Әріптестік туралы Парижде өткен Оңтүстік Корея мен Францияның мемлекеттік саммитінде жарияланды. Келісім аясында Samsung Mistral AI сервистері мен шешімдерін, соның ішінде Mistral Large флагмандық үлкен тілдік моделін өзінің жартылай өткізгіш бизнес процестеріне енгізеді. Компаниялар интеллектуалды инфрақұрылым үшін оңтайландырылған мамандандырылған жергілікті жасанды интеллект модельдерін әзірлейді.

Mistral AI-платформасы Samsung-қа жартылай өткізгіштерді жобалау мен өндіру тәсілдерін өзгерте алатын құралдар кешенін ұсынады.

Samsung инфрақұрылымында тікелей жұмыс істейтін корпоративтік шешімдердің маңызы ерекше. Олар құпия технологиялар мен өндірістік деректермен жұмыс істеу кезінде қауіпсіздік пен икемділіктің қажетті деңгейін қамтамасыз етеді. Барлық ақпарат Samsung жартылай өткізгіш инфрақұрылымының ішінде өңделеді, бұл компанияға маңызды технологияларды толық бақылауға мүмкіндік береді.

Жартылай өткізгіштік технологиялық процестердің күрделенуіне қарай тікелей өндірісте деректерді жылдам талдау мүмкіндігі барған сайын үлкен рөл атқарады. Samsung ақауларды анықтау және жабдықты оңтайландыру үшін мамандандырылған AI модельдерін қолдануды жоспарлап отыр. Бұл дамуды жеделдетуге өндіріс дәлдігін арттыруға және жадтың озық микросхемалары мен логикалық чиптерді шығару кезінде жарамды өнімдердің шығуын тезірек тұрақтандыруға көмектеседі.

«Жасанды интеллект чиптерін жобалау мен өндіру күрделенген сайын жартылай өткізгіш технологиялары тұрақты дамуды талап етеді, – деп атап өтті Samsung Electronics компаниясының Device Solutions (DS) бөлімшесінің вице-төрағасы және бас директоры Ён Хён Чон (Young Hyun Jun). – Біз Mistral-мен ынтымақтастық орнатуға үміттенеміз, бұл бізге пайдаланушылардың өзгермелі қажеттіліктеріне жауап беруге және жасанды интеллект дәуірінде шешуші рөл атқаратын жартылай өткізгіштер экожүйесі үшін жаңа технологиялық шешімдер жасауға көмектеседі».

«Жасанды интеллект жартылай өткізгіштерден бастап бағдарламалық жасақтамаға дейінгі күрделі технологияларды құру тәсілдерін өзгертеді, – деп атап өтті Mistral компаниясының негізін қалаушылардың бірі және бас директоры Артур Менш (Arthur Mensch). – Біз Samsung Electronics-ке чиптерді жобалау және өндіру процестерін жетілдіру және жартылай өткізгіштер өнеркәсібі мен жасанды интеллект саласындағы бүкіл жаһандық құн тізбегінің технологиялық дамуын жеделдету үшін электроника және жартылай өткізгіштер саласындағы сараптамамызды ұсынуға қуаныштымыз».

Samsung сондай-ақ Mistral AI компаниясының Series D қаржыландыру раундының жетекші инвесторы болды және ұзақ мерзімді технологиялық ынтымақтастықты дамыту үшін компанияның стратегиялық үлесін сатып алды. Samsung инвестициялары озық жартылай өткізгіш технологияларының экожүйесінде әртүрлі салалардағы компаниялар арасындағы өзара іс-қимылдың өсуін көрсетеді.

Samsung өзінің озық жартылай өткізгіш технологияларын Mistral сияқты жасанды интеллект компанияларының әзірлемелерімен біріктіре отырып, жасанды интеллектіні өзінің жартылай өткізгіш бизнесінің барлық салаларына енгізуді жалғастырады. Бұл компанияға жад пен логикалық микросхемалар саласындағы озық шешімдерден бастап жартылай өткізгіштерді келісімшарттық өндіруге дейінгі пайдаланушылардың әртүрлі қажеттіліктерін қанағаттандыруға мүмкіндік береді.

