시간과 장소에 구애받지 않고, 그리웠던 순간들과 멀리 떨어져 있는 친구들의 현재를 언제 어디에서라도 꺼내어 볼 수 있는 건 바로 스마트폰이나 데이터센터에 들어가 있는 낸드플래시 메모리 반도체 덕분이다.

딱딱한 사전적 의미 이면에 낸드플래시는 어쩌면 우리에게 일상의 희로애락을 기록해 둔 삶의 일지이자, 추억 앨범일 수도 있다. 반도체 업계에서 낸드플래시 개발을 책임지는 기술인으로서, 우리들의 행복한 추억이 선명하고 오래 간직될 수 있도록 치열하게 고민하고 있는 우리의 노력과 앞으로의 포부를 소개하고자 한다.

▲ 삼성전자 V7 SSD 이미지컷

미지의 3차원 수직구조 시대를 개척한 삼성전자

우주의 역사를 1년으로 볼 때 인류의 역사는 고작 마지막 14초에 불과하며, 태양과 지구가 그 중심이 아니고 1,700억 개 이상의 은하계가 계속 확장되는 것으로 알려져 있다. 이와 같은 우주의 신비는 반도체에도 그대로 묻어나 있다.

손톱보다도 작은 반도체 칩을 전자현미경으로 들여다보면 그 안에 하나의 도시가 자리 잡고 있다. 1mm 두께 안에 100층 이상의 건물을 지어 올리기도 하고, 반대로 지하로 파고들어 수백만 개의 공간을 만들고 데이터를 저장하고 있는 것이다.

데이터를 저장하는 용도의 낸드플래시 메모리는 과거에는 평면상에서 칩을 작게 구현하는 2차원 구조였다. 그러나 한정된 공간에 수많은 데이터를 담아야 하기 때문에 기존의 2차원 구조는 한계에 부딪혔다.

이에 삼성전자는 고심 끝에 수직으로 쌓아 올린 3차원 공간에 구멍을 내어 각 층을 연결하는 제품, 이른바 ‘V(Vertical) 낸드’를 세계 최초로 개발하게 된 것이다.

2013년 첫선을 보였던 3차원 V낸드는 당시 수십 년 간 당연한 것처럼 여겨졌던 전통적인 2차원 방식에서 완전히 벗어난 새로운 패러다임이었다. 평평한 대지에 집을 짓고 살았던 사람들이 인구가 늘어나게 되자 아파트를 짓고 살게 된 것과 같은 이치다.

삼성전자만의 명품 V낸드

2013년 당시 혁신이었던 3차원 수직 구조의 V낸드는 이제 반도체 업계의 표준처럼 보편화된 기술이 됐다.

24단부터 시작된 V낸드의 단수는 현재 200단에 근접해 있다. 그동안 V낸드는 단수를 높여가며 진화해왔다. 하지만 무조건 쌓는 것만이 전부는 아니다. 예를 들어 아파트를 지을 때 층수가 높은 고층 아파트라고 해서 무조건 명품 아파트라고 할 수는 없는 것이다.

높지만 튼튼해야 하며, 높을수록 안전한 고속 엘리베이터를 이용해 출입도 쉽게 해야 한다. 층간소음도 고려해야 할 문제이고, 고도제한이란 게 있기 때문에 무한정 높게만 지을 수도 없을 것이다.

V낸드도 마찬가지다. 층수는 비슷하지만 안을 자세히 들여다보면 미세한 차이들이 있다. 반도체 세계에서는 미세한 차이가 어마어마한 결과를 낳는다.

업계 최소 셀 크기-압도적 싱글스택 에칭 기술력··· ‘단수는 높이고, 높이는 줄이고, 간섭은 최소화’

다시 시간을 돌려 2013년으로 돌아가 보자.

삼성전자는 2차원 평면 구조의 한계를 극복하기 위해 3차원으로 셀을 쌓아 올렸다. 당시에는 단수가 낮았기 때문에 높이에 대한 고민이 필요 없었다. 하지만 고집적, 고용량에 대한 요구로 단수가 높아지면서, 제약이 없을 것 같았던 높이도 물리적 한계를 고려해야 하는 상황이 도래했다.

