El plan representa un aumento de 38 billones de wones con respecto al compromiso de inversión anterior, de 133 billones de wones, anunciado en abril de 2019, y se espera que ayude a la compañía a alcanzar su objetivo de convertirse en líder mundial en chips lógicos para 2030. Durante los últimos dos años, Samsung ha estado colaborando estrechamente con varias empresas de diseño de semiconductores, fabricantes de componentes y equipos, así como con el mundo académico, para conseguir ese objetivo.

La expansión de esta área de negocio de la compañía ayudará a impulsar industrias completamente nuevas basadas tecnologías de próxima generación como la Inteligencia Artificial, 5G y conducción autónoma.

La compañía también ha anunciado que ha comenzado la construcción de una nueva línea de producción en Pyeongtaek, Corea, que se espera que esté terminada en la segunda mitad de 2022. La instalación está equipada con la última tecnología, P3, para producir semiconductores lógicos DRAM de 14 nanómetros y de 5 nanómetros, ambos con tecnología de litografía ultravioleta extrema (EUV).

“Toda la industria de los semiconductores se enfrenta a un momento decisivo y ahora es el momento de trazar un plan de estrategia e inversión a largo plazo”, ha explicado el Dr. Kinam Kim, vicepresidente y director de la División de Soluciones de Dispositivos de Samsung Electronics. “Para el negocio de memorias, donde Samsung ha mantenido su posición de liderazgo indiscutible, la compañía continuará realizando inversiones para liderar la industria”.

Pyeongtaek será un centro líder para las innovaciones de próxima generación, como uno de los conglomerados de semiconductores más grandes del mundo.

Con 20 millones de píxeles activos y su tamaño de 0,8μm, el ISOCELL Slim 3T2 no solo proporciona una excelente claridad y detalle, también ofrece una alta fidelidad de color al adoptar la tecnología ISOCELL Plus de Samsung, que permite a los sensores capturar y absorber más información de la luz, para una reproducción precisa del color, incluso con píxeles de tamaño submicrométrico.

De cara a dar soporte a los smartphones con las últimas tecnologías en la pantalla, ya sea con “notch” o con la “pantalla perforada”, los sensores de imagen frontales deben minimizar su tamaño y al mismo tiempo poder capturar imágenes de alta calidad. El 3T2 de 1/3.4 pulgadas se ajusta cómodamente en un pequeño módulo que le da más espacio a la pantalla. Además, la tecnología Tetrapixel de Samsung, que combina cuatro píxeles para funcionar como uno solo, permite que el 3T2 tome fotografías más brillantes y nítidas en entornos de poca luz, así como aumenta la sensibilidad a la luz de la matriz de filtros de color igualando a la de un sensor de imagen de 1.6μm a 5Mp.

Cuando se incorpora en configuraciones de cámaras múltiples situadas en la parte posterior para soluciones de telefoto, el 3T2 adopta una matriz de filtros de color RGB en lugar de la tecnología Tetrapixel. El pequeño tamaño del sensor de imagen también reduce la altura del módulo de cámara en un 7% en comparación con el sensor de imagen de 20Mp de 1/3 de pulgada de Samsung, lo que permite diseños de smartphones más elegantes. En comparación con un sensor de 13Mp con la misma altura de módulo, el 3T2 de 20Mp conserva una resolución efectiva un 60% más alta con un zoom digital de 10x que ofrece resultados más claros y precisos.

Se espera que el Samsung ISOCELL Slim 3T2 esté en producción en serie en el primer trimestre de este año.

Durante el discurso de apertura del IEEE* International Electron Devices Meeting (IEDM) de 2018, el Dr. ES Jung, presidente y jefe de Foundry Business en Samsung Electronics, compartió su visión de que la próxima revolución industrial solo puede darse por la continua evolución de la tecnología de semiconductores.

En su presentación “Cuarta revolución industrial y fundición: desafíos y oportunidades”, el Dr. Jung explicó que la evolución de las tecnologías avanzadas de fundición será crucial para permitir el diseño y la fabricación de productos semiconductores innovadores que llevarán nuestra vida cotidiana hacia nuevas y desconocidas direcciones.

Las aplicaciones nuevas y emocionantes, como la inteligencia artificial, el cloud computing, los vehículos autónomos y el hogar inteligente, requieren tecnologías de alto nivel, incluyendo un diseño sofisticado y la optimización a nivel del sistema.

El Dr. Jung habló sobre las crecientes complejidades de la tecnología de semiconductores que han alterado el papel de la fundición de semiconductores, de ser un negocio de fabricación de obleas convencional a convertirse en un proveedor de soluciones totales. Hoy en día, las fundiciones ofrecen servicios de valor agregado, especialmente en las áreas de servicios de diseño e infraestructura, ingeniería de productos y empaquetado/pruebas.

Los semiconductores han evolucionado para ser más rápidos, tener más densidad y consumir menos energía, lo que permite desarrollar una amplia gama de nuevas e innovadoras aplicaciones. Además, para analizar las grandes cantidades de datos que estamos generando, y que continúan creciendo de manera exponencial, se tienen que desarrollar nuevas arquitecturas de memoria y nuevos esquemas informáticos, como por ejemplo la computación neuromórfica.

“Ninguno de estos avances tecnológicos hubiera sido posible sin la colaboración de toda la industria de los semiconductores“, enfatizó el Dr. Jung. “Esta colaboración es primordial entre el material, el equipo, los dispositivos electrónicos, el gobierno, las universidades, los centros de investigación y los consorcios, para garantizar el éxito en la próxima cuarta revolución industrial“.

Nuevos hitos tecnológicos

El Dr. Jung también presentó algunas de las investigaciones y desarrollos recientes en la futura tecnología de silicio, incluida la MRAM, una solución de memoria no volátil integrada en el proceso lógico convencional, y la tecnología Gate-All-Around (GAA) de 3nm.

MRAM es uno de los ejemplos de nuevos dispositivos semiconductores que consumen mucha menos energía. A medida que aumenta la densidad de memoria, la eficiencia de potencia de MRAM se hace más potente, ya que consume solo el 0.5% de la potencia en comparación con SRAM a 1,024Mb. MRAM también tiene un área de celda más pequeña, lo que le permite flexibilidad en el diseño.

La tecnología GAA única de Samsung, llamada Multi-Bridge-Channel FET(MBCFET) utiliza múltiples canales nanosheet apilados verticalmente. Con un ancho variable de nanosheet, esta tecnología proporciona no solo un rendimiento óptimo y características de potencia, sino también una gran flexibilidad de diseño. Además, MBCFET se fabrica utilizando el 90% o más del proceso FinFET con solo unas pocas máscaras revisadas, lo que permite una migración fácil.

Además, en uno de sus artículos recientemente publicados en 2018 IEDM, Samsung Electronics compartió el progreso de desarrollo de 3nm, una demostración exitosa de un circuito SRAM de alta densidad completamente funcional. El desarrollo del primer nodo de proceso de Samsung que aplica la tecnología MBCFET está programado.

Para más información, por favor consulte https://www.samsungfoundry.com

* IEEE (Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos) es una de las asociaciones de profesionales técnicos más grandes del mundo dedicada al avance de las tecnologías, incluida la ingeniería electrónica, las telecomunicaciones y la ingeniería informática. Ieee.org