert de fichiers rapides et un décalage réduit.

Soutien en lien avec le logiciel Magician de Samsung

Le logiciel Magician de Samsung présente une suite d’outils d’optimisation pour une fonctionnalité accrue de tous les disques SSD Samsung, y compris le disque SSD 990 EVO Plus. Les utilisateurs peuvent simplifier le processus de migration des données pour faciliter les mises à niveau du disque SSD. De plus, le Magician de Samsung protège les données précieuses, les moniteurs favorisent la santé et permettent une optimisation de la performance personnalisée.

Actuellement offert aux consommateurs du monde entier, le prix de détail suggéré par le fabricant (PDSF) pour le disque SSD 990 EVO Plus est de 109,99 $ pour le modèle de 1 To et de 184,99 $ pour le modèle de 2 To et 344,99 $ pour le modèle de 4 To. Pour en savoir plus, y compris les détails relatifs à la garantie, veuillez visiter samsung.com/SSD ou semiconductor.samsung.com/internal-ssd/. Pour obtenir un guide de l’utilisateur sur la façon d’installer le 990 EVO Plus sur votre ordinateur portable ou votre ordinateur, visitez https://semiconductor.samsung.com/consumer-storage/ssdupgrade/.

Spécifications du SSD 990 EVO Plus de Samsung

Catégorie	Samsung SSD 990 EVO Plus
Interface	PCIe® Gen 4.0 x 4 / 5.0 x 2 NVMe 2.01
Format	M.2 (2280)
Mémoire de stockage	V-NAND 3 octets de Samsung (TLC)
Contrôleur	Contrôleur interne Samsung
Capacité2	1 To	2 To	4 To
Vitesse de lecture et d’écriture séquentielle 3	Jusqu’à 7 250 Mo/s, jusqu’à 6 300 Mo/s
ㄴVitesse de lecture et d’écriture aléatoire (QD32) 3	Jusqu’à 850 000 IOPS, 1 350 000 IOPS	Jusqu’à 1 000 000 IOPS, 1 350 000 IOPS	Jusqu’à 1 050 000 IOPS, 1 400 000 IOPS
Logiciel de gestion	Logiciel Magician de Samsung
Chiffrage des données	Chiffrage des données disque complet AES 256 octets, TCG/Opal V2.0,
	Lecteur chiffré (IEEE1667)
Total d’octets écrits	600 To	1 200 To	2 400 To
Garantie	Garantie limitée de cinq ans 4

¹ La marque NVM Express® est une marque déposée de NVM Express, Inc.
² 1 go = 1 000 000 000 octets par IDEMA. Une certaine partie de la capacité peut être utilisée pour les fichiers système et la maintenance. Ainsi, la capacité réelle peut différer de celle indiquée sur l’étiquette du produit.
³ Les mesures de rendement aléatoire et séquentiel sont basées sur IOmeter1.1.0. Le rendement peut varier en fonction de la version du micrologiciel du SSD, ainsi que du matériel et de la configuration du système.
Essai de configuration du système : Processeur AMD Ryzen9 7 950x 16-Core unité centrale@4.5 GHz, DDR5 4 800 MHz 16 Gox2), OS-Windows 11 Pro 64 octets, Chipset – ASRock X670E Taichi
⁴ Cinq ans ou octets totaux écrits (TBW), selon la première éventualité. Pour plus de renseignements concernant la garantie, veuillez consulter le document de garantie joint dans l’emballage. Pour plus de renseignements concernant la garantie, veuillez consulter ce lien : www.samsung.com/ca/support/warranty