우리는 한발 앞서 이러한 고민을 시작하고, 해결책을 모색해 왔다. 삼성전자의 7세대 176단 V낸드는 업계의 100단 초반대 6세대급 V낸드와 높이가 비슷하다. 이것이 가능한 이유는 삼성전자가 업계 최소의 셀 크기를 구현했기 때문이다.

3차원 스케일링(3D Scaling) 기술을 통해 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시켜, 체적을 최대 35%까지 줄였다. 셀의 체적을 줄이면서 생길 수 있는 셀간 간섭현상도 제어했다.

즉 같은 단수를 보다 낮게 구현할 수 있어, 향후 높이의 물리적 한계를 극복할 수 있는 기반 기술을 확보했다.

또 업계에서 유일하게 한 번에 100단 이상을 쌓고 십억개가 넘는 구멍을 뚫을 수 있는 싱글스택 에칭 기술력을 갖췄다. 즉 작은 셀 크기와 압도적인 싱글스택 에칭 기술력을 기반으로, 향후 수백단 이상의 초고단 V낸드를 한발 앞서 구현할 수 있는 기술력을 확보하고 있다.

하반기 7세대 V낸드··· 200단 넘는 8세대 동작칩도 확보

업계 최소 셀 사이즈의 7세대 V낸드가 적용된 소비자용 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 제품이 올해 하반기에 첫 출시가 될 계획이다. 최대 2.0Gbps 입출력(I/O) 성능의 7세대 V낸드는 4세대 PCIe 인터페이스(PCIe Gen 4) 뿐만 아니라, 향후 5세대(PCIe Gen 5)까지 성능 요구를 만족시킬 것으로 기대된다. 또 6세대 대비 한층 강화된 성능으로 3D 모델링, 영상편집 등 대용량 워크로드의 작업을 동시에 처리하는, 멀티태스킹 환경에 최적의 솔루션을 제공할 계획이다.

뿐만 아니라 데이터센터용 SSD에도 7세대 V낸드를 빠르게 확대 적용하려고 한다. 또 저전력 솔루션을 기반으로 이전 세대 대비 전력효율을 16% 끌어올려, 데이터센터를 운영하는 기업들이 전력을 줄이는 동시에 지구환경에 기여할 수 있도록 한다는 방침이다.

또 이미 200단이 넘는 8세대 V낸드 동작 칩을 확보한 상황으로, 시장 상황과 고객들의 요구에 따라 적기에 제품을 선보일 수 있도록 만반의 준비를 하고 있다.

미세한 기술력의 우위가 결국 고객에게 차별화된 가치를 제공하고 시장은 이를 통해 역시 삼성전자임을 인정할 것으로 믿고 있다.

삼성전자 V낸드의 미래, 1000단 이상을 바라본다

반도체산업에서 우연은 없다. 미지의 기술을 세계 최초로 얻어내기 위해서는 시간은 물론, 엄청난 자본과 투자가 필요하다. 오늘의 삼성전자가 인고의 시간을 겪고 세계 1등이 된 것은, 어제보다 행복한 일상을 가능하게 하겠다는 열정과 혼, 사명감이 있었기 때문이다.

평면의 한계를 극복하기 위해 10년 이상의 오랜 연구 끝에 2013년 첫 V낸드를 선보였듯이 우리는 3차원 스케일링 기술을 통해 언젠가 마주하게 될 높이의 한계를 가장 먼저 극복할 것이다.

미래 1,000단 V낸드 시대에도 삼성전자의 V낸드는 혁신적인 기술력을 기반으로 업계 최고의 신뢰성을 갖는 제품으로 계속 진화해 나갈 것이다.

확장 현실의 새로운 패러다임, 반도체 역할 더욱 커질 것

세상은 기술의 발달로 ‘확장 현실(XR, eXtended Reality)’의 새로운 패러다임으로 가고 있는 가운데 코로나19로 인해 확장 현실이 일상이 될 시기는 점점 당겨지고 있다. 현실과 가상의 구분이 모호해지거나 겹쳐져, 생활방식 자체가 바뀌는 시대에 접어든 것이다. 앞으로 IT 기기와 기술은 지금까지와 전혀 다른 차원의 새로운 접근 방식을 필요로 할 것이다. 이를 위한 반도체의 역할은 그 어느 때보다 중요해진다는 이야기가 된다.

미래 반도체 경쟁에서 확실한 기술 우위를 바탕으로 혁신적인 제품을 시장에 선보임으로써, 행복한 사회를 구현하기 위해 부단히 노력할 것이다.

