삼성전자가 12월30일 세계 최초로 차세대 ‘8기가비트(Gb) LPDDR4 모바일 D램’을 개발했습니다.

업계 최초 ’20나노급 8기가비트(Gb) LPDDR4 모바일 D램’ 개발  

삼성전자가 ‘8기가비트 LPDDR4 모바일 D램’ 개발에 성공함에 따라 지금까지 ‘LPDDR3’ 규격에 머물러 있던 모바일 D램 시장은 ‘LPDDR4’로 또 한 번의 세대교체를 이룰 것으로 전망됩니다.

또한 삼성전자는 ‘LPDDR4’ 제품을 통해 글로벌 모바일 업체에게 한 단계 높은 고집적, 고성능, 저전력 솔루션을 제공할 수 있게 됐습니다.

이번 삼성전자가 개발에 성공한 ‘8기가비트 LPDDR4 모바일 D램’은 최첨단 20나노급 공정을 적용한 제품으로 해당 칩 4개를 적층해 ‘4기가바이트(GB) D램’을 구성할 수 있는데요.

특히 ‘8기가비트 LPDDR4 모바일 D램’은 삼성전자가 독자 개발하고 제덱(JEDEC)이 표준으로 확정한 LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic) IO 인터페이스 기술을 적용해 기존 LPDDR3 보다 2배 빠른 데이터 처리속도인 3,200Mb/s를 모바일 D램 최초로 구현했고 1.1볼트(V) 저전력 아키텍쳐를 적용해 소비전력도 40% 낮췄습니다.

초고화질 UHD 대화면 스마트폰, 태블릿 등 프리미엄시장 공략

이로서 삼성전자는 내년에 Full-HD보다 4배 높은 초고화질 UHD를 지원하는 대화면 스마트폰, 태블릿, 울트라슬림 노트북과 함께 최신 고성능 네트워크 등 프리미엄 시장을 본격 공략해 나갈 예정입니다.

삼성전자는 현재 ‘4기가비트 LPDDR3 모바일 D램’으로 시장을 주도하고 있으며 지난 11월부터는 ‘6기가비트 LPDDR3 모바일 D램’을 양산 중에 있습니다.

또한 이번 개발에 성공한 ‘8기가비트 LPDDR4 모바일 D램’을 내년부터 본격 공급함에 따라 향후 시장에서 6기가비트 이상의 대용량 모바일 D램 비중이 빠르게 확대될 것으로 전망됩니다.

삼성전자는 세계 최소형 20나노급 대용량(8기가비트•6기가비트•4기가비트) 모바일 D램 라인업을 확대해 제품 경쟁력 우위를 지속 유지하고 프리미엄 시장을 선점해 나갈 계획입니다.

“차세대 LPDDR4 모바일 D램은 내년 D램 시장에서 가장 큰 비중을 차지하게 될 모바일 D램의 지속 성장에 크게 기여할 것으로 기대되며, 향후에도 차세대 모바일 D램과 솔루션을 한 발 앞서 출시해 글로벌 모바일 업체들이 혁신적인 모바일 기기를 적기에 출시하고 소비자에게 더욱 편리함을 제공하는 데 기여할 것입니다.”

– 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 전영현 부사장

삼성전자가 2012년 7월부터 스마트폰의 내장메모리로 주로 사용되는 세계 최고 속도의 64GB(기가바이트) 대용량 내장메모리(eMMC, embedded Multi Media Card)의 양산에 들어갔습니다.

20나노급 64Gb 낸드 기반 초고속 eMMC(내장메모리) 양산

이 제품은 20나노급(1나노: 10억분의 1미터) 64Gb(기가비트) 토글 DDR 2.0* 낸드를 기반으로 국제 반도체표준화기구 JEDEC*의 최신 eMMC 4.5 규격을 적용했으며, 제품명은 ’64GB eMMC Pro Class 1500’입니다.

*  토글(Toggle) 2.0은 일반 낸드 제품 대비 속도를 배가한 초고속 낸드플래시 규격입니다.
* 제덱(JEDEC, Joint Electron Engineering Council)은 국제 반도체표준화기구, 전자기기에 들어가는 반도체의 규격과 표준을 결정합니다.

차세대 고성능 스마트폰 및 태블릿에 최적 솔루션 제공

이로써 저희는 차세대 모바일기기에서 최고의 성능을 발휘하는 이번 제품의 양산으로 지난 5월 양산을 시작한 ’32GB eMMC Pro’와 함께 업계 최대 내장메모리 제품 라인업을 확보한 것입니다.
 
이번 ’64GB eMMC Pro’ 제품은 임의쓰기 속도가 1500 IOPS(아이옵스)*로, 기존 eMMC 4.41 규격의 400 IOPS보다 약 4배 빠른 것이고요~ 2012년 하반기에 차세대 고성능 스마트폰과 태블릿PC에 탑재되어 모바일기기에서도 3D, Full HD 영상 등 고사양 컨텐츠를 빠르고 자유롭게 즐길 수 있을 것으로 기대됩니다.

* IOPS(Input and outputs per second)는 메모리의 랜덤쓰기속도를 측정하는 방식으로  메모리와 전자기기 사이에 초당 데이터 교환 횟수를 나타냅니다.

차세대 고사양 eMMC 제품의 양산으로 제품 경쟁력 우위 유지

또한 연속 읽기속도, 쓰기속도가 각각 140MB/s(Megabyte per second), 50MB/s로 스마트폰에 장착하는 외장형 메모리카드 중 가장 빠른 수준인 Class 10 제품보다 5배 이상 빨라, 내장메모리만으로도 원활한 멀티 태스킹 환경을 구현할 수 있으며, 특히 64GB eMMC는 두께가 1.2mm에 불과해 초슬림형 모바일기기 설계가 가능합니다.

향후 모바일 메모리 시장에서 프리미엄 고속 낸드플래시의 시장 비중은 더욱 빠르게 늘어날 것으로 전망되고 있습니다. 삼성전자는 2011년 5월 업계 최초로 토글(Toggle)2.0을 적용한 20나노급 64Gb MLC(Multi Level Cell) 낸드플래시 제품을 양산한 데 이어, 이번에 eMMC 4.5 규격으로 다양한 용량의 eMMC 제품을 본격 양산해 나갈 계획입니다.