Erstmalige Nutzung von 12-Nanometer (nm)-Prozesstechnologie für mehr Performance und höhere Energieeffizienz

„Unser 12-nm-DRAM kann eine Schlüsselrolle bei der Markteinführung von DDR5 DRAM spielen“, sagte Jooyoung Lee, Executive Vice President of DRAM Product & Technology bei Samsung Electronics. „Wir gehen davon aus, dass unser neuer DRAM mit seiner außergewöhnlich starken Performance und hohen Energieeffizienz die Grundlage für einen nachhaltigeren Betrieb in Bereichen wie Next Generation Computing, Rechenzentren und KI-gesteuerten Systemen sein wird.“

„Innovation erfordert eine enge Zusammenarbeit mit Industriepartnern, damit die Grenzen der Technologie weiter vorangetrieben werden können“, sagte Joe Macri, Senior VP, Corporate Fellow und Client, Compute and Graphics CTO bei AMD. „Wir sind begeistert, bei diesem Thema erneut mit Samsung zusammenarbeiten zu können. Dies gilt insbesondere im Hinblick auf die Einführung von DDR5-Speicherprodukten, die für Zen-Plattformen optimiert und validiert wurden.“

Dieser Technologiesprung wurde durch die Verwendung eines neuen High-κ-Materials ermöglicht, das die Zellkapazität erhöht. Hinzu kommt eine proprietäre Designtechnologie, die kritische Stromkreis-Charakteristiken verbessert. In Kombination mit einer weiterentwickelten, mehrschichtigen ultravioletten (EUV)-Lithografie verfügt der neue DRAM über die gegenwärtig höchste Speicherchip (Die)-Dichte, mit der die Wafer-Produktivität um 20 % gesteigert werden kann.

Die neuen Samsung DRAMs der 12-nm-Klasse nutzen den aktuellsten DDR5-Standard und ermöglichen so Geschwindigkeiten von bis zu 7,2 Gigabit pro Sekunde (Gbps). Dies entspricht der Verarbeitung von zwei 30 Gigabyte (GB) UHD-Filmen in nur einer Sekunde.

Die extrem hohe Geschwindigkeit des neuen DRAMs geht mit höherer Energieeffizienz einher. DRAMs der 12-nm-Klasse verbrauchen bis zu 23 % weniger Strom als die bisherigen Arbeitsspeicher und sind damit eine ideale Lösung für globale IT-Unternehmen, die umweltfreundlichere Geschäftsprozesse anstreben.

Mit Start der Massenproduktion im Jahr 2023 will Samsung sein 12-nm-DRAM Line-up auf verschiedene Marktsegmente ausdehnen. Geplant ist darüber hinaus weiterhin die Zusammenarbeit mit Industriepartnern, um die rasante Expansion von Next Generation Computing zu unterstützen.

Samsung Electronics, ein führender Anbieter von leistungsstarken Speichertechnologien, hat seinen neuesten LPDDR5X-DRAM (Dynamic Random Access Memory) vorgestellt. Das mobile dynamische RAM liefert die branchenweit höchste Geschwindigkeit von 8,5 Gigabit pro Sekunde (Gbps) und wurde für den Einsatz auf mobilen Snapdragon-Plattformen validiert. Mit der Optimierung der High-Speed Signal-Umgebung zwischen Anwendungsprozessor und Speicher konnte Samsung die bisherige Höchstgeschwindigkeit von 7,5 Gbps, die im März erreicht wurde, übertreffen.

Als einer der weltweit führenden Anbieter im Bereich mobiler DRAM treibt Samsung seit mehr als einem Jahrzehnt die Entwicklung und die Nachfrage nach High-End-Smartphones voran. Verbraucher*innen können damit auf ihren mobilen Geräten hohe Rechenleistung nutzen.

Dank seiner effektiven und performanten Eigenschaften kann sich die LPDDR-DRAM Technologie in modernen Computersystemen immer mehr durchsetzen. Sie wird nicht nur in Smartphones, sondern zunehmend auch in PCs, im High-Performance-Computing (HPC), in Servern und Autos genutzt. Dort ist ihr Einsatz in den letzten Jahren stark gestiegen.

Insbesondere auf dem PC-Markt ist in jüngster Zeit die Nachfrage nach LPDDR-DRAM gestiegen, weil in den kompakten Speichereinheiten hohe Leistungen mit geringem Stromverbrauch erreicht werden können. Das hilft PC-Herstellern so kleinere, leichtere und leistungsfähigere Laptops zu bauen.

Der Einsatz von LPDDR-Speichern wird auch in modernen Fahrzeugen zunehmend wichtiger. Da mit autonomen Fahrfunktionen immer mehr Daten generiert werden, setzen Hersteller häufiger Speicher mit hoher Bandbreite wie LPDDR-DRAM ein, um große Mengen an Fahrzeugdaten mit hohen Geschwindigkeiten zu verarbeiten.

In Rechenzentren und Edge-Servern können die stromsparenden Eigenschaften von LPDDR-DRAM dazu beitragen, den Stromverbrauch zu senken. Dies kann zu einer Verringerung der Total-Cost-of-Ownership (TCO) führen.

Da der Bedarf an schnellen, kleinen und energieeffizienten Speichern in verschiedenen Bereichen zunimmt, kann zudem davon ausgegangen werden, dass die LPDDR-DRAM Technologie, angetrieben vom Einsatz Künstlicher Intelligenz und Metaverse-Anwendungen, auch in den Emerging Markets zunehmend nachgefragt wird.

„Die gemeinsame Validierung der 8,5 Gbps LPDDR5X-DRAM kann die Verfügbarkeit dieses High-Speed-Speicher-Interfaces um mehr als ein Jahr beschleunigen. Das ist eine enorme Leistung, die durch unsere langjährige Zusammenarbeit mit Qualcomm Technologies möglich wurde”, sagte Daniel Lee, Executive Vice President des Memory Product Planning Teams bei Samsung Electronics. „Da LPDDR-Speicher über Smartphones hinaus auch in KI- und Rechenzentrums-Anwendungen eingesetzt werden können, wird eine engere Kollaboration zwischen Speicher- und SoC-Anbietern immer wichtiger. Samsung arbeitet auch weiterhin aktiv mit Innovatoren wie Qualcomm Technologies zusammen, um die Ökosystem-Readiness für zukünftige LPDDR-Standards zu verbessern.”

„Qualcomm Technologies hat sich zum Ziel gesetzt, bei der Einführung und beim Einsatz neuester Speichertechnologien auf unseren mobilen Snapdragon-Plattformen ganz vorne mit dabei zu sein. Daher sind wir auch die ersten in der Mobilfunkbranche, die den Einsatz des neuesten LPDDR5X-Standards mit 8,5 Gbps auf unseren Plattformen ermöglichen. Mit neuen Funktionen und hoher Performance für Mobile-, Gaming-, Kamera- und KI-Anwendungen bietet der neue Standard eine beeindruckende User Experience”, sagt Ziad Asghar, Vice President of Product Management, Qualcomm Technologies.