삼성전자는 5월 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했으며, 2021년 하반기 양산을 시작할 계획이다.

이번 투자는 AI, IoT 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드수요 확대에 대응하기 위해서다.

특히 최근 ‘언택트’ 라이프스타일 확산으로 이런 추세가 더욱 가속될 것으로 예상되는 가운데, 삼성전자는 적극적인 투자로 미래 시장 기회를 선점해 나간다는 전략이다.

지난 2015년 조성된 평택캠퍼스는 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로서 세계 최대규모의 생산라인 2개가 건설됐다. 이번 투자로 증설된 라인에서는 삼성전자의 최첨단 V낸드 제품이 양산될 예정이다.

삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라 현재까지 18년 이상 독보적인 제조, 기술경쟁력으로 글로벌 시장 리더의 자리를 지키고 있으며 지난 해 7월 업계 최초로 6세대(1xx단) V낸드 제품을 양산한 바 있다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 “이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력”이라며 “최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가 경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것”이라고 밝혔다.

삼성전자는 국내에는 화성과 평택, 해외에는 중국 시안에 낸드플래시 생산라인을 운영 중이며 국내외 균형 있는 투자를 통해 안정적인 글로벌 공급망을 유지하고 시장리더십을 더욱 강화할 예정이다.

▲ 평택캠퍼스 P2 라인 전경

삼성전자는 지난 2월 프리미엄 스마트폰용 초고속 ‘UFS(Universal Flash Storage)’ 메모리를 선보인 데 이어 내장스토리지 표준 규격인 ‘eMMC 5.0’을 적용해 고성능 3비트 내장 메모리를 출시했습니다.

최근 프리미엄 스마트폰들의 내장 메모리는 128기가바이트로 빠르게 전환되는 상황인데요. 이번 스마트폰용 대용량 내장 메모리 출시와 함께 소비자들은 업계 최대 용량의 스마트폰을 더욱 쉽게 만나볼 수 있게 됐습니다. 삼성전자의 양산을 계기로 128기가 메모리 탑재 비중이 크게 늘어날 것으로 예상되기 때문입니다.

▲3비트 낸드플래시 기반 128기가바이트 스마트폰용 내장 메모리 

삼성전자는 향후 128기가바이트 내장 메모리 라인업을 통해 모바일 메모리 시장의 성장세를 더욱 높여나갈 예정인데요. 뿐만 아니라 3비트 낸드플래시 사업 영역을 기존 SSD 시장에서 모바일 기기용 내장 메모리 시장까지 더욱 확대할 전략입니다.

이번에 출시한 128기가바이트 스마트폰용 내장 메모리는 기존 고성능 메모리카드(90MB/s)보다 3배 가까이 빠른 초당 260메가바이트의 연속 읽기 속도를 구현했습니다.

또 메모리카드 대비 10배 빠른 5000 IOPS(Input Output Per Second)의 임의 쓰기 속도와 4배 빠른 6000 IOPS의 임의 읽기 속도로 표준형 스마트폰에 최적화된 성능을 지원하는데요. 이는 고해상도 동영상과 멀티태스킹 작업도 원활하게 처리할 수 있습니다.

“삼성전자는 3비트 내장 메모리 라인업으로 모바일 기기의 메모리 고용량화 트렌드를 주도할 것입니다. 향후 성능과 용량을 더욱 높인 차세대 라인업을 선보여 모바일 고객사의 수요 증가에 차질 없이 대응해 나가겠습니다.”

-이정배 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 전무

오랫동안 정체된 HDD(Hard Disk Drive) 시장의 대안으로 메모리의 새로운 패러다임으로 떠오른 SSD(Solid State Drive). 삼성전자의 SSD는 전 세계 소비자에게 그 품질을 인정받아 시장점유율 1위를 기록하고 있습니다. 

특히, 삼성전자 SSD는 까다로운 품질 기준을 바탕으로 고객 친화적인 기술력을 확보해 다양한 솔루션을 제품에 도입했습니다. 제품에 새로운 가치를 부여하며 고객과의 접점에서 일하고 있는 TP(Test & Package)센터에 삼성전자 LiVE가 찾아갔습니다.

SSD! 소비자의 마음을 꿰뚫어보다!

