La cérémonie de signature a eu lieu à Pyeongtaek, en Corée, dans le centre de fabrication de puces le plus avancé de Samsung. Lisa Su, présidente et directrice générale d’AMD, ainsi que Young Hyun Jun, vice-président et PDG de Samsung Electronics, étaient tous deux présents.

« Samsung et AMD partagent la volonté de développer l’IA informatique, et cet accord reflète la portée élargie de notre collaboration, » a déclaré Young Hyun Jun. « Des solutions HBM4 aux architectures de mémoire nouvelle génération, en passant par une fonderie de pointe et un packaging avancé, Samsung occupe une position unique pour fournir à AMD des capacités qui soutiennent ses objectifs dans le domaine de l’IA. »

« Propulser la prochaine génération d’infrastructures intelligentes demande de collaborer étroitement avec nos partenaires, » a déclaré Lisa Su, PDG d’AMD. « Nous sommes ravis d’enrichir notre collaboration avec Samsung en associant leur expertise en matière de mémoire à nos GPU Instinct, nos processeurs EPYC et nos plateformes rack-scale. L’intégration à tous les niveaux de la pile, du silicium au système en passant par le rack, est essentielle pour accélérer le développement de l’IA et créer un impact à grande échelle. »

Dans le cadre de cet accord, Samsung et AMD s’aligneront sur l’approvisionnement en HBM4 pour l’accélérateur IA d’AMD, le GPU AMD Instinct MI455X, ainsi que sur des solutions DRAM avancées pour les processeurs EPYC de 6^ème génération (nom de code « Venice »). Ces technologies sont conçues pour prendre en charge les systèmes d’IA futurs, qui combinent des GPU AMD Instinct, des processeurs AMD EPYC et des architectures rack-scale telles que AMD Helios.

Samsung et AMD collaborent étroitement sur des technologies de mémoire qui soutiennent l’IA et les centres de données. La bande passante mémoire et l’efficacité énergétique étant plus que jamais critiques pour soutenir les performances du système, cette collaboration permettra de développer une infrastructure d’IA optimisée.

Entrée en production de masse en première mondiale, la technologie HBM4 de Samsung repose sur son procédé DRAM 6^ème génération de 10 nanomètres le plus avancé (1c) et une puce logique de base de 4 nm. Celle-ci permet d’atteindre des vitesses de traitement allant jusqu’à 13 gigabits par seconde, ainsi qu’une bande passante maximale de 3,3 téraoctets par seconde – des performances qui vont largement au-delà des normes du secteur.

Grâce aux performances, à la fiabilité et à l’efficacité énergétique de la HBM4 de Samsung, le GPU AMD Instinct MI455X s’impose comme la solution optimale pour les systèmes traitant l’entraînement et l’inférence des modèles d’IA.

Le GPU MI455X est un composant clé de l’architecture rack-scale AMD Helios, conçue pour offrir les performances et l’évolutivité nécessaires aux infrastructures d’IA futures.

Dans le cadre de leur collaboration, Samsung et AMD travailleront également sur une solution DDR5 optimisée pour les processeurs AMD EPYC de 6^ème génération. Les deux entreprises envisagent de fournir des solutions DDR5 de pointe pour les systèmes basés sur l’architecture rack-scale AMD Helios.

Elles exploreront également des opportunités de partenariat en matière de fonderie, qui permettraient à Samsung de fournir ses services de fonderie aux produits AMD de nouvelle génération.

Samsung et AMD collaborent depuis près de 20 ans dans les domaines des technologies graphiques, mobiles et informatiques. Principal partenaire HBM3E d’AMD, Samsung équipe notamment ses derniers accélérateurs d’IA : Instinct MI350X et MI355X.

▲ Young Hyun Jun, vice-président et PDG de Samsung Electronics (à gauche), et Lisa Su, présidente-directrice générale d’AMD, posent avec le protocole d’accord (MOU) à l’issue de la cérémonie qui s’est déroulée le 18 mars 2026 dans le complexe de fabrication de puces le plus moderne de Samsung, situé à Pyeongtaek, en Corée.

▲ Young Hyun Jun, vice-président et PDG de Samsung Electronics (à gauche), et Lisa Su, présidente-directrice générale d’AMD, posent avec le protocole d’accord (MOU) à l’issue de la cérémonie qui s’est tenue le 18 mars 2026 dans le complexe de fabrication de puces le plus avancé de Samsung, à Pyeongtaek, en Corée.

▲ La présidente-directrice générale d’AMD, le Dr Lisa Su, observe une ligne de production de semi-conducteurs de pointe lors d’une visite guidée de l’usine de fabrication de puces la plus moderne de Samsung à Pyeongtaek, en Corée, le 18 mars 2026.

