특히 필름 카메라에서 디지털카메라의 발전은 우리 생활에도 큰 변화를 가져왔습니다. 콤팩트형의 소형 카메라에서 전문가용 고사양 DSLR까지 그 종류도 다양해졌고 휴대폰, 태블릿PC, CCTV, 블랙박스에 이르기까지 다양한 기기에 카메라 기술이 적용됐습니다.

▲ 디지털카메라 속 반도체 기술

이렇게 우리의 소중한 추억을 기록해주는 디지털카메라에도 반도체 기술이 숨어 있습니다. 렌즈를 통해 들어오는 빛을 전기적인 영상 신호로 바꿔 주는 CMOS 이미지센서(CIS), 이미지 신호를 처리하는 이미지 신호 처리 장치(ISP), 데이터 처리속도를 빠르게 해주는 D램, 사진파일을 저장하는 낸드플래시 등 많은 반도체가 우리 카메라에서 중요한 역할을 하는데요.

오늘은 카메라의 필름 역할을 하는 ‘CMOS 이미지센서’에 대해 알아보겠습니다.

카메라의 필름역할을 하는 ‘이미지센서’

디지털카메라에는 여러 반도체 기술이 필요하지만, 가장 중요한 역할을 하는 부품이 바로 ‘이미지센서’입니다. 이미지센서는 피사체 정보를 읽어 전기적인 영상신호로 변환해주는 장치입니다. 즉 빛에너지를 전기적 에너지로 변환해 영상으로 만드는데 카메라의 필름과 같은 역할을 합니다.

쉽게 말해 렌즈를 통해 들어온 빛을 전기적 디지털 신호로 변환해주는 역할로, 영상신호를 저장하고 전송해 디스플레이 장치로 촬영한 사진을 볼 수 있도록 만들어 주는 반도체입니다. 이러한 이미지센서가 사용되는 디지털카메라는 일반 필름카메라와 달리 필름, 인화 과정을 필요로 하지 않는데요. 사진을 찍은 후 바로 디스플레이 화면에서 사진을 확인하거나 삭제할 수 있는 것이죠!

이미지센서는 응용 방식과 제조 공정에 따라 CCD 이미지센서와 CMOS 이미지센서로 나눌 수 있습니다. CCD 이미지센서는 전자 형태의 신호를 직접 전송하는 방식으로 아날로그 제조 공정이 사용되는데요.

CMOS 이미지센서 대비 노이즈가 적다는 장점을 가지고 있습니다. 반면 CMOS 이미지센서는 신호를 전압 형태로 변환해 전송하는 방식으로 CMOS 제조 공정이 사용되어 가격경쟁력이 있다는 장점이 있습니다.

이러한 특징 때문에 과거 CCD 이미지센서는 디지털카메라에 사용되고, CMOS 이미지센서는 주로 휴대폰에 사용됐습니다.

하지만 휴대폰, 태블릿PC 등 카메라 기능이 탑재된 모바일 기기의 시장이 확대되면서 핵심 부품으로 CMOS 이미지센서가 주목받기 시작했습니다. 특히 모바일 기기는 전력 소비를 줄이는 것이 중요한데 이는 배터리 사용 시간 연장과 직결되기 때문입니다. 때문에 CCD 이미지센서 대비 저전력 공정으로 소비전력에서 강점을 가지는 CMOS 이미지센서가 핵심 부품으로 떠오르게 된 것입니다.

또한, CMOS 이미지센서는 노이즈 등 성능이 매우 개선되고 동영상 지원 기능과 가격 측면에서도 지속적인 우위를 가지면서 최근에는 DSLR 카메라에도 많이 탑재되고 있습니다.

이외에도 CMOS 이미지센서는 CCD 이미지센서에 비해 많은 장점을 가지고 있는데요, 일반 반도체 공정인 CMOS 공정을 사용하기 때문에 가격 경쟁력을 가지며 이미지센서와 주변 회로를 원칩화할 수 있어 소형화 및 관리가 용이합니다.

CMOS 이미지센서의 혁신, ISOCELL

일반적으로 이미지의 화질은 센서를 구성하는 각 픽셀(Pixel, 화소)에 모이는 빛의 양에 많은 영향을 받습니다. 최근 CMOS 이미지센서의 칩 크기는 작아지고 픽셀 수는 늘어나 픽셀의 크기가 계속 작아지고 있는데요. 작은 픽셀일수록 충분한 빛을 흡수하기 어려워 CMOS 이미지센서 기술은 ‘수광율(이미지센서가 빛을 받아들이는 정도)’을 높이는 방향으로 발전해 왔습니다.

그래서 기존 후면조사형(BSI) 센서는 ‘수광부(빛을 받아들이는 부분)’를 센서의 가장 윗부분으로 옮겨 ‘수광율’을 높여 왔는데요, 하지만 픽셀의 크기가 계속 작아짐에 따라 최근 한계에 봉착했습니다.

이에 작년 9월 삼성전자는 업계 최초로 기존 CMOS 이미지센서의 성능 한계를 극복한 ‘아이소셀(ISOCELL)’ 개발에 성공했는데요,

‘아이소셀(ISOCELL)’은 ‘격리하다(isolate)’와 ‘세포(cell)’의 뜻이 합쳐진 어원으로, 용어에서도 알 수 있듯이 픽셀과 픽셀 사이에 절연부를 형성해 인접한 픽셀들을 서로 격리시키는 구조입니다. 즉 이미지센서를 구성하고 있는 수백만 개의 픽셀 각각의 테두리에 물리적인 벽을 세워 픽셀로 들어온 빛이 밖으로 나가지 않도록 하는 첨단 이미지센서 기술인데요,

각 픽셀에 들어온 빛이 주변 픽셀에 영향을 주는 ‘간섭현상’을 최소화해 빛의 손실을 줄인 것이 특징입니다. 때문에 빛이 적은 어두운 공간에서도 보다 깨끗한 이미지를 얻을 수 있어 모바일기기 사용자들의 카메라 성능 만족도를 더욱 높일 수 있답니다.

삼성전자는 이번 MWC 2014(Mobile World Congress)에서 아이소셀을 기반으로 한 1600만 화소 이미지센서와 적층형 구조의 1300만 화소 이미지센서를 새롭게 공개하며 모바일 이미지센서 분야의 기술 리더십을 더욱 강화하고 있습니다. 우리의 소중한 추억 순간순간을 간직해주는 반도체, ‘이미지센서’의 활약을 앞으로도 기대해주세요~!

