이번 256기가비트 V낸드는 데이터를 저장하는 ‘3차원 셀(Cell)’을 기존(32단)보다 1.5배 더 쌓아올리는 삼성전자의 ‘3세대(48단) V낸드 기술’이 적용된 업계 최고 용량의 메모리칩이다. 

256기가비트 V낸드는 칩 하나만으로 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트(GB) 용량의 메모리카드를 만들 수 있다.  

또한 기존 128기가비트 낸드가 적용된 SSD와 동일 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있어 ‘테라 SSD 대중화’를 위한 최적의 솔루션을 제공한다. 

삼성전자는 현재까지 업계에서 유일하게 V낸드를 양산하고 있으며 지난해 8월, 2세대(32단) 3비트 V낸드를 생산한 지 1년 만에 3세대 3비트 V낸드를 본격 양산함으로써 3차원 메모리 기술 리더십을 더욱 확고히 했다.

이번에 양산을 시작한 3세대 V낸드는 셀이 형성될 단층을 48단으로 쌓은 후 약 18억 개의 원형 홀을 수직으로 뚫은 다음, 총 853억 개 이상의 셀을 고속 동작시키며 각 셀마다 3개의 데이터(3비트)를 저장할 수 있어 총 2560억 개의 데이터를 읽고 쓴다.   

이번 256기가비트 V낸드는 쓰기 성능과 절전 효과를 동시에 높여 글로벌 고객들이 효율적인 차세대 대규모 스토리지 시스템 구축에 크게 기여할 것으로 기대된다. 

특히 △3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조 △48단 수직 적층 공정 △3비트 저장 기술을 적용해 2세대 V낸드보다 데이터를 더욱 빠르게 저장하고 소비 전력량을 30% 이상 줄였다. 또한 기존 32단 양산 설비를 최대한 활용함으로써 제품 생산성을 약 40%나 높여 원가 경쟁력도 대폭 강화했다. 

삼성전자는 지난달 2테라바이트(TB) SSD 제품 출시를 계기로 본격 추진하고 있는 '테라 SSD 대중화'를 더욱 앞당기기 위해 3세대 V낸드 생산을 위한 투자를 계획대로 추진해 나갈 예정이다.    

전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 “3세대 V낸드 양산으로 글로벌 기업과 소비자에게 더욱 편리한 대용량 고효율 스토리지 솔루션을 제공할 수 있게 됐다”며 “향후 V낸드 기술의 우수성을 최대로 발휘할 수 있는 초고속 프리미엄 SSD 시장에서 사업 영역을 지속 확대하며 독보적인 사업 위상을 유지해 나갈 것”이라고 밝혔다. 

한편 삼성전자는 엔터프라이즈와 데이터센터 시장을 더욱 빠르게 확대하기 위해 기존 2세대 32단 3비트 V낸드 기반의 대용량 SSD 모델을 글로벌 IT 고객에게 공급한데 이어 세계 각국의 현지 로컬 기업까지 공급을 확대하는 등 용량과 성능을 높인 차세대 SSD 라인업을 지속적으로 출시할 예정이다. 또한 2테라바이트 이상의 소비자용 대용량 SSD도 새롭게 출시해 SSD 시장 점유율을 지속적으로 높여나갈 계획이다. 

▲삼성전자 3세대 256기가비트(Gb) V낸드