À propos d’AMD
AMD (NASDAQ : AMD) est à la pointe de l’innovation dans le domaine du calcul haute performance et de l’IA afin de relever les défis les plus importants de notre temps. Aujourd’hui, la technologie AMD propulse des milliards d’expériences en matière d’infrastructures cloud et IA, de systèmes embarqués, de PC intelligents et de jeux vidéo. Avec une large gamme de processeurs, de cartes graphiques, de solutions réseau et de logiciels optimisés pour l’IA, AMD propose un éventail complet de solutions d’IA qui assurent les performances et l’évolutivité nécessaires pour relever les défis de l’informatique intelligente. Pour en savoir plus, consulter www.amd.com

Au cœur de la présentation de Samsung à la NVIDIA GTC 2026 figure la mémoire à large bande passante de sixième génération HBM4, désormais en production de masse et conçue pour la plateforme NVIDIA Vera Rubin. La HBM4 de Samsung devrait accélérer le développement des futures applications d’IA, en offrant des vitesses de traitement constantes de 11,7 gigabits par seconde (Gbps), supérieures au standard du secteur fixé à 8 Gbps, avec un potentiel d’extension jusqu’à 13 Gbps.

Grâce à son procédé DRAM de sixième génération de classe 10 nanomètres (1c), parmi les plus avancés, Samsung a atteint des rendements stables et des performances de premier plan. La HBM4E de nouvelle génération, offrant 16 Gbps par broche et une bande passante de 4,0 téraoctets par seconde (TB/s), sera également présentée pour la première fois lors de la GTC 2026.

Les visiteurs pourront également découvrir la technologie de liaison hybride cuivre (HCB) de Samsung, une nouvelle méthode permettant aux futures HBM d’atteindre 16 couches ou plus tout en réduisant la résistance thermique de plus de 20 % par rapport à la technologie de compression thermique (TCB).

Une alliance pour faire passer l’ère de l’IA au niveau supérieur

La collaboration étroite entre Samsung et NVIDIA sera mise en avant dans un espace dédié, le « NVIDIA Gallery », présentant une large gamme de technologies de pointe de Samsung, telles que la HBM4, la SOCAMM2 et le SSD PM1763, conçues pour les infrastructures d’IA NVIDIA.

Répondant aux besoins d’efficacité maximale et de scalabilité des systèmes d’IA, la SOCAMM2 de Samsung, basée sur une DRAM basse consommation, constitue un module mémoire serveur optimal offrant une bande passante élevée et une intégration flexible pour les infrastructures d’IA de nouvelle génération. La SOCAMM2 est actuellement en production de masse, une première dans l’industrie.

Conçu pour les solutions de stockage IA de nouvelle génération, le SSD PM1763 de Samsung repose sur la dernière interface PCIe 6.0, permettant des transferts de données rapides et de grandes capacités. Les performances de pointe du PM1763 seront démontrées sur des serveurs fonctionnant avec le modèle de programmation NVIDIA SCADA.

Dans le cadre de la nouvelle architecture de référence NVIDIA BlueField-4 STX pour les infrastructures de stockage accéléré de la plateforme Vera Rubin, le SSD PM1753 de Samsung illustrera son rôle dans l’amélioration de l’efficacité énergétique et des performances système pour les charges de travail d’inférence.

Une architecture mémoire pour une production intelligente à grande échelle

Samsung présentera également sa collaboration avec NVIDIA autour du développement des AI Factory lors de la GTC 2026. Cette initiative inclut l’intégration du calcul accéléré NVIDIA afin de déployer à grande échelle ses usines intelligentes et d’accélérer la fabrication basée sur des jumeaux numériques, en s’appuyant sur les bibliothèques NVIDIA Omniverse. Cette collaboration alimente l’une des infrastructures de fabrication de puces les plus complètes au monde, couvrant la mémoire, la logique, la fonderie et l’assemblage avancé.

Par ailleurs, Yong Ho Song, vice-président exécutif et directeur du centre IA de Samsung Electronics, détaillera cette collaboration stratégique lors de sa conférence le 17 mars 2026. Intitulée « Transformer la fabrication des semi-conducteurs grâce à l’IA agentique, de la conception à l’ingénierie en passant par la production », cette session présentera l’usine intelligente de Samsung et des cas d’usage concrets illustrant comment l’IA et les jumeaux numériques transforment la fabrication des semi-conducteurs, notamment grâce à des avancées en conception électronique assistée par ordinateur (EDA) et en lithographie computationnelle.

Une mémoire optimisée pour l’intelligence embarquée

Les solutions mémoire de Samsung offrent également une efficacité maximale pour les charges de travail d’IA locales sur les appareils personnels. Lors de la GTC 2026, Samsung présentera des solutions optimisées pour les supercalculateurs IA personnels, notamment les NAND PM9E3 et PM9E1 destinées au NVIDIA DGX Spark.

Samsung exposera également ses solutions DRAM LPDDR5X et LPDDR6, conçues pour une intégration fluide dans les smartphones premium, tablettes et objets connectés. Ces solutions offrent des débits de données plus rapides et une latence réduite. La LPDDR5X atteint des vitesses allant jusqu’à 25 Gbps par broche tout en réduisant la consommation d’énergie jusqu’à 15 %, permettant des expériences mobiles ultra-réactives, des jeux haute résolution et des applications enrichies par l’IA sans compromettre l’autonomie.

Dans cette continuité, la LPDDR6 pousse encore plus loin la bande passante, avec des performances évolutives de 30 à 35 Gbps par broche. Elle introduit également des fonctionnalités avancées de gestion de l’énergie, telles que l’ajustement adaptatif de la tension et le contrôle dynamique du rafraîchissement, offrant ainsi les performances nécessaires aux charges de travail d’IA en périphérie de nouvelle génération.