삼성전자의 SSD는 정확도 높은 공정, 까다로운 테스트 등을 통해 혁신적인 품질을 유지하며 시장 1위를 달리고 있는데요. 바로 ‘소비자의 니즈를 충족’시키고자 하는 가장 기본적이며 핵심적인 가치로부터 솔루션이 도입되고 있다는 사실을 아시나요?

가족, 친구, 연인과 함께 촬영한 사진이 날아간다면? 정말 속상하겠죠. SSD는 이용자의 소중한 추억과 자료를 담는 하나의 장비이기 때문에 데이터를 읽고 쓰는 과정이 원활할 수 있도록 최상의 품질을 제공하고 있습니다.

또한, 초고속 반도체로 만들어 부팅, 로딩 시간 등은 기존 HDD보다 10배 이상 빠른 속도를 내며, 전자의 양으로 기록하는 방식이기 때문에 발열이 작으며 큰 충격에도 강한 내구성을 갖고 있습니다.

삼성전자가 보유한 핵심 기술을 일괄생산체제로!

삼성전자 SSD의 인쇄 배선 회로 기판(PCB:Printed Circuit Board)에는 주요 부품 3가지, 컨트롤러(Controller), SDRAM(Sync. DRAM), 낸드플래시(NAND Flash)가 들어가는데요. 이 세 가지 부품은 삼성전자의 핵심 기술이 집약된 제품입니다. 주요 부품의 장점들이 결합되어 보다 빠르고 강한 SSD를 완성해내는 것이죠.

SSD의 성능이 진화하는 바탕에는 높은 기술력과 품질 수준이 있습니다. 초창기 손으로 하던 작업들은 모두 자동화되어 제품 성능 및 품질력을 높이고, 생산성을 향상시켜 전 세계 소비자에게 전달되고 있습니다. 

제품 생산에 참여하는 현장의 엔지니어가 느끼는 자부심도 대단했는데요.

황형모 책임

혁신을 통해 기술력 향상을 이루고자 노력하고 있습니다. 팀원들로부터 나온 다양한 아이디어를 적용해 혁신의 제품을 완성하고자 합니다. SSD 마켓은 점점 커질 것이며, 최고의 기술을 바탕으로 삼성전자는 SSD 시장의 선두에서 소비자에게 가치를 제공한다는 각오로 일합니다.

까다로운 품질 기준으로 최고의 SSD 완성

최상의 품질을 지닌 SSD를 소비자에게 제공하기 위한 SSD 공정 과정의 노력은 까다로운 기준의 특성검사와 외관검사를 통해 완성됩니다. 

특성검사는 SSD에 탑재된 반도체의 기능적인 측면을 바탕으로 이뤄집니다. 데이터를 읽고 쓰는 테스트뿐만 아니라, 온도나 전압, 전류 등 다양한 조건의 필드 테스트를 소비자의 사용환경에서 발생할 수 있는 다양한 요인을 적용해 수백 번에서 수천 번 진행한다고 하는데요. 삼성전자 SSD의 까다로운 테스트 기준은 최고의 제품을 만들어 내는 원동력이 됩니다.

또한, 소비자가 상품의 포장을 뜯었을 때, 찍힘, 깨짐, 긁힘 등이 없도록 외관 검사를 실시하는데요. 작은 차이가 제품의 완성도를 높이는 길이라고 합니다. 

윤상철 팀장

’삼성전자가 만든 SSD는 최고의 품질을 갖고 있다’고 소비자들이 느낄 수 있도록 제품을 만들고 있습니다. 고객 접점에서 시장을 리드하고, 기술을 구축하여 제품의 안전성을 확보하는 고객 친화적인 기술력을 확보해 소비자와 소통하고 있습니다. 내부적으로는 조직원들의 자부심과 긍지를 비롯한 핵심 역량을 가져가고, 외부적으로는 제품 완성도 및 속도를 높여 소비자의 니즈에 맞춰 제품을 출하하는 등의 노력을 기울이고 있습니다.

삼성전자의 SSD는 오늘도 소비자가 상상하는 혁신의 속도로 진화하고 있습니다.

삼성전자가 중국 산시(陝西)省 시안(西安)市에 차세대 낸드 플래시 메모리 반도체 생산라인 건설을 시작했습니다. 