원문 링크: http://samsungsemiconstory.com/642

삼성전자는 독보적인 기술력으로 ‘20나도 D램 미세화 기술 한계 돌파! 최소형 4기가비트 D램 본격 양산!’이라는 메모리 기술의 새로운 지평을 열게 되었습니다.

아마 많은 분이 20나노 D램에 적용된 신개념 ‘개량형 이중 포토 노광 기술’, ‘초미세 유전막 형성 기술’에 대해 (대체 무슨 뜻인지… ㅡㅡ) 궁금하셨을 텐데요. 오늘은 삼성전자가 독자적으로 선보인 기술에 대해 쉽고 간략하게 소개해 드리려고 해요^^. 지금부터 하나씩 알아볼까요?

‘개량형 이중 포토 노광기술’, ‘초미세 유전막 형성기술’ 독자 기술로 공정 한계 극복

▲ 20나노 D램

20나노 D램은 삼성전자가 독자적으로 개발한 ‘고집적, 초고속, 저전력’ 기술로 공정한계를 극복했습니다. 미세 회로 선폭을 구현하기 위해 20나노 D램에는 삼성전자의 신개념 개량형 이중 포토 노광 기술, 초미세 유전막 형성 기술이 동시에 적용됐는데요.

개량형 이중 포토 노광 기술

노광 기술(포토 리소그래피, Photo lithography)은 반도체 공정에서 웨이퍼 위에 감광액을 바르고 빛을 통과시킨 뒤 미세 회로를 그리는 기술을 말합니다. 여기에 이중 포토(더블 패터닝, Double Patterning) 기술은 미세한 회로를 만들기 위해 회로를 두 번에 나눠 그리는 것인데요. 즉, 하나의 회로 패턴을 완성하기 위해 같은 자리에 노광 공정을 두 번씩 진행하는 것이죠.

이렇듯 두 번 노광을 진행할 경우 미세한 차이가 발생할 수 있습니다. 나노미터 단위의 섬세한 공정이기 때문에 빛 파장의 베리에이션으로 1나노미터의 오차가 생기더라도 20나노미터의 회로가 양옆으로 1나노미터씩 늘어나 22나노미터 회로가 되고, 2나노미터의 오차가 발생하면 24나노미터 회로가 되죠.

특히 동작 속도가 특히 빠른 4Gb D램에서는 40억 개가 넘는 셀들에 특성 불량이 발생하지 않도록 한 치의 어긋남도 없이 정확하게 그려야 하므로 더욱 어려운 작업이라고 할 수 있습니다.

하지만 삼성전자는 이번에 개량형 이중 포토 노광 기술을 개발함으로써 고속 동작에도 안정적으로 동작하도록 정확히 20나노미터에 맞춰 회로를 구성할 수 있게 되었습니다. 이로써 20나노 D램의 생산 비중을 빠르게 확대해 나갈 수 있게 되었음은 물론, 차세대 10나노급 D램도 적기에 양산할 수 있는 원천기술을 확보하게 되었답니다.

초미세 유전막 형성기술

D램은 셀을 구성하는 캐패시터에 전하가 있는지(1) 없는지(0)의 여부에 따라 0과 1의 디지털 신호를 구분하는데요. 문제는 D램 셀은 특성상 캐파시터 내의 전하 값을 매우 짧은 기간만 저장할 수 있다는 점입니다. 이 때문에 컴퓨터에서는 CPU의 주기에 맞춰 64ms로 리프레시 동작 모드를 통해 주기적으로 셀에 전기를 공급합니다. 그러나 셀 불량으로 전자가 리프레시 되기도 전에 방전되면서 전하 값이 달라지면 원래 값을 인식하지 못하고 반도체가 오작동을 하게 되죠.

따라서 캐패시터를 만들 때에는 전하가 너무 빠르게 새거나 옆 캐패시터 전하의 영향을 받아서 전하가 빠져 나가지 않도록 유전막을 형성하는데요. 이 유전막은 전기선의 플라스틱 피복선 같은 절연막 역할을 합니다. 여기서 유전막의 균일성을 유지하는 것이 반도체 제조의 핵심공정이라고 할 수 있습니다.

이에 삼성전자는 초미세 유전막 형성 기술을 통해 셀 캐패시터의 유전막 형성 물질을 옹스트롬(10분의 1나노) 단위로 초미세 제어함으로써 20나노에서도 우수한 셀 특성을 확보했는데요. 기존에 분자 단위의 물질을 사용하던 나노 공정을 나노의 1/10인 옹스트롬 단위의 원자구조 물질을 사용해 균일한 유전막을 만든 것이죠.

기존에 분자 물질로 유전막을 만들 경우에는 입자가 커서 균일한 막질을 형성하기 어려운데다 분자보다 엄청나게 작은 전자가 새지 않도록 유전막층을 더욱 두껍게 발라야 했습니다. 그럴 경우 유전막층이 두꺼워져 트랜지스터 내의 전하의 저장량은 대폭 줄어들게 되는데요. 같은 조건에서 20나노 캐패시터를 만들 경우에는 더 작아진 트랜지스터에 분자구조로는 균일한 유전막을 만들기가 너무 어려울 뿐만 아니라 전하의 저장량도 너무 줄어들게 된다는 것입니다.

그래서 바로 25나노 캐패시터보다도 훨씬 작은 20나노 캐패시터에서 유전막이 얼마나 얇고 촘촘하게 작게 만드느냐는 것이 20나노 공정의 성공의 관건이 된 것입니다. 이번에 양산에 성공한 20나노 D램은 물질의 최소단위인 원자 물질을 사용해 유전막을 형성함으로써 얇은 막으로도 촘촘한 절연층을 형성했기 때문에 셀을 구성하는 캐패시터에서 전하가 새지 않는 우수한 특성을 확보한 것이죠.

▲삼성전자가 세계 최초로 양산에 성공한 20나도 D램과 D램 모듈

이제, 조금은 삼성전자의 신개념 기술이 이해가 되셨나요? 이를 통해 20나노 DDR3 D램 모듈은 PC에서 기존 25나노 대비 소비전력을 25% 절감할 수 있을 뿐만 아니라 글로벌 IT 업체들에 최고 수준의 ‘초절전 그린 IT 솔루션’을 제공하게 되는데요. 초고속, 저전력, 고용량을 위한 삼성전자의 기술은 앞으로도 계속 될 것이랍니다.

