이 라인에서는 업계 최초로 EUV(Extreme Ultraviolet, 극자외선) 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램이 생산된다.

□ D램, 낸드, 파운드리까지 생산하는 세계 최대 반도체 생산 라인

삼성전자의 평택 2라인은 연면적이 12만 8900㎡(축구장 16개 크기)에 달하는 세계 최대규모의 반도체 생산라인이다.

평택 2라인은 이번 D램 양산을 시작으로 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품까지 생산하는 첨단 복합 생산라인으로 만들어져 4차 산업 혁명 시대의 반도체 초격차 달성을 위한 핵심적인 역할을 할 예정이다.

삼성전자는 평택 2라인에 지난 5월 EUV 기반 최첨단 제품 수요에 대비하기 위한 파운드리 생산라인을 착공했으며, 6월에는 첨단 V낸드 수요 확대에 대응하기 위한 낸드플래시 생산라인도 착공했다. 두 라인 모두 2021년 하반기부터 본격 가동할 예정이다.

이번 평택 2라인은 지난 2018년 8월에 발표한 180조원 투자, 4만명 고용 계획의 일환으로 건설된 것으로 삼성전자는 어려운 여건 속에서도 신규투자와 채용을 적극 확대하고 있다.

이에 따라 평택 1라인에 이어 이번 평택 2라인에도 총 30조원 이상의 대규모 투자가 집행된다. 직접 고용하는 인력은 약 4천 명으로 예상되고 협력사 인력과 건설인력을 포함하면 약 3만명 이상의 고용창출이 기대된다.

지난 2015년부터 조성된 평택캠퍼스는 289만㎡의 부지를 가진 삼성전자의 차세대 반도체 전초기지다. 평택 1라인은 2017년 6월 양산을 시작했으며, 평택 2라인은 2018년 1월 착공되어 이번에 처음으로 D램 제품을 출하했다.

삼성전자는 평택캠퍼스에 대한 적극적인 투자로 미래 반도체 시장 기회를 선점해 나갈 계획이다.

□ 차세대 스마트폰 시장 선점할 최첨단 EUV D램 본격 양산

평택 2라인에서 이번에 출하된 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산제품으로는 처음 EUV 공정이 적용되었으며, 역대 최대 용량과 최고 속도를 동시에 구현한 업계 최초의 3세대 10나노(1z) LPDDR5 제품이다.

삼성전자는 금년 2월 2세대 10나노급(1y) 공정으로 역대 최대 용량의 16GB(기가바이트) LPDDR5 D램을 양산한 지 6개월 만에 차세대 1z 공정까지 프리미엄 모바일 D램 라인업을 강화했다.

이번 제품은 기존 플래그십 스마트폰용 12Gb 모바일 D램(LPDDR5, 5,500Mb/s)보다 16% 빠른 6,400Mb/s의 동작 속도를 구현했다. 16GB 제품 기준으로 1초당 풀HD급 영화(5GB) 약 10편에 해당하는 51.2GB(기가바이트)를 처리할 수 있다.
※ 동작속도 : 64핀(x64, JEDEC 규격)으로 구성되는 패키지 기준 최대 51.2GB/s

또한 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 8개의 칩만으로 16GB 제품을 구성할 수 있어 기존 제품(12Gb 칩 8개 + 8Gb 칩 4개)대비 30% 더 얇은 패키지를 만들 수 있다. 이를 통해 멀티카메라, 5G 등 부품수가 많은 스마트폰과 폴더블폰 같이 두께가 중요한 제품에 최적의 솔루션을 제공할 수 있다.

삼성전자는 글로벌 스마트폰 업체들에게 차세대 1z 16GB 모바일 D램을 업계 유일하게 제공함으로써 내년 출시되는 AI기능이 더욱 강화된 5G 플래그십 스마트폰 시장을 선점할 계획이다. 또 고온 신뢰성도 확보해 전장용 제품까지 사용처를 확대해 나갈 예정이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 “이번 1z나노 16Gb LPDDR5는 역대 최고 개발 난도를 극복하고 미세공정 한계 돌파를 위한 새로운 패러다임을 제시한 제품”이라며 “프리미엄 D램 라인업을 지속 확대해 고객 요구에 더욱 빠르게 대응하고 메모리 시장 확대에 기여해 나갈 것”이라고 말했다.

