Tras iniciar este año la primera producción masiva y envío comercial de su HBM4 líder en la industria, Samsung ahora amplía su roadmap de HBM con la introducción de muestras de HBM4E, respondiendo a las demandas en rápida evolución de la computación de IA y de la infraestructura hyperscale.

“Después del exitoso inicio de la producción masiva de HBM4, Samsung ha demostrado una vez más su diferenciación tecnológica con HBM4E”, afirmó Sang Joon Hwang, vicepresidente ejecutivo y Head de Desarrollo de Memoria en Samsung Electronics. “A través de nuestras avanzadas capacidades de manufactura e inversiones anticipadas en infraestructura, continuaremos impulsando el crecimiento del mercado global de memoria para IA”.

El HBM4E de Samsung ofrece una velocidad estable de pin de 14 gigabits por segundo (Gbps), con un rendimiento escalable de hasta 16Gbps para satisfacer los requisitos cada vez más intensivos de procesamiento de datos. Esto representa un incremento superior al 20% respecto al HBM4, además de ofrecer un ancho de banda de memoria de hasta 3.6 terabytes por segundo (TB/s) por stack, ayudando a maximizar el rendimiento computacional de grandes modelos de lenguaje (LLMs) y sistemas de IA de próxima generación.

El HBM4E de 12 capas de Samsung está disponible con una capacidad de 48 gigabytes (GB), lo que representa un incremento superior al 30% respecto a la generación anterior, con planes para expandir la línea e incluir configuraciones de 32GB (8 capas) y 64GB (16 capas), de acuerdo con las necesidades de los clientes.

El HBM4E se distingue por aprovechar al máximo las capacidades integrales de semiconductores de Samsung y utilizar las mismas tecnologías de vanguardia perfeccionadas durante la experiencia de producción del HBM4 de la compañía. Esto incluye el proceso DRAM de 10 nanómetros (nm) de sexta generación más avanzado de la industria (1c) y el logic base die de 4nm de Samsung Foundry, lo que permite al HBM4E lograr una mayor estabilidad de proceso y manufacturabilidad.

La optimización de diseño y procesos en las arquitecturas de memoria y lógica del HBM4E de Samsung también mejora el rendimiento, la eficiencia energética y el rendimiento de producción.

En particular, las tecnologías avanzadas de diseño de bajo consumo energético y las estructuras de empaquetado optimizadas mejoraron la eficiencia energética en un 16% y las características de resistencia térmica en más del 14% en comparación con la generación anterior. Estas mejoras también permiten una disipación de calor más eficiente, garantizando una confiabilidad prolongada y un menor consumo de energía en centros de datos de próxima generación con cargas de trabajo intensivas.

Samsung planea iniciar la producción masiva del HBM4E de acuerdo con los calendarios de sus clientes, tras el envío inicial de muestras y la fase de optimización.

La retroalimentación de clientes globales sobre el HBM4 de Samsung, presentado en febrero, ha sido altamente positiva, especialmente por su rendimiento y eficiencia energética. El HBM4 fue el primero de la industria en entrar en producción masiva y estableció un nuevo estándar para el sector al alcanzar velocidades de 11.7Gbps en pruebas de System in Package (SiP).

A medida que continúa creciendo el suministro estable del HBM4 de Samsung, se espera que el nuevo HBM4E, utilizando la misma combinación de core y base die, entre en producción masiva para acelerar aún más la innovación en sistemas de IA de próxima generación. Con un portafolio integral que abarca memoria, foundry, diseño lógico y empaquetado avanzado, Samsung continuará garantizando un suministro estable de semiconductores para el creciente mercado de IA.

Al aprovechar proactivamente su proceso de DRAM de clase de 10 nanómetros (nm) de sexta generación (1c) más avanzado, la compañía logró rendimientos estables y un desempeño líder en la industria desde el inicio de la producción en masa, todo realizado de manera fluida y sin rediseños adicionales.

