14나노 로직(Logic) 공정은 20나노 공정보다 성능이 20% 향상되고 소비전력은 35% 감소할 뿐만 아니라 생산성도 30% 개선되는 고성능, 저전력, 고생산성의 특징을 갖춘 최첨단 기술의 집약체다.

삼성전자는 기존 20나노 공정에서 사용하고 있는 평면(Planar) 구조의 한계를 극복하기 위해 3차원 트랜지스터 구조의 핀펫 공정을적용해 트랜지스터의 성능 향상은 물론 공정미세화를 통한 경쟁력을 확보하는데 성공했다.

삼성전자는 2000년대 초반부터 핀펫 공정 연구를 시작해 2003년 IEDM(International Electron Device Meeting, 국제전자소자회의)에서 첫 논문 발표를 시작으로 핀펫 공정 관련 다양한 기술들을 발표해왔으며 수십건의 특허를 확보했다.

삼성전자는 메모리 업계 최초로 3차원 V낸드 양산에 성공하는 등 3차원 반도체 공정분야의 축적된 기술력을 바탕으로 로직 공정분야에서도 최고 성능의 3차원 핀펫 구조를 완성했다.

이번 14나노 모바일 AP 양산을 통해 삼성전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 모두에 3차원 반도체 공정을 적용해 미래 '3차원 반도체 시대'를 선도함으로써 메모리 반도체 사업에 이어 시스템 LSI사업도 크게 도약시킨다는 계획이다.

삼성전자 시스템LSI 사업부 전략마케팅팀 한갑수 부사장은 "삼성전자의 최첨단 로직 공정 기술은 업계 최고 수준이며, 이번 14나노 모바일 AP 공급으로 고사양 스마트폰의 성능 향상이 가능해 향후 신규수요 확대에 긍정적인 영향을 미칠 것"이라고 밝혔다.

삼성전자는 14나노 핀펫 공정을 '엑시노스 7 옥타' 시리즈 신제품에 처음 적용하고, 올해 다양한 제품으로 확대해 나갈 계획이다.

▲ 3차원 트랜지스터 구조의 핀펫 공정 적용, 미세공정 한계 극복

 
삼성전자는 기존 20나노 공정에서 사용하고 있는 평면(Planar) 구조의 한계를 극복하기 위해 3차원 트랜지스터 구조의 핀펫 공정을 적용했는데요. 트랜지스터 성능 향상은 물론, 공정 미세화를 통한 경쟁력 확보에 성공했습니다.

삼성전자는 2000년대 초반부터 핀펫 공정 연구를 시작해 2003년 IEDM(International Electron Device Meeting, 국제전자소자회의)에서 첫 논문을 발표했는데요. 이후 핀펫 공정 관련 다양한 기술들을 발표하며 수십 건의 특허를 확보했습니다.

삼성전자는 메모리 업계 최초 3차원 V낸드 양산에 성공하는 등 3차원 반도체 공정 분야의 축적된 기술력을 바탕으로 로직 공정 분야에서도 최고 성능의 3차원 핀펫 구조를 완성했는데요.

이번 14나노 모바일 AP 양산을 통해 삼성전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 모두에 3차원 반도체 공정을 적용, 미래 ‘3차원 반도체 시대’를 선도할 예정입니다. 이로써 메모리 반도체 사업에 이어 시스템 LSI 사업도 크게 도약시킬 계획인데요.

14나노 핀펫 공정은 ‘엑시노스 7 옥타’ 시리즈 신제품에 처음 적용하고, 올해 다양한 제품으로 확대해 나갈 예정입니다.

“삼성전자의 최첨단 로직 공정 기술은 업계 최고 수준입니다. 이번 14나노 모바일 AP 공급으로 고사양 스마트폰의 성능 향상이 가능해 신규 수요 확대에 긍정적인 영향을 미칠 것입니다.”

-한갑수 삼성전자 시스템LSI 사업부 전략마케팅팀 부사장