Көпжылдық табысты ынтымақтастық тәжірибесіне сүйене отырып, Samsung және ASML заманауи жартылай өткізгіштер өндірісінің өнімділігі мен тиімділігіне қойылатын өсіп келе жатқан талаптарға жауап беретін технологияларды әзірлеуді және енгізуді жеделдетуге ниетті.

Samsung келесі ұрпақ жартылай өткізгіштерін өндіру үшін 12 дюймдік фотоүлгілер технологиясын дамыту жөніндегі салалық бастамаға қосылады . Ондаған жылдар бойы жартылай өткізгіштер саласында 6 дюймдік фотоүлгілер қолданылып келді. High NA EUV-мен бірге үлкенірек, 12 дюймдік фотоүлгілерге көшу фабрикалардың өнімділігін одан әрі арттыруға, чиптердің өзіндік құнын төмендетуге және экспозицияның жекелеген аймақтарын тігуге байланысты шектеулерді жоюға мүмкіндік береді. Осының арқасында озық жартылай өткізгіштерді өндірушілер High NA EUV артықшылықтарын толық пайдалана алады және ең технологиялық чиптердің жаңа буындарын тиімдірек шығара алады.

Samsung жад өндірісінде де, жартылай өткізгіштердің келісімшарттық өндірісінде де жетекші орын алады, сондай-ақ озық EUV литографиясымен жұмыс істеуде айтарлықтай тәжірибесі бар. Бұл компанияға саланың 12 дюймдік фотоүлгілерге көшуінде маңызды рөл атқаруға мүмкіндік береді. Samsung қажетті фотоүлгілер технологиялары мен тиісті инфрақұрылымды әзірлеу үшін серіктестермен тығыз жұмыс істейтін болады.

Сонымен қатар, Samsung 2028 жылға қарай салада бірінші болып ASML High NA EUV литографиясын келесі буын DRAM-ды жаппай өндіруге енгізуді жоспарлап отыр. Бұл сонымен қатар High NA технологиясының озық жад микросхемалары мен логикалық чиптерді шығаруда қолдануға дайын екенін растайды. High NA EUV DRAM-ды одан әрі масштабтауды жалғастыруға мүмкіндік береді деп күтілуде: жоғары ажыратымдылық технологиялық процестерді жеңілдетуге және өндіріс тиімділігін арттыруға көмектеседі.

Жаңа келісім Samsung пен ASML-дің инновацияға, технологиялық көшбасшылыққа және ұзақ мерзімді серіктестікке деген ортақ ұмтылысын көрсетеді. Компаниялар бірлескен жұмыс мүмкіндіктерін, соның ішінде озық жад технологиялары мен жартылай өткізгіштер өндірісінің жаңа тәсілдерін зерттеуді жалғастырады.

“Жасанды интеллект дәуірі жартылай өткізгіштер саласын өзгертіп, өндіріс тізбегінің барлық кезеңдерінде технологиялық инновациялардың маңызын арттырады. Samsung алдыңғы қатарлы жартылай өткізгіштер өндірісінде, соның ішінде жад пен келісімшарт өндірісінде көшбасшылықты серпінді технологиялар мен берік серіктестік арқылы сақтап қалуға ниетті. ASML-мен ынтымақтастықты одан әрі нығайту бізге жасанды интеллект пен жартылай өткізгіштер саласындағы инновациялардың келесі буынының негізін қалауға көмектеседі,” – деп атап өтті Samsung Electronics вице-төрағасы және бас директоры Ён Хён Чжон (Young Hyun Jun).