또 하나! 삼성투모로우에서 전해드리는 알기 쉽고 재미있는 반도체 이야기도 많이 기대해주세요!

‘삼성 SSD 글로벌 서밋’은 ‘SSD 대중화 시대로’라는 테마로 개최됐으며 세계 각국 언론이 모인 자리에서 삼성전자는 HDD 시장을 본격 대체하며 고성장하는 SSD 시장의 미래를 새롭게 전망했는데요.

이 날 성능 향상을 통해 소비자 사용 편의성과 기업의 IT 투자 효율을 극대화한 1테라바이트 이상 대용량 SSD 제품군을 새롭게 선보여 참석한 언론으로부터 크게 호평을 받았습니다.

‘840 EVO’ 글로벌 런칭으로 소비자 시장 본격 확대 추진

삼성전자는 SSD 대중화와 소비자 시장 내 점유율 지속 확대를 위해 세계 각국에서 ‘840 EVO’ SSD 런칭을 시작할 예정이며 이후 출시 국가를 늘려 가며 글로벌 컨슈머 마켓을 본격적으로 공략해 나갈 예정입니다.

특히 ‘840 EVO’ SSD는 4월에 양산한 세계 최소 칩 사이즈인 10나노급 128기가비트 고속낸드를 탑재해 기존 840 SSD 대비 연속쓰기 성능을 최대 3배 이상 향상시켰으며, 노트북에서 용량제한 없이 HDD를 대체할 수 있도록 최대 용량 1테라바이트 제품을 포함한 5개 제품을 선보였습니다.

업계최초 차세대 ‘NVMe SSD’ 출시로 그린 SSD 시장 성장 견인

또한, 삼성전자는 기업향 SSD 시장 확대를 위해 업계 최초로 2.5인치 NVMe SSD ‘XS1715’ 라인업 개발을 완료하고, 2013년 하반기부터 글로벌 고객들에게 본격적인 공급을 시작할 예정입니다.

이번 ‘NVMe SSD’는 종전 고사양 SATA SSD보다 10배 이상 빠른 임의 읽기 성능을 구현했는데요.

지난 6월 업계 최초로 양산한 PCIe 2.0 인터페이스 기반 ‘PCI Express SSD’보다 2배 빠른 속도의 PCIe 3.0 인터페이스와 SSD 속도를 한층 가속화하는 NVM Express 기술을 동시에 적용한 결과입니다.

다양한 라인업과 차세대 솔루션으로 최고의 제품 경쟁력 확보

이로써 삼성전자는 업계 최초로 울트라 노트북에서 엔터프라이즈 서버까지 적용 가능한 SATA SSD, SAS SSD, PCIe SSD 그리고 차세대 NVMe SSD 까지 모든 라인업을 구축해 스토리지 시장에서 HDD를 본격 전환해 나갈 최대 제품군과 솔루션을 확보했습니다.

한편 ‘2013 삼성 SSD 글로벌 서밋’에는 국내는 물론 미국, 중국, 일본, 독일 등 해외 12개국의 글로벌 미디어, 블로거 등 주요 언론 150여명이 참석해 전 세계 소비자들에게 SSD가 주는 높은 효용성을 알렸습니다.

또한, 노트북 SSD 교체 체험 행사를 통해 누구나 쉽게 SSD를 설치하고 사용가능 하다는 것을 직접 경험하는 시간을 가졌습니다.

 ※ 세계 낸드 플래시/SSD 시장 전망(iSuppli, 2013.1Q)

▲840EVO

▲XS1715

삼성전자가 업계 최고성능의 ‘1TB(테라바이트)급 서버용 SSD’를 본격 양산하며 빠르게 성장하고 있는 대규모 차세대 데이터센터와 엔터프라이즈 스토리지 시장을 집중 공략하기 시작했습니다. 

업계 최고성능 ‘1TB급 서버용 SSD’ 본격 양산으로 신시장 창출

삼성전자는 기존 서버용 SSD보다 더욱 성능을 높인 SATA 인터페이스 기반 ‘960GB SM843T SSD’를 새롭게 내놓고 프리미엄 SSD 시장 확대에 나섰습니다. 

이번 ‘1TB급 서버 SSD’는 빅데이터 시스템의 더욱 빠른 운영과 높은 효율의 클라우드 컴퓨팅 환경을 구축할 수 있도록 최고 수준의 성능을 제공합니다.

특히 클라우드 서비스 업체의 경우 기존 엔터프라이즈 서버에 ‘1TB급 서버 SSD’를 탑재하면 HDD로 구성된 시스템 대비 데이터 처리 속도를 6배 이상 높이고 소비전력은 약 30% 감소시켜 고성능 고효율 서버시스템을 구축할 수 있습니다.

향후 차세대 SSD 개발로 플래시 스토리지 시장의 성장 주도

또한 삼성전자는 ‘960GB SM843T SSD’에 갑자기 전원이 끊겨도 마지막 데이터를 보호하는 기능을 추가하고 앞선 3S 기술 전략(System, Solution,Software)을 바탕으로 글로벌 클라우드 서비스 업체에서 요구하는 최고 수준의 시스템 안정성과 서비스 품질을 구현했습니다.  

이로써 삼성전자는 기존 PC용 SSD 시장에 이어 고부가가치 서버용 SSD 시장에서도 고객에게 가장 경쟁력있는 솔루션을 제공하고 사업 경쟁력 우위를 더욱 강화하게 되었습니다.

시장조사기관인 아이서플라이는 2013년 세계 SSD 시장을 전년 대비 43% 성장한 100억불로 예상했으며, 향후 서버 SSD 시장이 전체 시장의 약 50%의 비중을 유지하며 SSD 시장의 성장세를  견인해 나갈 것으로 전망했습니다.  

많은 사람들이 평소 스마트 기기와 오랜 시간을 함께 하죠? SD카드는 디지털 카메라, 노트북, PC까지 우리 주변에서 볼 수 있는 다양한 전자 기기에 사용되고 있는데요. 

삼성전자가 지난 2011년 3월 SD카드, 마이크로 SD카드 등을 포함한 브랜드 메모리 제품을 출시하면서 안정성과 대용량, 저장능력을 갖춘 SD카드를 국내 소비자들도 접할 수 있게 되었습니다. 

