El MOU fue anunciado durante el AI Summit, realizado en The Midway en San Francisco. Los participantes incluyeron a Jinman Han, presidente y jefe de la División de Foundry Business de Samsung Electronics, Hock Tan, presidente y CEO de Broadcom, ejecutivos senior de ambas empresas y representantes del gobierno coreano.

Las empresas esperan que la colaboración esté estimada en más de 200 mil millones de dólares en memoria y foundry en los próximos cinco años.

En el área de memoria, Samsung y Broadcom planean establecer una colaboración estratégica para el suministro de soluciones de memoria líderes de la industria, incluyendo High Bandwidth Memory (HBM), para dar soporte a los aceleradores de AI de próxima generación de Broadcom.

En el área de Foundry, la colaboración entre las empresas se concentra en las tecnologías de proceso de 2 nanómetros (nm) e inferiores de Samsung para los productos de Broadcom, incluyendo soluciones de Wireless Broadband Communications (WBC). Se espera que la colaboración también se extienda a las tecnologías de empaquetado avanzado basadas en el proceso de 2 nm de Samsung, incluyendo integración 2.3D y 2.5D, para viabilizar chips de AI y redes con mayor rendimiento y eficiencia energética.

“La IA está impulsando una demanda sin precedentes de tecnologías de semiconductores altamente integradas que abarcan memoria, lógica y empaquetado avanzado”, afirmó Young Hyun Jun, vicepresidente y CEO de la División Device Solutions (DS) de Samsung Electronics. “Al ampliar nuestra colaboración con Broadcom en estas tecnologías esenciales, esperamos ofrecer aún más valor a nuestros clientes y, al mismo tiempo, contribuir al avance de la infraestructura de IA del futuro”.

“A medida que la infraestructura de IA sigue creciendo, la colaboración estrecha en todo el ecosistema de semiconductores se vuelve cada vez más importante”, dijo Charlie Kawwas, presidente del Grupo de Soluciones de Semiconductores de Broadcom. “Al combinar la experiencia en memoria y Foundry de Samsung con el liderazgo en IA y conectividad de Broadcom, pretendemos seguir proporcionando tecnologías que impulsen la próxima generación de infraestructura de IA”.

Con capacidades que abarcan memoria, lógica, foundry y empaquetado avanzado, Samsung se encuentra en una posición única para proporcionar soluciones integradas de semiconductores para la era de la IA. La ampliación de la colaboración con Broadcom refleja el compromiso continuo de Samsung de apoyar a sus clientes con tecnologías de semiconductores integrales (end-to-end) para una gama cada vez más diversa de aplicaciones de IA y computación de alto rendimiento.

 Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnología de semiconductores avanzada, anunció hoy la construcción de una nueva planta de fabricación de semiconductores en Taylor, Texas. La inversión estimada de $17 mil millones en los Estados Unidos ayudará a impulsar la producción de soluciones de semiconductores lógicos avanzados que impulsan las innovaciones y tecnologías de próxima generación.

La nueva instalación fabricará productos basados en tecnologías de proceso avanzadas para su aplicación en áreas como tecnología móvil, 5G, computación de alto rendimiento (HPC) e inteligencia artificial (AI). Samsung mantiene su compromiso de apoyar a los clientes a nivel mundial haciendo que la fabricación avanzada de semiconductores sea más accesible, y satisfaciendo la creciente demanda de productos de vanguardia.

“A medida que agregamos una nueva instalación en Taylor, Samsung sienta las bases para otro importante capítulo en nuestro futuro”, dijo Kinam Kim, Vice Chairman y CEO de la División de Soluciones de Dispositivos de Samsung Electronics. “Con una mayor capacidad de fabricación, podremos atender mejor las necesidades de nuestros clientes y contribuir a la estabilidad de la cadena de suministro global de semiconductores”.

“También estamos orgullosos de generar más puestos de trabajo y apoyar la capacitación y el desarrollo de talentos para las comunidades locales, ya que Samsung celebra 25 años de fabricación de semiconductores en los EE. UU.”, dijo Kim.

“Además de nuestros socios en Texas, estamos agradecidos con la Administración Biden por crear un entorno que respalda a empresas como Samsung mientras trabajamos para expandir la fabricación de semiconductores de vanguardia en los EE. UU.”, continuó Kim. “También agradecemos a la administración y al Congreso por su apoyo bipartidista para promulgar rápidamente incentivos federales para la producción e innovación nacional de chips”.

La inauguración ocurrirá en el primer semestre de 2022 con el objetivo de tener la instalación operativa en el segundo semestre de 2024. El sitio de Taylor abarcará más de 5 millones de metros cuadrados y se espera que sirva como una ubicación clave para la capacidad global de fabricación de semiconductores de Samsung, junto con su nueva línea de producción en Pyeongtaek, Corea del Sur.

La inversión total esperada de $17 mil millones, incluidos edificios, mejoras de propiedad, maquinaria y equipo, marcará la inversión más grande jamás realizada por Samsung en los EE. UU. Esto también llevará la inversión total de Samsung en los EE. UU. a más de $47 mil millones desde que comenzó a operar en el país en 1978, donde la empresa ahora cuenta con más de 20 mil colaboradores.

“Compañías como Samsung continúan invirtiendo en Texas debido a nuestro clima de negocios de clase mundial y fuerza laboral excepcional”, dijo el Gobernador Abbott. “La nueva planta de fabricación de semiconductores de Samsung en Taylor brindará innumerables oportunidades para los trabajadores de Texas Central y sus familias, y jugará un papel importante en la excepcionalidad continua de nuestro estado en la industria de semiconductores. Espero expandir nuestra asociación para mantener a Texas como líder en tecnología avanzada y una potencia económica dinámica”.

Después de revisar varias ubicaciones dentro de los EE. UU. en busca de un sitio de fabricación potencial, la decisión de invertir en Taylor se basó en múltiples factores, incluido el ecosistema de semiconductores local, la estabilidad de la infraestructura, el apoyo del gobierno local y las oportunidades de desarrollo comunitario. En particular, la proximidad al sitio de fabricación actual de Samsung en Austin, a unos 25 kilómetros al suroeste de Taylor, permite que las dos ubicaciones compartan la infraestructura y los recursos necesarios.

Se espera que esta última expansión de la presencia de Samsung en los EE. UU. cree más de 2 mil puestos de trabajo de alta tecnología directamente y miles de puestos de trabajo relacionados, una vez que la nueva instalación esté en pleno funcionamiento. Como parte de su coinversión en la comunidad, Samsung también contribuirá con apoyo financiero para crear un Centro de Habilidades de Samsung para el Distrito Escolar Independiente de Taylor (ISD) para ayudar a los estudiantes a desarrollar habilidades para carreras futuras y para brindar pasantías y oportunidades de reclutamiento.

De izquierda a derecha: Senador John Cornyn, Gobernador Greg Abbott Samsung Electronics Vice Chairman y CEO Kinam Kim