“Samsung көп жылдан бері ASML-дің инновациялар саласындағы маңызды серіктестерінің бірі болып қала береді. Біз бірге заманауи жартылай өткізгіштер өндірісінің негізінде жатқан технологияларды дамыттық. Қазір сала жасанды интеллект қозғаушы күшіне айналатын жаңа дәуірге қадам басып отыр, сондықтан біздің клиенттермен тығыз ынтымақтастық одан сайын маңызды. Біз Samsung-пен бірге жартылай өткізгіш технологияларды дамыту үшін жаңа мүмкіндіктер ашамыз деп үміттенеміз,” – деді ASML президенті және бас директоры Кристоф Фуке (Christophe Fouquet).

ASML Holding N.V. туралы.

ASML – жартылай өткізгіштер саласына арналған жабдықтар мен технологияларды жеткізушілердің бірі. Компания чип өндірушілерге интегралдық схемалардың (микрочиптердің) құрылымдарын жаппай қалыптастыру үшін қажетті жабдықтарды, бағдарламалық жасақтаманы және қызметтерді ұсынады. ASML серіктестерімен бірге қолжетімді, өнімді және энергияны үнемдейтін микрочиптерді дамытуға ықпал етеді.

ASML технологиялары денсаулық сақтау, энергияны тиімді пайдалану және үнемдеу, көлік және ауыл шаруашылығы сияқты адамзаттың ең күрделі міндеттерінің кейбірін шешуге көмектеседі. ASML – штаб-пәтері Нидерландының Велдховен қаласында, Еуропа, Таяу Шығыс және Африка, АҚШ және Азия елдерінде өкілдіктері бар халықаралық компания. ASML-де күн сайын технологиялық мүмкіндіктердің шекарасын кеңейтуге ұмтылатын 44 000-нан астам толық жұмыспен қамтылған қызметкер бар. ASML акциялары Euronext Amsterdam және NASDAQ биржаларында ASML тикерімен саудаланады. Компания, оның өнімдері, технологиялары және мансаптық мүмкіндіктері туралы толығырақ – www.asml.com сайтында.

Samsung Electronics және Broadcom жаңа буын АІ инфрақұрылымын дамыту үшін жад және жартылай өткізгіштерді келісімшарттық өндіру саласындағы стратегиялық ынтымақтастықты кеңейтуге бағытталған өзара түсіністік туралы меморандумға қол қойылғанын хабарлады.

Меморандумға қол қою туралы Сан-Францискодағы The Midway алаңында өткен жасанды интеллектке арналған саммитте жарияланды. Шараға Samsung Electronics компаниясының президенті және Foundry Business бөлімшесінің басшысы Джинман Хан (Jinman Han), Broadcom компаниясының президенті және бас директоры Хок Тан (Hock Tan), екі компанияның жоғары басшылары, сондай-ақ Корея Республикасы үкіметінің өкілдері қатысты.

Жад және жартылай өткізгіштерді келісімшарттық өндіру саласындағы ынтымақтастықтың жиынтық көлемі алдағы бес жылда – 2030 жылға дейін 200 млрд доллардан асады деп күтілуде.

Жад сегментінде Samsung және Broadcom Broadcom-ның келесі буын AI-жылдамдатқыштарын қолдау үшін High Bandwidth Memory (HBM) сияқты озық шешімдерді жеткізу бойынша стратегиялық ынтымақтастықты дамытуға ниетті.

Келісімшарттық өндіріс саласында ынтымақтастық Broadcom өнімдерін, соның ішінде Wireless Broadband Communications (WBC) шешімдерін шығару үшін Samsung-ның 2 нм және одан төмен технологиялық процестерін пайдалануға бағытталады. Сондай-ақ, серіктестік Samsung-тың 2 нм технологиялық процесіне негізделген озық корпус технологияларын, соның ішінде 2.3D және 2.5D интеграциясын қамтиды. Бұл анағұрлым өнімді және энергияны үнемдейтін жасанды интеллект және желілік жартылай өткізгіш шешімдерін жасауға мүмкіндік береді.