▲ 평택 2라인 전경

▲ 3세대 10나노급(1z) 기반 16GB LPDDR5

삼성전자가 중국 현지 메모리 반도체 공장의 본격 가동에 들어갔습니다.

삼성전자 ‘메모리 반도체 생산’ 중국 시대 개막

▲중국 시안 고신개발구에서 삼성전자 반도체 준공식이 개최됐다.

5월 9일 산시성(陕西省) 시안시(西安市)에서 진행된 메모리 반도체 공장 준공식에는 산시성 성위서기 자오정용(赵正永), 산시성 성장 러우친젠(娄勤俭), 공신부 부장 먀오웨이(苗圩), 국가발개위 부주임 쉬셴핑(徐宪平), 권영세 주중 한국대사, 전재원 주시안 총영사 그리고 권오현 부회장 등 삼성전자 경영진이 참석했는데요.

▲참석자들이 삼성전자 시안 반도체의 발전을 기원하며 식수하고 있다.

이번에 건립된 삼성전자 중국 메모리 반도체 공장은 2012년 9월 기공식을 갖고 약 20개월간의 공사기간을 거쳐 완성됐습니다.

▲20개월의 공사기간을 통해 완성된 삼성전자 시안 반도체 공장 전경

단지는 총 34.5만 평의 부지에 연면적 7만 평 규모로 건설됐으며, 한국에서 이미 성능과 양산성을 확인한 10나노급 낸드플래시(V-NAND) 메모리를 두 번째로 생산합니다.

중국공장 가동으로 ‘글로벌 반도체 생산 3거점 체제’ 완성

▲삼성전자 시안 반도체 신규라인에서 생산된 낸드플래시 제품

삼성전자는 시안 메모리 반도체 공장 가동으로 한국, 중국, 미국을 연결하는 ‘글로벌 반도체 생산 3거점 체제’를 구축했습니다.

글로벌 반도체 생산 3거점 체제란 시스템 반도체를 중심으로 하는 미국, 메모리 반도체를 중심으로 하는 중국, 그리고 모든 반도체 제품을 생산, 조정하는 한국 최적의 포트폴리오를 의미하는데요.

특히 중국 공장이 위치한 시안은 1100여 년간 중국의 수도 역할을 담당한 역사의 도시이자 과거 동양과 서양의 문물을 연결하던 실크로드의 출발점으로도 유명합니다.

균형 잡힌 생산체제 구축, 10나노급 낸드플래시 중국에서도 양산 본격화

시안 공장의 완공으로 삼성전자는 10나노급 낸드플래시 제품의 듀얼 생산체계 구축으로 생산규모 확대와 함께 고객에게 더욱 안정적으로 제품을 공급할 수 있게 됐습니다.

특히 글로벌 IT 기업들의 생산거점이자 세계 낸드플래시 수요의 50%를 차지하는 중국 내에서 낸드플래시 제품을 직접 생산 및 공급함으로써 시장과 고객에 더욱 효율적으로 대응할 수 있게 됐습니다.

현재 국내 60여 개 협력사 동반진출, 글로벌 시장 진출기회 확대

더불어 삼성전자는 국내 협력사들과 시안에 동반 진출하며 미래 성장동력을 마련했습니다. 낸드플래시는 국내 업체들이 충분한 경쟁력을 갖춘 증착공정의 비중이 높은데요. 이미 현지에 진출한 국내 협력사들은 60여 개사로 향후 100개사까지 확대될 전망입니다.

삼성전자는 2014년 말 후공정(반도체 테스트 및 패키징) 라인까지 완공해 완벽한 일관생산체제를 완성할 계획입니다.

“삼성 프로젝트가 성공적으로 마무리 됐습니다. 산시성은 앞으로도 삼성과 그 협력사들의 발전을 지원하며 협력관계를 강화할 것입니다.”

-산시성 성장 러우친젠(娄勤俭)

“동서양 문명교류의 핵심 역할을 했던 실크로드가 과거 시안에서 출발했듯, 한국과 중국의 협력으로 탄생한 이곳 시안 공장이 ‘21세기 디지털 실크로드’의 출발점이 되기를 희망합니다.”

-삼성전자 권오현 부회장