오늘, 여러분에게 삼성전자 SD카드의 놀라운 모습을 소개해드릴게요.

이 작디 작은 SD카드가 순간적인 접촉만으로도 데이터를 파괴할 수 있는 바닷물과 자기장에 견디고, 심지어 트럭에 밟혀도 데이터를 완벽하게 지켜낼 수 있을지?!

지금부터 삼성전자 SD카드의 놀라운 능력을 확인해 보세요!

Mission 1. 부산 바다에 빠진 SD카드의 운명은?!

탁 트인 모래 사장과 출렁이는 푸른 물결로 가득한 곳, 부산 광안리 바닷가에 우리의 실험맨이 떴습니다.
첫 번째 실험을 수행하기 위해 바닷물 채취에 나서는데요. 이번 실험은 바닷물 속에서 24시간 동안 견디기입니다. 

바닷물을 채취했다면, 이제 실험을 진행해 볼까요? 바닷물 속으로 SD카드 투하 완료!

전자 제품을 사용할 때 조심해야 할 바닷물에 SD카드를 담그고 24시간을 기다린 뒤! 정상 적으로 작동을 하는지 알아보는 실험인데요. 

광안대교가 보이는 창가에서 바닷물이 담긴 컵에 SD카드를 넣고 24시간을 기다린 후! 설레는 마음을 안고 SD카드를 꺼내 작동시켜 보았습니다. 

SD카드가 결국 해냈습니다! 소중한 추억이 담긴 사진은 무사하네요. 미션 성공!

Mission 2. 데이터 파괴세력으로부터 추억을 구하라! 

뿌듯한 마음을 안고 두번째 실험을 진행합니다. 이번엔 자기장 실험! 

순간 접촉만으로도 전자 기기의 데이터를 파괴할 수 있는 자기장으로부터 과연 삼성전자 SD카드는 소중한 추억을 지켜낼 수 있을까요?

실험에 사용된 약 1만 5천 가우스(G) 자기장은 병원의 MRI 검사 시 발생하는 정도의 세기이자 지구 자기장(0.5G)의 무려 3만 배에 해당하는 세기인데요. 과감하게 삼성전자 SD카드를 자기장에 노출시켜 보았습니다. 과연 그 결과는 어떻게 됐을까요?

SD카드를 작동시켜보는 순간, SD카드가 또 한번 해냈습니다! SD카드 속 데이터는 무사하네요! 미션 성공! 

1만 5천 가우스(G)의 자기장에도 데이터를 지켜 주는 삼성전자 SD카드, 정말 놀라움의 연속이죠?

Mission 3. 1.9톤 트럭이 SD 카드 위를 지나간다면?!

드디어 마지막 충격 실험! 1.9톤 트럭이 SD카드를 밟고 지나간다면?
SD카드 속 데이터는 무사할 수 있을까요?

바퀴에 밟힌 SD카드를 확인한 그 순간, SD카드가 마지막 미션도 해냈습니다 이번에도 소중한 추억이 담긴 사진은 무사하네요. 

바닷물, 자기장, 충격! 3가지 실험 모두 대성공!입니다.
 

지금까지 실험맨과 함께 이곳 저곳을 누비며 삼성전자 SD카드의 3프루프(3Proof)능력을 확인해 봤는데요. 삼성전자 SD카드의 안정성, 놀랍지 않나요?

오늘도 안심하고 삼성전자 SD카드에 소중한 추억을 저장해보세요~어떠한 위험에서도 꼭 지켜줄 거랍니다! 

앞으로도 우리의 일상에서 든든한 메모리 파트너가 될 삼성전자 SD카드의 활약을 기대해주세요^^

 * 본 실험은 이해를 돕기 위한 영상으로, 실제 스펙과 다를 수 있습니다. 

※ 삼성전자 메모리 카드 라인업(좌: SD카드, 우: microSD카드)

* 본 실험은 이해를 돕기 위한 영상으로, 실제 스펙과 다를 수 있습니다.

삼성전자가 1x나노(1x nm, 10나노급) 고속낸드 기반으로 업계 최고 속도를 구현한 64GB(기가바이트) 내장메모리(eMMC, embedded Multi Media Card)를 출시합니다.

 eMMC는 최근 시장이 급격히 확대되고 있는 스마트폰, 태블릿 PC 등의 모바일 제품에 사용되는 저장용 메모리 반도체인데요. 소비자들은 고성능•고용량 eMMC가 탑재된 모바일기기 사용으로 Full HD 영상과 같은 고사양의 콘텐츠를 보다 빠르게 즐길 수 있습니다.

1x나노 64Gb 낸드 기반 삼성전자 독자규격 차세대 eMMC 출시

삼성전자는 지난 달 본격 양산하기 시작한 1x나노급 64Gb 고속낸드를 기반으로, 이 달부터 최신 표준인 eMMC 4.5 인터페이스의 ‘64GB eMMC Pro Class 1500‘ 대비 성능을 30% 향상시킨 삼성전자 독자규격의 ’64GB eMMC Pro Class 2000′ 제품을 선보입니다.

이번에 출시하는 64GB eMMC 제품에 삼성전자 독자규격의 eMMC 버전을 적용하면서 내년 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)*에 등록될 차세대 고성능 스토리지 기술의 표준을 주도해 나갈 수 있게 됐습니다.

*JEDEC: 국제 반도체표준화기구, 전자기기에 들어가는 반도체의 규격/표준 결정

삼성전자는 지난 7월 2y나노 고속낸드 기반으로 eMMC 4.5를 적용한 ’64GB eMMC Pro Class 1500′을 양산한 지 불과 4개월 만에 1x나노 64Gb 고속낸드 기반의 차세대 ’64GB eMMC Pro Class 2000′ 제품군을 출시합니다. 또한, 내년에는 128GB 대용량 제품 출시를 통해 업계 최대 eMMC 라인업을 구축해 나갈 예정입니다.

기존 양산 제품 대비 약 30% 빠른 2,000 IOPS 성능 구현 

’64GB eMMC Pro Class 2000′ 제품은 임의쓰기 속도를 2,000 IOPS(Input and outputs per secon)*까지 향상 시켰고, 임의읽기 속도를 5,000 IOPS까지 구현했습니다. 

