Samsung presenta su visión de la memoria 3D de nueva generación en FMS 2026 y marca el futuro de la infraestructura para IA

Madrid, 5 de agosto de 2026 – Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnologías avanzadas de memoria, ha presentado sus últimas innovaciones en memoria para inteligencia artificial durante Future of Memory and Storage (FMS) 2026, celebrado en Santa Clara (California).

Gracias a su amplia experiencia en DRAM, NAND, almacenamiento empresarial y otras tecnologías avanzadas de semiconductores relacionadas, Samsung ha presentado su última cartera de soluciones de memoria para IA y su hoja de ruta tecnológica, que incluye un adelanto de sus modelos conceptuales zHBM y zNAND-O, la primera presentación de la industria de V10 BV-NAND con más de 400 capas y una amplia gama de soluciones diseñadas para impulsar la infraestructura de IA del futuro. Samsung también exhibe en FMS 2026 un stand inspirado en un servidor de nube para IA, donde muestra cerca de 30 tecnologías de memoria y almacenamiento.

Durante la conferencia inaugural, los directivos del negocio de Memoria de Samsung Jin-Yub Lee, vicepresidente ejecutivo y responsable de Flash Product & Technology, y Kyungryun Kim, vicepresidente y líder del proyecto del equipo de diseño de DRAM, ofrecieron una ponencia centrada en las estructuras 3D de nueva generación para las futuras soluciones de memoria.

Bajo el título “Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture”, la ponencia presentó la visión de Samsung para maximizar el rendimiento y la eficiencia energética de los sistemas de IA, al tiempo que responde a la creciente demanda de computación de alto rendimiento (HPC) e infraestructura para inteligencia artificial.

La compañía también presentó V10 BV-NAND, una arquitectura basada en una nueva tecnología de unión de obleas (wafer bonding), mostrada por primera vez en la industria.

La visión de Samsung para la memoria 3D de nueva generación

En FMS 2026, Samsung presentó los primeros modelos conceptuales de zHBM y zNAND-O de la industria, mostrando su visión para la próxima generación de arquitecturas de memoria 3D.

Diseñada para la computación avanzada con IA, zHBM introduce una nueva arquitectura de memoria que apila verticalmente la memoria HBM directamente sobre los aceleradores de IA, superando los diseños convencionales en los que la HBM se sitúa junto al procesador.

Al minimizar la distancia que recorren los datos entre el procesador de IA y la memoria, zHBM está diseñada para ofrecer un mayor ancho de banda y una mejor eficiencia energética, permitiendo el procesamiento ultrarrápido de datos que requieren el entrenamiento y la inferencia de modelos de IA a gran escala.

Se espera que un sistema de interfaz de nueva generación basado en zHBM ofrezca un rendimiento aproximadamente ocho veces superior al de HBM5. Gracias a la tecnología de unión de obleas (wafer bonding) de nueva generación, zHBM puede alcanzar una densidad de memoria más de 10 veces superior a la de HBM5, al tiempo que triplica la eficiencia energética y reduce la resistencia térmica en más de un 50 %, maximizando la estabilidad y la eficiencia energética de los sistemas de alta capacidad y elevado ancho de banda.

zHBM también admite diseños específicos para cada cliente, permitiendo integrar propiedad intelectual (IP) personalizada en la capa intermedia entre la memoria y el acelerador de IA para ampliar la capacidad de memoria y mejorar el rendimiento del acelerador.

Gracias a la estrecha colaboración con sus clientes, Samsung tiene previsto seguir optimizando la integración entre los procesadores de IA y la memoria mediante zHBM para maximizar el rendimiento de los sistemas de inteligencia artificial.

La compañía también presentó zNAND-O, una solución NAND de alto rendimiento de próxima generación basada en su tecnología V-NAND, actualmente en desarrollo en versiones de cuatro y ocho capas. Al combinar una elevada eficiencia en el uso del espacio, un mayor rendimiento de entrada/salida (I/O) y una baja latencia, zNAND-O está optimizada para entornos de IA en el borde (edge AI) que ejecutan aplicaciones de inteligencia artificial intensivas en datos y en tiempo real.

V10 BV-NAND, la primera de la industria

Samsung presentó V10 BV-NAND, basada en su nueva arquitectura Bonding V-NAND. Este anuncio llega trece años después de que la compañía introdujera la primera tecnología V-NAND de la industria durante el Flash Memory Summit 2013, marcando un nuevo hito en la innovación NAND de Samsung.

Con más de 400 capas, V10 BV-NAND ofrece un mayor rendimiento y una mejor eficiencia energética, al tiempo que incrementa significativamente la densidad de almacenamiento. Gracias a la aplicación de tecnología de unión de obleas (wafer bonding) para apilar las celdas de memoria, Samsung ha aumentado la densidad de memoria aproximadamente un 58 % respecto a la generación anterior (V9).

Además del incremento en el número de capas, V10 BV-NAND mejora el rendimiento de lectura, escritura y entrada/salida (I/O) frente a la generación anterior, ofreciendo soporte para memorias NAND de alta capacidad y alto rendimiento destinadas a los futuros sistemas y aplicaciones de inteligencia artificial.

Hoja de ruta de memoria para IA: de HBM a PIM y almacenamiento empresarial

Samsung también presentó su última cartera de soluciones de memoria y almacenamiento para IA, que incluye HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM y PM1763, destacando su hoja de ruta para la computación de IA de próxima generación y la infraestructura de centros de datos.

Tras convertirse en la primera compañía de la industria en iniciar la producción en masa de HBM4 utilizando tecnologías 1c DRAM y un base die de 4 nanómetros (nm) el pasado mes de febrero, Samsung fue también la primera en comenzar el envío de muestras de HBM4E a clientes globales en mayo, reforzando así su liderazgo en memorias HBM de nueva generación.

Junto con sus muestras de HBM4E y un modelo de HBM5, la compañía presentó LPDDR5X-PIM, la primera memoria LPDDR de la industria con tecnología Processing-in-Memory (PIM). Esta nueva solución ha sido diseñada para realizar el procesamiento de datos dentro de la propia memoria, mejorando la eficiencia tanto del movimiento de datos como del consumo energético.

La exposición también incluyó las últimas soluciones de almacenamiento empresarial de Samsung, entre ellas PM1763 y BM1773, diseñadas para responder a las crecientes necesidades de almacenamiento de los centros de datos dedicados a la inteligencia artificial.

Soluciones integrales llave en mano

Como el único fabricante integrado de dispositivos (IDM) del mundo con capacidades líderes en memoria, foundry y encapsulado avanzado, Samsung presentó su estrategia integral para la infraestructura de IA de próxima generación, ofreciendo a sus clientes soluciones llave en mano capaces de responder a las necesidades cambiantes de la era de la inteligencia artificial.

Desde el diseño del producto hasta la producción en masa, Samsung ofrece servicios integrados de desarrollo y fabricación que ayudan a acortar los ciclos de desarrollo y optimizar el rendimiento y la eficiencia energética, permitiendo a los clientes llevar al mercado soluciones diferenciadas de semiconductores para inteligencia artificial con mayor rapidez.

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