“En lugar de tomar el camino convencional de utilizar diseños probados existentes, Samsung dio el salto y adoptó los nodos más avanzados como la DRAM 1c y el proceso de lógica de 4 nm para la HBM4”, dijo Sang Joon Hwang, Vicepresidente Ejecutivo y Jefe de Desarrollo de Memoria de Samsung Electronics. “Al aprovechar nuestra competitividad de proceso y la optimización del diseño, podemos asegurar un margen de rendimiento sustancial, lo que nos permite satisfacer las crecientes demandas de nuestros clientes de un mayor rendimiento cuando lo necesiten”.

Estableciendo el estándar para el máximo rendimiento y eficiencia

La HBM4 de Samsung ofrece una velocidad de procesamiento constante de 11.7 gigabits por segundo (Gbps), superando el estándar de la industria de 8 Gbps en aproximadamente un 46% y estableciendo un nuevo benchmark para el rendimiento de HBM4. Esto representa un aumento de 1.22 veces sobre la velocidad máxima de pin de 9.6 Gbps de su predecesora, HBM3E. El rendimiento de la HBM4 también se puede mejorar hasta los 13 Gbps, mitigando eficazmente los cuellos de botella de datos que se intensifican a medida que los modelos de IA continúan escalando.

Además, el ancho de banda total de memoria por stack individual aumenta 2.7 veces en comparación con la HBM3E, hasta un máximo de 3.3 terabytes por segundo (TB/s).

A través de la tecnología de apilamiento de 12 capas, Samsung ofrece la HBM4 en capacidades que van desde 24 gigabytes (GB) hasta 36 GB. La compañía también mantendrá sus opciones de capacidad alineadas con los cronogramas futuros de los clientes mediante el uso de apilamiento de 16 capas, lo que ampliará la oferta hasta los 48 GB.

Para abordar el consumo de energía y los desafíos térmicos impulsados por la duplicación de las E/S de datos de 1,024 a 2,048 pines, Samsung ha integrado soluciones de diseño avanzadas de bajo consumo en el core die. La HBM4 también logra una mejora del 40% en la eficiencia energética al aprovechar la tecnología de low-voltage through silicon via (TSV) y la optimización de la power distribution network (PDN), al tiempo que mejora la resistencia térmica en un 10% y la disipación de calor en un 30%, en comparación con la HBM3E.

Al brindar un rendimiento sobresaliente, eficiencia energética y alta confiabilidad a los entornos de centros de datos del mañana, la HBM4 de Samsung permite a los clientes lograr el máximo rendimiento de la GPU y gestionar eficazmente su costo total de propiedad (TCO).

Capacidades de producción integrales y ágiles

Samsung se compromete a avanzar en su roadmap de HBM a través de sus recursos de fabricación integrales, que incluyen una de las capacidades de producción de DRAM más grandes e infraestructuras dedicadas en la industria, lo que garantiza una cadena de suministro resiliente para satisfacer el aumento proyectado en la demanda de HBM4.

Una Design Technology Co-Optimization (DTCO) estrechamente integrada entre los negocios de Foundry y Memoria de la compañía le permite asegurar los más altos estándares de calidad y rendimiento. Además, la amplia experiencia interna en advanced packaging permite ciclos de producción optimizados y tiempos de entrega reducidos.

Samsung también planea ampliar el alcance de su asociación técnica con socios clave, basándose en discusiones cercanas con fabricantes globales de GPU y hyperscalers enfocados en el desarrollo de ASIC de próxima generación.

Samsung anticipa que sus ventas de HBM se triplicarán con creces en 2026 en comparación con 2025, y está expandiendo proactivamente su capacidad de producción de HBM4. Tras la exitosa introducción de la HBM4 en el mercado, se espera que el muestreo para HBM4E comience en la segunda mitad de 2026, mientras que las muestras de HBM personalizadas comenzarán a llegar a los clientes en 2027, de acuerdo con sus respectivas especificaciones.