특히 연속읽기 속도, 쓰기 속도가 각각 260MB/s(Megabyte per second), 50MB/s로 약 1.4GB 분량의 영화 한 편을 읽고 쓰는데 각 5.4초, 28초가 걸리는 수준인데요. 이는 고속 외장 메모리 카드인 Class 10 제품의 읽기 속도 24MB/s, 쓰기 속도 12MB/s보다 10배 이상 빨라 스마트폰에서 더욱 원활한 멀티태스킹 성능 구현이 가능합니다. 

*IOPS(Input and outputs per second): 메모리의 랜덤쓰기속도를 측정하는 방식으로 메모리와 전자기기 사이에 초당 데이터 교환 횟수를 나타냄

차세대 고성능 스마트폰 및 태블릿에 최적 솔루션 제공

최근 주요 스마트폰, 태블릿 PC 업체들은 대화면 고해상도 디스플레이를 탑재하면서 빠른 성능 구현은 물론 배터리 수명을 최대화 하기 위해 배터리 크기를 늘릴 수 있도록 쿼드코어 AP 및 2GB LPDDR2 모바일 D램 등 고성능•저전력 특성에 크기까지 줄인 반도체 솔루션을 요구하고 있는데요.

이번에 출시하는 64GB eMMC Pro Class 2000의 경우 패키지 사이즈가 11.5x13mm에 불과해 기존 제품의 패키지 사이즈(12x16mm)보다 약 20% 이상 줄여 내년에 출시될 차세대 고성능 스마트폰과 태블릿에 가장 적합한 모바일 솔루션을 제공합니다.

작년 5월 업계 최초로 초고속 낸드플래시 규격인 Toggle DDR(Double Data Rate) 2.0*을 적용한 2y나노 64Gb MLC(Multi Level Cell) 낸드플래시 제품을 양산한 삼성전자는 지난 달부터 기존 20나노급 낸드와 공정호환성을 통해 생산성을 30% 향상한 1x나노 64Gb 낸드를 본격 양산했는데요.

*토글(Toggle) 2.0: 일반 낸드 제품 대비 속도를 배가한 초고속 낸드플래시 규격

올해부터 10나노급 64Gb 낸드플래시의 생산량을 빠르게 늘려 나가, 2014년에는 10나노급이 전체 낸드플래시 시장의 50% 이상 비중을 차지할 것으로 전망하고 있습니다. 

☞ 세계 최고속도 64GB 내장메모리(eMMC) 양산 [SMNR]
☞ [SMNR]삼성전자, 세계 최고 속도 낸드플래시 양산

삼성전자가 글로벌 반도체 솔루션 전문업체인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics)와 전략적 협력관계를 맺고 첨단 32/28나노 파운드리(Foundry, 반도체 수탁가공) 협력을 시작합니다. 

32/28나노 최첨단 공정기술로
ST마이크로일렉트로닉스社의 최신 반도체 제품 수탁생산 개시

삼성전자는 9월부터 32/28나노 저전력 HKMG(하이케이 메탈 게이트, High-K Metal Gate) 공정을 적용해 ST마이크로일렉트로닉스社의 최신 반도체 제품에 대한 수탁생산을 본격적으로 진행합니다. 

ST마이크로일렉트로닉스는 2011년 기준 업계 7위의 글로벌 반도체 전문회사로, 이번에 삼성전자를 통해 모바일기기, 가전, 네트워크시스템에 탑재되는 시스템 온 칩(SoC) 제품을 생산하게 되는데요. 그 동안 삼성전자와 ST마이크로일렉트로닉스는 ‘국제 반도체 개발 협력체(ISDA, International Semiconductor Development Alliance)’를 통해 32/28나노 공정 기술을 함께 개발해 왔으며 향후에도 지속적인 협력관계를 유지한다는 계획입니다. 

한편, 시장조사기관 가트너(Gartner)에서 금년 3분기에 발표한 전망 자료에 따르면 올해 세계 파운드리 시장 규모는 327억 달러로 지난해 298억 달러 대비 10% 성장할 것이고 2016년까지 434억 달러로 연평균 7.8% 성장할 것으로 예측되고 있습니다. 

[참고] 세계 파운드리 시장전망자료, Gartner

 Gartner 2012.3Q, $M

삼성전자가 9월 18일 대만 타이베이에서 열린‘삼성 모바일 솔루션 포럼 2012’에서 업계 최초로 차세대 모바일기기에 적합한 128GB(기가바이트) 내장 메모리(eMMC, embedded Multi Media Card)를 지난 달부터 양산하기 시작했다고 발표했습니다. 

업계 최초로 최대 용량 128GB eMMC(내장메모리) 양산

삼성전자는 지난 5월과 7월에 각각 초고속 내장메모리인 ’32GB eMMC Pro’, ’64GB eMMC Pro’제품을 양산한 데 이어, 한 달만에 세계 최대 용량의 ‘128GB eMMC Pro’ 제품을 양산하면서 업계 최대의 메모리 스토리지(Storage) 라인업을 확보했습니다. 

삼성전자의 ‘eMMC Pro’는 20나노급(1나노: 10억분의 1미터) 토글(Toggle)* DDR 2.0 고속 낸드플래시를 기반으로 반도체 표준화 기구인 ‘JEDEC’*의 최신 eMMC 4.5 규격*을 적용한 차세대 고성능 모바일기기용 내장 메모리 제품입니다.

 스마트폰 및 태블릿에 노트북급 저장공간 확보

특히 이번 ‘128GB eMMC Pro Class 1500’ 제품은 최대 용량과 고성능을 구현해 약 8GB의 Full HD 콘텐츠 15편을 보관할 수 있고 기존 내장메모리 규격(eMMC 4.41)에 비해 랜덤쓰기 속도가 약 4배나 향상됐는데요. 

또한 연속 읽기속도, 쓰기속도가 각각 140MB/s(Megabyte per second), 50MB/s로 스마트폰에 장착하는 외장형 메모리카드 중 가장 빠른 수준인 Class 10 제품보다 5배 이상 빨라 이를 탑재한 모바일기기는 더욱 원활한 멀티태스킹 환경을 구현할 수 있습니다. 

※ 상기 언급된 기능, 성능, 디자인, 가격, 구성요소 등 제품과 서비스에 관한 사양은 현재 시점에서의 사양을 의미하고, 국가별  출시 제품마다 다를 수 있으며 사전 고지 없이 변경될 수 있습니다.