«АІ жадты, логикалық микросхемаларды және заманауи корпустау технологияларын біріктіретін тығыз интеграцияланған жартылай өткізгіш технологияларға бұрын-соңды болмаған сұранысты ынталандырады, – деп атап өтті Samsung Electronics компаниясының директорлар кеңесі төрағасының орынбасары және Device Solutions (DS) бөлімшесінің бас директоры Ён Хен Джун (Young Hyun Jun). – Осы стратегиялық маңызды бағыттарда Broadcom-мен ынтымақтастықты кеңейте отырып, біз пайдаланушыларға одан да жоғары құндылық ұсынып, болашақтың жасанды интеллект инфрақұрылымын дамытуға үлес қосамыз деп үміттенеміз».

«Жасанды интеллект инфрақұрылымының ауқымы кеңейген сайын жартылай өткізгіш экожүйе қатысушыларының тығыз өзара әрекеттесуі маңызды бола түседі, – деді Broadcom компаниясының Semiconductor Solutions Group президенті Чарли Кавас (Charlie Kawwas). – Samsung-тың жад пен келісімшарттық өндіріс саласындағы сараптамасын Broadcom-ның жасанды интеллект пен байланыс технологиялары саласындағы көшбасшылығымен біріктіре отырып, біз жаңа буынның жасанды интеллект инфрақұрылымының негізі болатын шешімдерді құруды жалғастыруға ұмтыламыз».

Жады, логикалық микросызбалар, келісімшарттық өндіріс және заманауи корпустау технологиялары саласындағы құзыреттіліктердің арқасында Samsung жасанды интеллект дәуірі үшін кешенді жартылай өткізгіш шешімдерін құруда бірегей орынға ие. Broadcom-мен ынтымақтастықты кеңейту Samsung-тың жасанды интеллект пен жоғары өнімді есептеулер саласындағы шешімдердің кең спектрі үшін кешенді жартылай өткізгіш технологиялары арқылы пайдаланушыларды қолдауға деген тұрақты адалдығын растайды.

Бұл жетістік келесі буын мобильді жад нарығы үшін жаңа эталон белгілейді, себебі өнімділіктің артуы мобильді тұтынушыларға жергілікті AI-орталарында үлкен тілдік үлгілерді (LLM) іске қосқан кезде кідірістерді айтарлықтай азайтуға және жауап беру уақытын жеделдетуге мүмкіндік береді деп күтілуде.

«Жергілікті AI дәуірінде сақтау құрылғылары жасанды интеллект өнімділігінің сапасын анықтайтын негізгі факторға айналуда, – деді Samsung Electronics компаниясының жад өнімдерін жоспарлау бөлімінің басшысы Чансок Чхве (Jangseok Choi). – Саланың алғашқы UFS 5.0 шешімін әзірлеуді сәтті аяқтау арқылы Samsung портативті сақтау үшін жаңа стандарт орнатып, келесі буын мобильді платформа нарығында инновацияны дамытуды жалғастыра береді».

Генеративті жасанды интеллект бұлттан құрылғылардың өздеріне тез ауысады, бұл жергілікті өңдеуге қажетті деректер көлемінің күрт өсуіне әкеледі. Нәтижесінде дискілер негізінен деректерді сақтау үшін пайдаланылатын медиадан AI-есептеулерін қолдайтын негізгі инфрақұрылымға айналады.

Samsung-тың UFS 5.0 шешімі JEDEC-тің ең жаңа ішкі жад интерфейсінің стандартын қолдайды, бұл саладағы ең жоғары өткізу қабілеттілігімен секундына 10,8 гигабайтқа (ГБ/с) дейін бұрын-соңды болмаған өнімділік деңгейіне жетеді.