시안(西安)市 고신공업개발구내 부지에서 기공식 개최

삼성전자는 9월 12일 중국정부를 대표한 자오러지(赵乐际) 산시성 서기, 한국정부를 대표한 이규형 주중대사와 지경부 윤상직 차관 그리고  권오현 대표이사를 비롯한 삼성전자 경영진이 참석한 가운데 ‘삼성중국 반도체’ 생산단지 건설을 알리는 기공식 행사를 가졌습니다.  

이 날 행사에서 리커창(李克强) 중국 국무원 부총리는 축하 서신을 통해 “이번 10나노미터급 플래시메모리 프로젝트는 한국과 중국, 양국의 강점을 살려 정보산업 분야의 긴밀한 협력을 통해 이룩한 중요한 성과”라고 말했습니다.  

또한, 권오현 대표이사는 환영사를 통해 “한중 수교 20주년을 맞아 첨단 과학과 교육의 도시인 시안(西安)에서 기공식을 갖게 되어 영광입니다. 삼성전자는 메모리산업에서 세계 1위 자리를 유지해 왔으며 향후에도 ‘삼성중국 반도체’를 통해 최고의 제품으로 인류사회에 공헌할 것”이라고 밝혔습니다. 

차세대 10나노급 낸드 플래시 생산라인 건설

삼성전자의 시안(西安) 공장은 초기 투자금액 23억불, 총 투자 규모 70억불로 ’14년부터 첨단 10나노급 낸드플래시 메모리를 생산 할 계획입니다. 이번 투자는 삼성의 중국 투자 중 역대 최대 규모입니다.  

시안(西安)은 중국에서 1,000년 이상 동안 수도였던 역사 깊은 도시로 중국정부가 추진하는 서부대개발의 과학기술 중심도시로 꼽히는데요. 반도체 생산라인 운용에 필요한 산업 용수와 전기 공급이 원활하고 글로벌 IT기업의 생산 중심지 및 연구 거점으로 성장하고 있어, 향후 삼성전자가 글로벌 오퍼레이션을 강화하는데 최적의 장소로 평가 받았습니다.  

또한 시안(西安)에는 37개의 대학교와 3,000여개의 연구 기관이 위치하고 있어, 반도체 산업에서의 핵심인 우수인재 확보에도 용이한 것으로 알려졌는데요.

삼성전자는 이미 11일 시안(西安)시에 위치한 서북공대와 MOU를 체결하여 반도체 관련 학과의 우수 학생들에게 장학금을 지급하고 국내 대학과의 교류를 지원하는 등 우수 인재 양성을 위한 노력을 시작했습니다. 

160여개 국내외 협력사 중국 진출을 통한 동반성장 기대

삼성전자는 작년 화성 16라인을 준공한지 1년 만에 시안 생산 라인 건설에 착수함으로써 국내•외 균형있는 투자를 지속하고 있는데요. 9월 11일 산시(陝西)성에서 유치한 투자환경설명회에도 많은 삼성전자의 협력사가 참여하는 등 이번 삼성전자의 투자를 통해 160여개의 협력사들이 중국에 진출을 할 수 있는 계기가 마련 되었습니다. 
 

이번 삼성전자의 중국 진출은 미국 오스틴 공장에 이은 두 번째 해외 진출로 글로벌 IT 기업들의 주요 거점이자 최대 시장인 중국과 미국에 생산단지를 구축함으로써 향후 안정적인 생산체계 구축으로 시장변화에 보다 빠르게 대응할 수 있을 것입니다.

☞ [SMNR]삼성전자, 세계 최고 속도 낸드플래시 양산

IT기기에서 데이터 저장 능력은 얼마나 중요할까요? 우리는 휴대폰, 노트북 등 IT기기를 24시간 사용하면서 음악, 사진 등 많은 콘텐츠를 저장합니다. 이밖에도 우리가 스마트폰, 태블릿PC, MP3, 노트북 등 IT기기를 쓰다가 배터리가 부족해 전원이 꺼지는 경우가 종종 있지요? 이때 IT기기에 담긴 데이터는 사라지지 않고 그대로 저장돼 있습니다. 여기서 데이터를 저장하고 삭제할 수 있는 기능을 하는 부품이 바로 낸드플래시입니다.