☞ ‘삼성모바일솔루션포럼 2012′ 개최[SMNR]
☞ 삼성 그린 메모리 홈페이지
☞ 세계 최고속도 64GB 내장메모리(eMMC) 양산 [SMNR]

삼성전자가 업계 최초로 30나노급(1나노: 10억분의 1미터) 2GB(기가바이트) LPDDR3(Low Power Double Data Rate 3) 모바일 D램 본격 양산에 들어갔습니다. 
 

초당 데이터 전송량 12.8GB로 기존 LPDDR2 대비 50% 향상

삼성전자는 대만 타이베이에서 열린 ‘삼성 모바일 솔루션 포럼 2012’에서 지난 8월부터 차세대 2GB LPDDR3 모바일 D램을 양산했다고 발표했는데요. 이는 작년 10월 업계 최초로 2GB LPDDR2 모바일 D램을 양산한 이후 10개월 만의 일입니다. 
 
이번 2GB LPDDR3 제품은 핀(pin)당 동작 속도가 기존의 LPDDR2 대비 60% 빠른 1,600Mbps로, 1초에 최대 12.8GB까지 데이터를 처리할 수 있습니다.

※ 데이터 전송 통로인 핀(1.6Gbps)이 64개로 구성되어 있어 모든 핀이 구동하면 최대 12.8GB까지 처리가 가능함     (1.6Gb x 64 = 12.8GB, 1Byte = 8bit)

스마트폰으로 실시간 Full HD 영상 자유롭게 구현 가능

최근 출시되는 고성능 스마트폰에서는 데이터 처리 속도 한계로 실시간Full HD 영상을 완벽하게 구현하는 것이 불가능 했지만, 향후 2GB LPDDR3 제품을 탑재함으로써 대용량의 Full HD 영상도 실시간으로 자유롭게 즐길 수 있습니다. 
 

차세대 모바일 D램 선행 출시를 통해 프리미엄 메모리시장 선도

삼성전자는 올해부터 차세대 LPDDR3 모바일 D램을 글로벌 스마트폰 업체 및 태블릿 업체에 공급하기 시작하여 모바일 메모리 시장을 더욱 빠르게 성장시켜 나가고 대용량의 2GB 모바일 D램 비중도 대폭 확대시켜 나갈 예정입니다. 
 

* 상기 언급된 기능, 성능, 디자인, 가격, 구성요소 등 제품과 서비스에 관한 사양은 현재 시점에서의 사양을 의미하고, 국가별 출시 제품마다 다를 수 있으며 사전 고지 없이 변경될 수 있습니다.

☞ ‘삼성모바일솔루션포럼 2012′ 개최[SMNR]
☞ 삼성 그린 메모리 홈페이지
☞ 세계 최초 ’20나노 모바일 메모리’ 양산[SMNR]
☞ 삼성전자, 20나노급 D램으로 반도체 시장 선도[SMNR]

삼성전자가 9월 18일 대만 타이베이에서 ‘삼성 모바일 솔루션 포럼(Samsung Mobile Solutions Forum) 2012′를 개최하고 차기 모바일 솔루션 전략을 공개했습니다.

올해로 9회째를 맞는 ‘삼성 모바일 솔루션 포럼‘은 업계 관계자 및 주요 거래선을 초청해 새로운 모바일 트렌드와 부품 솔루션 신기술을 공유하는 자리로 이 날 행사에는 에이서(Acer),HTC등 주요 거래선과 삼성전자 각 사업부 임원 등 250여 명이 참석했습니다.

차세대 모바일 기기용 고성능 부품 솔루션 공개

삼성전자 DS(Device Solutions)부문은 이번 포럼을 통해 미래 라이프스타일의 중심이 되는 PC, 스마트TV, 스마트폰, 태블릿PC 등 4대 IT기기에 탑재될 최고 성능의 제품을 공급하여 프리미엄 반도체 시장을 지속적으로 확대해 나갈 예정인데요. 

이 날 삼성전자는 LPDDR3 모바일 D램, 엑시노스 모바일AP 등의 반도체 제품과 함께 디스플레이 패널, LED 플래시 등 향후 모바일 기기의 성능을 한 단계 더 진화시킬 수 있는 다양한 제품군을 선보였습니다. 

특히 삼성전자는 업계 최초로 양산한 ‘2GB(기가바이트) 초고속 LPDDR3 모바일 D램’과 ‘128GB 대용량 내장메모리 솔루션’으로 내년도 대용량 프리미엄 모바일 메모리 시장에서도 독보적인 사업 경쟁력을 지속 유지할 것이라고 강조했습니다. 

또한 LED 플래시와 렌즈를 하나로 구성하여 단품 LED 플래시 대비 광효율을 크게 개선한 렌즈 일체형 LED 플래시와 차세대 암(ARM) A-15코어를 기반으로 한 ‘엑시노스 5 Dual’도 개발자들로부터 많은 관심을 끌었습니다. 

☞ 초고속 2GB LPDDR3 D램양산[SMNR]
☞ 업계최대 128GB 내장메모리양산[SMNR]
☞ 삼성전자, ‘삼성모바일솔루션포럼 2011’ 개최[SMNR]
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삼성전자가 업계 최초로 30나노급(1나노: 10억분의 1미터) 4Gb(기가비트)DDR4(Double Data Rate 4) D램기반의 서버 모듈을 출시했습니다. 

업계 최초 엔터프라이즈 서버용 DDR4 제품군 공급

삼성전자는 지난 2010년 12월, 업계 최초로 30나노급 2GB DDR4 모듈을 개발한데 이어 올해 6월에 CPU 업체 및 컨트롤러 업체를 대상으로 고성능 16GB 및 8GB DDR4 RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module) 모듈을 출시했습니다. 


DDR4, DDR3 대비 2배 고속 동작 및 소비전력 40% 감소 

30나노급 4Gb DDR4 D램 기반의 서버 모듈은 현재 양산 중인 4Gb DDR3 D램 기반 서버 모듈보다 낮은 1.2V로 동작하여 소비전력을 40% 감소시키고, 현재 1,600Mb/s인 데이터 처리 속도를 두 배 가까이 높여 에너지 소비는 줄이면서 성능을 높이는 서버 시스템 구축을 가능하게 했습니다. 

