Samsung presenta en MWC 2019 chipsets de RF de última generación para estaciones base 5G

Con los nuevos chipsets de RF, Samsung reduce el tamaño, el peso y el consumo de energía de su estación base 5G en torno a un 25%, manteniéndose a la cabeza del sector

Samsung ha comercializado más de 36.000 estaciones base 5G hasta la fecha

Samsung Electronics Co., Ltd. ha completado con éxito el desarrollo de sus innovadores RFICs (circuitos integrados de radiofrecuencia) mmWave y DAFE (Digital/Analog Front End)  ASICs, soportando las frecuencias de banda 28GHz, 39GHz así como la parte alta de la banda 26GHz europea.

Los nuevos RFICs y DAFE ASICs de Samsung, componentes básicos del chipset 5G, reducen en torno a un 25% el tamaño, peso y consumo de energía en las estaciones base 5G, frente a las generaciones anteriores. Las estaciones base 5G que emplean estos nuevos chipsets son más eficientes en funcionamiento e implementación.

“Nuestros avances en I+D han sido las claves del éxito en la comercialización temprana de 5G en EE.UU. y Corea en 2018, que ha superado las 36.000 estaciones base”, afirmó Paul Kyungwhoon Cheun, Executive Vice President y Head of Networks Business en Samsung Electronics. “Nuestro papel en la 4ª Revolución Industrial es clave y desde Samsung seguiremos acelerando la comercialización de 5G que, a la larga, afectará tanto a los sectores de negocio como a la vida cotidiana ya que ofrece latencia ultrabaja, velocidad sumamente alta y conectividad masiva”.

Para alcanzar una velocidad de transferencia de datos sumamente alta, las estaciones base 5G emplean al menos mil elementos de antena y varios RFICs con el fin de aprovechar el espectro mmWave. La adopción de RFICs juega un papel fundamental al soportar un tamaño y un consumo de energía de las estaciones base más reducido. Los nuevos RFICs de Samsung que emplean la innovadora tecnología de semiconductores CMOS 28nm funcionan en anchos de banda que se han ampliado a un máximo de 1.4GHz, frente a los 800MHz de RFICs anteriores. El tamaño del RFIC se reduce en un 36% y el rendimiento mejora al disminuir el nivel de ruido y mejorar las características de linealidad del amplificador de energía de RF.

Samsung ha desarrollado soluciones RFIC para 28GHz, 39GHz y la parte alta de 36GHz, y tiene previsto comercializar RFICs adicionales este año para 24GHz y 47GHz, permitiendo con ello una mayor expansión a mercados que harán uso de estas frecuencias de banda más altas.

Samsung también ha creado su propio DAFE en forma de ASIC, con un bajo consumo de energía y un tamaño reducido. El DAFE es fundamental para las telecomunicaciones inalámbricas digitales dado que hace posible las conversiones de analógico a digital y viceversa. El DAFE 5G gestiona amplios anchos de banda de cientos de MHz y al desarrollarlo en forma de ASIC se puede reducir el tamaño y el consumo de energía de las estaciones base. Sin una inversión en ASICs, el DAFE por sí solo sería demasiado grande y carecería de la energía suficiente para cubrir las necesidades de los operadores.

“Samsung aprovecha su liderazgo en 5G con sus soluciones innovadoras, incluidas los RFICs de bajo consumo y DAFE ASICs, para abrir el camino hacia una nueva era de transformación digital”, declaró Jaeho Jeon, Executive Vice President and Head of R&D, Networks Business en Samsung Electronics. “Nos complace anunciar que hemos completado el desarrollo de estos nuevos chipsets, los cuales tendrán un papel fundamental a la hora de impulsar el avance de la tecnología”.