„V každodenním životě potřebujeme přenášet a zpracovávat stále více dat, třeba při sdílení fotografií a videozáznamů na sociálních sítích nebo při využívání streamingových služeb,“ komentoval to Hangu Sohn, viceprezident oddělení paměťových médií Samsung Electronics. „Disk 990 EVO Plus je určený pro uživatele stolních počítačů a notebooků, kteří potřebují takové velké množství dat rychle zpracovat a přesouvat a ocení i rozšířený úložný prostor.“

Vylepšený výkon i energetická účinnost

Disk 990 EVO Plus je nejnovějším výsledkem několika desetiletí usilovné práce, během nichž se Samsung etabloval jako spolehlivý průkopník polovodičové technologie. Rychlost sekvenčního čtení dosahuje až 7250 megabytů za vteřinu (MB/s) a zápis probíhá rychlostí až 6300 MB/s, což je v porovnání s předchozím modelem 990 EVO až padesátiprocentní zlepšení. Za vyšším výkonem stojí především nejnovější osmá generace technologie V-NAND a 5 nm ovladač. Další velkou výhodou je inovativní poniklovaný tepelný štít, který brání přehřívání – díky němu disk vykazuje o 73 % vyšší energetickou účinnost než zmíněný předchůdce.

Při náhodném čtení dosáhla verze s kapacitou 4 TB nevídané rychlosti 1050K IOPS a při náhodném zápisu 1400K IOPS (zkratka IOPS znamená input/output per second, tedy počet vstupů a výstupů za sekundu). S tímto špičkovým výkonem se 990 EVO Plus téměř vyrovná SSD diskům s DRAM pamětí, ačkoli sám DRAM cache nevyužívá. Ideálně se tak hodí na hraní nebo činnost s využitím umělé inteligence, kde je špičkový výkon nutností.

Větší úložný prostor

Také nároky na velikost úložného prostoru neustále rostou – není divu, dnešní uživatelé potřebují ukládat velké soubory, zpracovávat videozáznamy ve vysoké kvalitě a hrát stále náročnější hry. 990 EVO Plus vychází těmto požadavkům vstříc a nabízí skutečně velkorysou kapacitu, především díky verzi se 4 TB – ta překonává předchozí model 990 EVO. Nový disk je zároveň vybaven inteligentní technologií Samsung TurboWrite 2.0, která umožňuje ještě rychlejší přenos souborů a zkracuje prodlevy na minimum.

Podpora softwaru Samsung Magician

Software Samsung Magician nabízí sadu optimalizačních nástrojů s vylepšenými funkcemi pro všechny SSD disky od Samsungu, tedy i pro 990 EVO Plus. Díky softwaru lze například účinně a bezpečně zjednodušit proces migrace dat. Kromě toho Samsung Magician chrání důležité informace, monitoruje stav disku a nabízí možnost optimalizace výkonu na míru.

Dostupnost

Disky 990 EVO Plus budou na českém trhu dostupné od poloviny října. Doporučená maloobchodní cena byla stanovena na 2 499 Kč za model s kapacitou 1 TB, 4 499 Kč za variantu s 2 TB a 8 499 Kč za verzi se 4 TB. Všechny uvedené ceny jsou včetně DPH. Další informace (mj. o záruce) najdete na webu samsung.com/SSD. Uživatelská příručka pro instalaci disku 990 EVO Plus do notebooku či stolního počítače je k dispozici na adrese https://semiconductor.samsung.com/consumer-storage/ssdupgrade/.

Samsung SSD 990 EVO Plus – technické specifikace                                                                                                                                                                       

Kategorie	Samsung SSD 990 EVO Plus
Rozhraní	PCIe® Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.01
Formát	M.2 (2280)
Typ paměti	Samsung V-NAND 3-bit TLC
Ovladač	Samsung In-house Controller
Kapacita2	1 TB	2 TB	4TB
Rychlost sekvenčního čtení / zápisu 3,4	Až 7150 MB/s, 6300 MB/s	Až 7250 MB/s, 6300 MB/s	Až 7250 MB/s, 6300 MB/s
Rychlost náhodného čtení / zápisu (QD32) 3,4	Až 850K IOPS, 1350K IOPS	Až 1000K IOPS, 1350K IOPS	Až 1050K IOPS, 1400K IOPS
Obslužný software	Samsung Magician Software
Šifrování dat	AES 256-bit Full Disk Encryption, TCG/Opal V2.0,
	Encrypted Drive (IEEE1667)
Velikost zapsaných dat	600 TB	1200 TB	2400 TB
Záruka 5	Limitovaná, 5 let 6

¹ Značka NVM Express® je registrovanou ochrannou známkou společnosti NVM Express, Inc.