낸드플래시 사양에 따라 데이터 속도에도 차이가 있는데요. 그래서 IT기기에 어떤 사양의 낸드플래시
를 적용하느냐에 따라 데이터 속도 및 저장 기능 능력이 달라집니다. 특히 전세계적으로 스마트폰, 태블릿PC 등 스마트기기가 인기를 끌면서, 사진, 음악 등 콘텐츠 저장능력은 더욱 중요한 역할을 합니다. 이때 낸드플래시 시장에서 선도적인 역할을 해온 업체가 바로 삼성전자입니다.

   모바일기기 데이터 처리 속도 획기적 상향

삼성전자가 스마트폰, 태블릿PC, 게임기, MP3 등 모바일기기와 단말기기의 데이터 처리 속도를 획기적으로 끌어올리는 반도체를 대량 생산합니다. 삼성전자는 업계 최초로 낸드플래시 제품 중 데이터 처리 속도가 가장 빠른 고속 낸드플래시를 출시했습니다. 이번에 출시한 세계 최고 속도의 MLC 낸드플래시는 업계 규격인 Toggle DDR 2.0을 적용해 20나노(1나노 : 10억 분의 1미터) 공정으로 양산됩니다. 데이터 처리 속도는 400Mbps(Mega bit per second)입니다. 데이터 처리 속도가 기존 범용 제품에 비해 최고 10배, 고급 사양 제품과 비교해서는 3배나 빨라졌습니다. 
 

낸드플래시의 처리속도는 현재 모바일기기 등에 적용되고 있는 SDR 방식의 범용 낸드플래시의 의 경우 40Mbps이고, Toggle DDR(Click) 1.0 방식의 낸드플래시 제품은 133Mbps입니다. 이 점을 고려하면 새롭게 양산, 출시되는 낸드플래시는 스마트 모바일 기기의 인터페이스 기능에 획기적으로 기여할 수 있을 것입니다. 특히 64Gb Toggle DDR 2.0 MLC 낸드플래시는 기존 제품에 비해 속도가 두 배 이상 빨라지는 USB 3.0, SATA(Serial Advanced Technology Attachment) 6Gbps 등의 차세대 인터페이스를 적용, 고성능ㆍ대용량 제품에 가장 적합한 낸드플래시 솔루션입니다. 삼성전자는 앞으로 갤럭시탭, SSD 등 다양한 제품에 새로 출시한 낸드플래시를 적용할 계획입니다. 그 제품이 벌써부터 기대되지 않으세요? ^^ 

삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 홍완훈 부사장은 “삼성전자는 이번 고속 낸드플래시 양산을 통해, 4세대 스마트폰, 태블릿PC, 6.0Gbps SSD 등 비약적으로 성장하는 신제품 시장을 이끌 계획이다”며 “앞으로도 초고속ㆍ대용량 차세대 Toggle DDR(Click) 낸드플래시 솔루션을 원활히 공급해 소비자들이 더욱 향상된 모바일 제품을 활용할 수 있도록 하겠다”고 전했습니다. 

  낸드플래시 시장 2012년까지 75% 폭풍 성장

낸드플래시 시장은 스마트폰, 태블릿PC 시장이 급성장함에 따라 낸드플래시 시장도 폭풍 성장할 전망입니다. 금년 하반기부터 스마트폰, SSD, 메모리 카드 등을 생산하는 업체들이 64Gb 고속 낸드플래시를 기반으로 고성능ㆍ대용량의 제품을 다양하게 출시할 것으로 예상됩니다.
 

▲반도체 시장조사기관인IHS아이서플라이(Click)는 올해 낸드플래시 시장 규모를 지난해 대비 18% 성장하는 220억달러 규모로예측했다. 시장규모에 동반한 낸드플래시 비트 성장률은 72%. 193기가바이트까지 늘어날 것으로 전망이다.

세계 낸드플래시 시장은 수량 기준으로 2010년부터 2015년까지 연평균 54%의 성장세를 보일 전망입니다.

                                                 낸드플래시 시장 전망(iSuppli,2011.1Q)

                                                                                                                              [Million units]

이에 따라 64Gb 이상의 제품 비중도 2010년 3%에서 2012년 약 70%로 높아지면서, 큰 성장세를 보일 것으로 전망됩니다.

    
                             낸드플래시 제품 용량별 비중(iSuppli, 2011.1Q)

                                                                                                    [bit 기준]