삼성전자는 올해 하반기에 메모리 표준 설정 단체인 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)에서 DDR4 Full SPEC을 확정하고, 32GB RDIMM을 비롯한 서버 제품을 양산할 계획인데요. 이에 따라 삼성전자는 글로벌 서버고객은 물론 CPU, 컨트롤러 업체와 기술 협력을 강화해 차별화된 프리미엄 메모리 시장을 더욱 확대시킬 전망입니다.

☞ 삼성 그린 메모리 홈페이지
☞ 세계 최초 ’20나노 모바일 메모리’ 양산[SMNR]
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삼성전자 종합기술원이 ‘꿈의 신소재’인 그래핀을 활용하여 새로운 트랜지스터 구조를 개발했습니다.


새로운 트랜지스터 구조 개발로 미래 트랜지스터 개발 가능성 높여

꿈의 신소재 그래핀을 활용한 새로운 트랜지스터 구조* 개발로 기존 실리콘의 한계를 극복하고 미래 트랜지스터 개발 가능성을 한 단계 높인 것으로 평가되는데요. 세계적 권위의 학술지인 사이언스지 온라인판에 미국 현지 시간 17일자로 게재됐습니다. 

반도체에는 실리콘(Si) 소재의 트랜지스터가 수십억 개씩 들어 있으며 반도체 성능을 높이려면 트랜지스터의 크기를 줄여 전자의 이동 거리를 좁히거나 전자의 이동도가 더 높은 소재를 사용해 전자가 빠르게 움직이게 해야 하는데요. 

이에 따라 높은 전자 이동도를 갖고 있는 그래핀은 실리콘을 대체할 물질로 각광받아 왔으나 그래핀이 금속성을 지니고 있어 전류를 차단할 수 없다는 점이 문제점으로 지적되어 왔습니다. 

트랜지스터에서는 전류의 흐름과 차단으로 디지털 신호인 ‘0과 1’을 나타내므로 그래핀을 실리콘 대신 사용하기 위해서는 반도체화 하는 과정을 거쳐야만 하지만 이 과정에서 그래핀의 이동도가 급감하므로 그래핀 트랜지스터에 대한 회의적인 시각이 많았습니다.

 
이번에 삼성전자 종합기술원은 새로운 동작원리를 적용하여 그래핀 자체를 변화시키지 않으면서 전류를 차단할 수 있는 소자를 개발했는데요. 즉, 그래핀과 실리콘을 접합하여 쇼트키 장벽(Schottky Barrier)**을 만들고 이 장벽의 높이를 조절하는 방법으로 전류를 켜고 끌 수 있게 한 것입니다.

 
삼성전자가 세계 최초로 20나노급(1나노: 10억분의 1미터) LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2) 4기가비트(Gb) 모바일 D램을 공급하며 4기가비트 메모리 시장 확대에 나섭니다. 


저전력 대용량 모바일 라인업으로 고성장 모바일 시장 주도

최근 쿼드코어 CPU를 탑재한 스마트폰 및 대화면 태블릿 등 고성능 모바일 기기들이 모바일 시장 성장을 주도함에 따라 더 빠른 처리 속도는 물론 장시간 배터리를 사용할 수 있는 저전력 대용량 메모리에 대한 기대치가 갈수록 높아지고 있는데요. 

삼성전자는 올해 3월 이러한 고객의 요구에 대응할 수 있는 초절전 고성능 메모리 20나노급 8GB DDR3 노트북 모듈 양산에 이어, 4월부터 20나노급 4Gb LPDDR2 D램을 양산하며 업계 최대 프리미엄 4Gb D램 라인업을 확보했습니다. 


20나노 LPDDR2, ‘초박형/대용량/고성능’ 특성 우위 확보  

세계 최초로 양산한 20나노급 4Gb D램 제품군은 세계 최고의 ‘초박형’, ‘대용량’, ‘고성능’ 모바일 솔루션을 확보함은 물론, 최소 칩 사이즈로 울트라슬림 디자인을 가능하게 해 엔터프라이즈 및 모바일 제조업체들이 새롭게 출시하는 차세대 시스템의 우월성을 확보하는 핵심요소로 자리잡았습니다. 

삼성전자는 2011년 3월 30나노급 4Gb LPDDR2 D램을 양산하며 모바일 메모리를 최대용량인 2GB까지 확대시킨 바 있는데요. 

이번에 최소 칩 사이즈인 20나노급 4Gb LPDDR2 양산으로 업계 유일 차세대 울트라 슬림 모바일기기에 적합한 초박형 0.8mm 2GB LPDDR2를 공급한 삼성전자는 30나노급 모바일 D램에 이어 20나노급 모바일 D램에서도 경쟁 우위를 확보함으로써  모바일 메모리 시장을 지속해서 주도해 나가게 된 것입니다. 


20나노 D램 비중 지속 증대 및 4Gb 시장 본격 확대

20나노 4Gb 모바일 D램을 4단 적층한 16Gb(2GB) 제품은 30나노 4Gb D램 4단 적층 제품에 비해 두께는 20% 줄었으며, 최대 1,066Mbps 동작 속도 및 동일한 소비 전력을 구현하여 4Gb 시장을 더욱 빠르게 성장시킬 것으로 전망됩니다. 

시장 조사 기관, 아이서플라이에 따르면 4Gb D램은 2011년부터 시장을 확대,  2012년 13%, 2013년 49%, 2014년에는 전체 생산 비중이 63%까지 확대되어 시장의 주력 제품으로 성장할 것으로 전망하고 있습니다.

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삼성전자가 CortexTM-A9 기반의 코어 4개를 집적한 쿼드코어 AP(Application Processor) 엑시노스 4 쿼드(Exynos 4 Quad)를 본격 양산합니다.
이 제품은 5월 공개되는 갤럭시 시리즈의 차기 모델에 탑재되는데요. 1.4GHz (기가헤르츠) 이상의 속도로 동작하는 엑시노스 4 쿼드는 업계 최초로 32나노 저전력 HKMG 로직 공정을 적용한 쿼드코어 AP로 전력 효율성을 극대화한 제품입니다.

4개의 코어로 병렬 작업 및 데이터 분할처리 능력 극대화,
스마트폰 성능이 ‘UP,UP, UP, UP’

멀티코어(Multi-Core) 모바일 AP는 작업을 동시에 병렬로 진행하고, 데이터를 분할 처리하는 등 멀티 태스킹 능력을 향상시키고, 작업 시간을 줄일 수 있다. 예를 들면, 한 개의 코어는 비디오 재생을 담당하고, 그 외 코어들은 각각 애플리케이션 업데이트, 웹서핑, 바이러스 검사 등을 동시에 진행합니다.