² 1 GB = 1 000 000 000 bytů, podle standardu IDEMA. Jistý prostor v paměti může být vyhrazený pro systémové soubory a pro údržbu, celková kapacita se tedy může od nominální hodnoty na štítku lišit.

^{3, 4} Sekvenční a náhodné čtení a zápis se měří podle metodiky IOmeter1.1.0. Výsledky se mohou lišit na základě firmware, systémového hardware a systémové konfigurace.

Systémová konfigurace při testu: AMD Ryzen9 7950x 16-Core Processor CPU 4.5 GHz, DDR5 4800 MHz 16 GBx2 (PC5-38400), OS-Windows 11 Pro 64bit, Chipset – ASRock X670E Taichi

⁵ Společnost Samsung Electronics nenese odpovědnost za žádné škody či ztráty, např. ztráty dat či jiných informací na produktech Samsung Electronics, ani za ztrátu zisku či příjmu uživatele. Další informace o záruce: samsu ng.com/SSD nebo semiconductor.samsung.com/internal-ssd/

⁶ Podle limitované pětileté záruky nebo hodnoty TBW podle toho, co nastane dříve. Další informace o záruce najdete v záručním listě v balení.

*Poznámka: Dostupnost produktů závisí na modelu a regionu.

Společnost Samsung Electronics, světová jednička v oboru vyspělých paměťových technologií, uspořádala minulý měsíc každoroční akci Memory Tech Day, na které představuje převratné inovace a nové paměťové produkty urychlující technologický vývoj v mnoha odvětvích, například v cloudu, v edge computingu nebo v automobilovém průmyslu.

Akce se zúčastnilo na 600 zákazníků, partnerů a expertů v oboru. Představitelé Samsungu účastníky seznámili se svou vizí „Memory Reimagined“, tedy s novou koncepcí paměťových médií, do níž patří dlouhodobé plány na upevnění vedoucího místa v oboru, bližší pohled na tržní trendy a prosazování udržitelného podnikání. Firma zároveň představila nové technologie a produkty, například HBM3E Shinebolt, LPDDR5X CAMM2 nebo Detachable AutoSSD.

Jung-Bae Lee, prezident a ředitel paměťové divize ve společnosti Samsung Electronics, v úvodním projevu podrobně popisoval, jak Samsung v současném období překonává překážky pomocí inovací v nových tranzistorových strukturách a materiálech. Příklad: v současné době Samsung připravuje nové 3D struktury pro sub-10 nanometrové paměti DRAM, což umožňuje dosáhnout lepší kapacity čipů přes 100 gigabitů (Gb). Samsung navazuje i na řadu DRAM pamětí s 12 nm, masově vyráběno od května 2023, a dokončuje novou verzi s 11 nm a nejvyšší hustotou v celém oboru.

Zanedlouho se dočkáme i průlomu v technologii NAND, který umožní zmenšit jednotlivé buňky a vylepšit techniku perforace. Cílem je výroba modulů vertical NAND (V-NAND) s 1000 vrstvami. V současné době je ve vývinu devátá generace pamětí Samsung V-NAND, dosud s největším počtem vrstev na architektuře double-stack. Společnost už pro nový typ V-NAND vyvinula funkční čip, masová výroba by se měla rozjet příští rok.

„V nové éře umělé inteligence se celý obor ocitl na křižovatce, kde se protínají inovace a nové příležitosti. Je s tím spojená řada výzev, zároveň to ale znamená velký potenciál pro skokové změny,“ pokračoval Lee. „Naštěstí nám nechybí představivost ani vytrvalost, proto hodláme i nadále zůstat jedničkou na trhu, podporovat inovace a spolupracovat se zákazníky a partnery na řešeních, která otevírají nové cesty.“

Představuje se HBM3E alias Shinebolt

Současné cloudové systémy se vyvíjejí, aby optimalizovaly výpočetní výkon, což vyžaduje špičková paměťová řešení – musí zvládat velkou kapacitu, širokospektrální připojení i nároky virtuálních úložišť. Samsung již dříve dokázal jako první hráč v oboru uvést na běžný trh model HBM2 a v roce 2016 otevřel HBM trh technologii high-performance computing (HPC). Dnes firma představila modul HBM3E DRAM nové generace s názvem Shinebolt.