특히, 엑시노스 4 쿼드는 4개의 코어로 이러한 멀티코어의 이점을 극대화 하여 모바일 기기에서도 3D 게임, 비디오 편집 등 고사양의 애플리케이션을 끊김 없이 자유롭게 사용할 수 있습니다.

또한, 저전력 공정뿐만 아니라 전력 효율을 극대화한 설계를 적용하여 각 코어 별로 On-Off 전환이 가능하며, 수행 작업별 동작 속도에 따라 동작 전압을 달리 적용하여 불필요한 전력 소비를 줄였습니다.

45나노 ‘엑시노스 4 듀얼’ 대비 성능 2배 향상, 소비전력 20% 절감

이로써 기존 45나노 엑시노스 4 듀얼(Exynos 4 Dual) 제품에 비해 소비전력은 20% 절감하면서, 데이터 처리 능력은 2배 향상시켰습니다.
그 외에도 32나노 엑시노스 4 듀얼과 동일한 크기(12mm x 12mm x 1.37mm)로 개발되어 모바일기기의 내부구조 변경 없이 기존 AP 자리에 바로 탑재할 수 있어(Pin to Pin 호환), 제품 개발비용을 절감할 수 있습니다.

최적화된 전용 전력 칩(PMIC) 개발, 배터리 수명 향상

한편, 삼성전자는 엑시노스 4 쿼드에 최적화된 전용 전력관리 칩(PMIC, Power Management Integrated Circuit) S5M8767을 개발했습니다. AP 동작 속도에 맞춰 동작 전압을 6.25mV의 미세한 수준으로 조절 가능한 전력 칩으로 시스템 단계에서의 효율적 전력제어를 통해 배터리 수명을 향상시킬 수 있습니다.

‘엑시노스 4 쿼드‘ 기타 특징

– 하드웨어 코덱(Hardware Codec) : ’30프레임/초’의 풀HD 영상 지원
고해상도(1080p, 풀HD급) 동영상의 장시간 녹화와 재생 가능
– 이미지 신호처리기(Image Signal Processor, ISP) 내장
– 고선명 멀티미디어 인터페이스(HDMI, High Definition Multimedia Interface)1.4 지원
 
엑시노스(Exynos)
 – 삼성전자의 고성능•저전력 모바일AP 브랜드로서 그리스어로 ‘Smart(Exynos)’와 ‘Green(Prasinos)’의 의미
 – Exynos 웹사이트(Click!)제품 정보, 영상 등 지원

삼성전자가 고성능 모바일 기기에서 최고의 성능을 구현하는 초고속 UHS-I* microSD 메모리 카드를 본격 양산합니다.

LTE 스마트폰, 태블릿에 최적화된 고성능 솔루션 제공

최근 LTE 스마트폰과 태블릿PC 등 고성능 모바일 기기의 사용이 증가하고 있는 가운데, 삼성전자의 이번 제품 양산으로 소비자들은 고성능 모바일 기기에서 3D 게임과 Full HD 영상 등 고용량의 콘텐츠를 마음껏 즐길 수 있게 됐습니다.

기존 SD 2.0 대비 4배 빠른 SD3.0(UHS-I)인터페이스 적용

지난 달 출시된 16GB(기가바이트) UHS-I microSD 카드는 20나노급(1나노: 10억분의 1미터) 64Gb(기가비트) Toggle DDR 2.0 고속 낸드플래시에 자체 개발한 고성능 컨트롤러를 탑재하고, 기존 SD 2.0 제품보다 4배 빠른 SD 3.0 UHS-I 인터페이스를 적용하여 개발된 세계 최고 수준의 초고속 microSD 메모리 카드입니다.

삼성전자 16GB UHS-I microSD 카드의 최대 읽기 속도는 약 80MB/s*로, 기존의 고성능 microSD 카드의 읽기속도(21MB/s)보다 약 4배 빠릅니다.

향후 고성능•대용량 메모리 카드 시장 지속 확대

삼성전자는 상반기중 32GB 이상 UHS-I microSD 카드를 연이어 출시하여, 프리미엄 낸드플래시 시장에서의 제품 경쟁력을 더욱 강화해 나갈 예정입니다.

☞ HD촬영도 문제 없다! 삼성전자, 초고속 SD카드 라인업 출시[SMNR]
☞ [SMNR] 물과 자기장, 충격에 강한 삼성전자 SD카드

삼성전자가 글로벌 PC업체의 프리미엄 노트북에 탑재되는 고성능 SSD 시장을 확대해 나가고 있는 가운데, 국내 시장의 저변 확대를 위해 ‘삼성 SSD’ 체험 이벤트를 전개합니다.

월 2만개 판매 돌파 기념, 삼성 SSD 830시리즈 무상 교체

이번 이벤트는 ‘삼성 SSD Angels를 만나라’라는 이름으로 서울, 대전, 광주, 대구, 부산, 울산 등 주요 도시에서 3월 16일까지 진행되며, SSD 전문 인력으로 구성된 SSD Angels가 대학 주변가에서 100여명의 일반인과 대학생 노트북에 ‘삼성 SSD’를 무상으로 설치해 주는 서프라이즈 이벤트입니다.

이 이벤트는 지난 1월 런던을 시작으로 전세계 주요 도시에서 동시에 실시되고 있는 행사 중 하나로, 국내 행사를 통해 미래 고객인 대학생과 일반인에게 ‘삼성 SSD’를 직접 설치해 주는 행운을 제공하여 그들의 컴퓨터 사용 경험을 획기적으로 개선해 주고자 기획됐습니다.

삼성 SSD의 우수한 성능과 간편한 설치 기능 체험

특히 이번 행사는 스토리지 용량이 100기가바이트(GB)인 경우, 프로그램 설치 과정 없이 불과 1시간 만에 누구나 직접 교체를 할 수 있고 5배 빠른 성능을 체험 할 수 있도록 하여, 소비자들이 SSD를 교체하는 것이 누구나 가능하다는 인식을 심어 주고 SSD의 장점을 널리 알리는데 크게 기여할 것으로 기대됩니다.

☞ SSD ANGELS가 떴다!
☞ CES 2012 후기 – 삼성 SSD 830 Series 256GB
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