Samsung Shinebolt je kompatibilní s umělou inteligencí nové generace, vylepšuje celkové náklady na provoz (TCO) a zrychluje učení umělé inteligence a práci datových center. HBM3E zvládá úctyhodnou rychlost 9,8 Gb/s na jeden pin, což znamená možnou přenosovou rychlost přes 1,2 TB/s.

Kvůli možnému vytváření vyšších vrstev a lepším tepelným vlastnostem se optimalizace dočkala i technologie nevodivé fólie (NCF). Ta odstraňuje mezery mezi jednotlivými vrstvami čipu a maximalizuje tepelnou vodivost.

Samsung HBM3 8H i 12H už se vyrábějí sériově, zákazníci dostávají i první vzorky modelů Shinebolt. Samsung využívá své silné pozice v oblasti komplexních polovodičových řešení a hodlá nabízet i služby na klíč, tedy kombinace HBM nové generace, pokročilých obalových technologií a polovodičů.

Mezi další produkty představené na Memory Tech Day patří 32Gb DDR5 DRAM s největší kapacitou v oboru, první model 32Gb/s GDDR7 a petabytová verze PBSSD, výrazně vylepšující skladovací kapacity pro serverové aplikace.

Nové pojetí edge computingu s menšími rozměry

Dnešní technologie umělé inteligence mají za úkol zpracovat obrovské množství dat, proto se posouvají směrem k hybridním modelům, které rozděluje dělí pracovní zátěž mezi cloud a edge řešení. A právě k tomu se hodí nová řada paměťových modulů Samsung s vysokým výkonem, špičkovou kapacitou, nízkou spotřebou a menšími rozměry.

Kromě průlomového modelu LPDDR5X CAMM2[1] s 7,5 Gb/s, který byl měl přinést revoluci do příští generace DRAM pamětí pro počítače a notebooky, představil Samsung i LPDDR5X DRAM s 9,6 Gb/s, LLW[2] paměť pro umělou inteligenci. Další část nabídky tvořila nová generace Universal Flash Storage (UFS) a vysokokapacitní modul Quad-Level Cell (QLC) SSD BM9C1 pro PC.

Dláždíme cestu ke světovému prvenství v oblasti pamětí v automobilech

Výrobci automobilů dělají v poslední době další kroky na cestě k autonomnímu řízení, díky čemuž roste i poptávka po vysokokapacitních pamětech DRAM a technologii Shared SSD pro sdílení dat v systémech System on Chip (SoC). Za tímto účelem Samsung vyvinul technologii Detachable AutoSSD, tedy disk umožňující přístup k datům z jednoho SSD do více SoC prostřednictvím virtuálního úložiště.

Systém Detachable AutoSSD podporuje sekvenční čtení rychlostí až 6500 megabytů za sekundu (MB/s) s kapacitou 4 TB. SSD disk je odnímatelný, což výrobcům vozidel i uživatelům umožňuje snadnou modernizaci a úpravy systému. Samsung na akci představil i další paměťová řešení pro automobilový průmysl, například širokopásmové moduly GDDR7 a LPDDR5X v kompaktnějším provedení.

Technologií k lepší udržitelnosti

Samsung dlouhodobě usiluje o minimální dopad své činnosti na životní prostředí. Proto firma postupně zavádí do výroby polovodičů spoustu inovací s cílem vylepšit energetickou účinnost svých zařízení pro výrobce i konečné spotřebitele.

V současné době firma plánuje přechod na mimořádně úsporné paměťové technologie, které by mohly přispět k celkovému snížení spotřeby v datových centrech, u počítačů i u mobilních zařízení. Zároveň Samsung při výrobě přenosných SSD zařízení používá recyklované materiály a tím zmenšuje svou uhlíkovou stopu. Řešení nové generace, např. technologie PBSSD, také zásadně přispěje ke snížení spotřeby energie u serverových systémů, protože umožní maximálně využít omezený prostor v serverovně i v regálech.

Samsung při výrobě polovodičů spolupracuje se všemi zúčastněnými stranami v celém hodnotovém řetězci, zejména se zákazníky a partnery. I nadále hodláme hrát aktivní roli ve zvládání klimatických problémů prací na technologiích, díky nimž mohou být jiné technologie udržitelnější.

Další informace o polovodičových řešeních Samsungu a o akci Samsung Memory Tech Day 2023 najdete na webu https://semiconductor.samsung.com/events/techday-memory-2023/.

[1] CAMM: Compression Attached Memory Module.

[2] LLW: Low Latency Wide I/O.