Жаңа деректерді сақтау шешімі 10,8 ГБ/с дейінгі дәйекті оқу жылдамдығын және 9,5 ГБ/с дейінгі дәйекті жазу жылдамдығын қамтамасыз етеді, бұл алдыңғы UFS 4.1 стандартынан екі есе көп. Бұл айтарлықтай жетістік жергілікті AI-қолданбалары үшін үлкен көлемдегі деректерді тезірек сақтауға және өңдеуге мүмкіндік береді.

Samsung UFS 5.0 энергия тиімділігі сол компанияның UFS 4.1 шешімімен салыстырғанда 40%-дан астам жақсарды. Бұл бірнеше жаңа инновацияларды, соның ішінде сағаттық қақпа технологиясын және көп деңгейлі қуат көзін енгізу арқылы мүмкін болды. Жақсартылған деректер жалпы қуат тұтынуды түбегейлі азайту және келесі буын мобильді құрылғыларының батареяның қызмет ету мерзімін ұзарту арқылы бірдей көлемдегі деректерді беру үшін қажетті қуатты айтарлықтай азайтуға көмектеседі.

Samsung инженерлері UFS 5.0 шешімін небәрі 7,5 мм x 13 мм x 0,9 мм ультраактам корпуста әзірледі, бұл оны бұрынғыдан 16,7% кішірек етеді. Мұндай форма факторы әртүрлі құрылғыларда, соның ішінде мобильді, киілетін гаджеттер мен кеңейтілген шындық (XR) құрылғыларында дизайн икемділігі мен ішкі кеңістікті пайдалану тиімділігін айтарлықтай арттырады.

Samsung осы жылдың төртінші тоқсанында UFS 5.0 жаппай өндірісін бір терабайтқа (ТБ) дейінгі сыйымдылықтың әртүрлі нұсқаларында бастайды. UFS 5.0 технологиясындағы осы серпіліс арқылы Samsung саланың қажеттіліктерінен озып келеді және флагмандық смартфондардан XR гарнитуралары мен тозуға болатын AI құрылғыларына дейін келесі буын құрылғылары нарықтарының өсуін қанағаттандыру үшін жеткізілім көлемін ұлғайтуды жоспарлап отыр.

Биылғы жылы саланың алғашқы жаппай өндірісі мен коммерциялық жеткізілімдерінен кейін, Samsung жасанды интеллект пен гипермасштабты инфрақұрылымның тез дамып келе жатқан есептеу талаптарын қанағаттандыру үшін HBM4E үлгілерін енгізу арқылы HBM жол картасын кеңейтуде.

«HBM4 жаппай өндірісінің сәтті аяқталғанынан кейін, Samsung компаниясы HBM4E іске қосу арқылы өзінің айқын технологиялық артықшылығын тағы да көрсетті», – деді Samsung Electronics компаниясының атқарушы вице-президенті және жад бизнесінің басшысы Сан Джун Хванг (Sang Joon Hwang). «Біздің озық өндірістік мүмкіндіктеріміз бен белсенді инфрақұрылымдық инвестицияларымыздың арқасында біз әлемдік жасанды интеллект жады нарығындағы өсімді жалғастыра береміз».

Samsung-тан HBM4E деректерді өңдеудің барған сайын қарқынды талаптарын қолдау үшін өнімділікті 16 Гбит/с дейін масштабтау мүмкіндігімен контактіге секундына 14 гигабитке (Гбит/с) дейін тұрақты деректер жылдамдығын қамтамасыз етеді. Бұл жадтың өткізу қабілеттілігін бір стекке 3,6 терабайтқа (ТБ/с) дейін жеткізу кезінде HBM4-пен салыстырғанда 20%-дан астам өсуді білдіреді, бұл үлкен тілдік модельдердің (LLM) және келесі буын жасанды интеллект жүйелерінің өңдеу қуатын барынша арттыруға көмектеседі.

Samsung-тың 12 қабатты HBM4E жады 48 гигабайт сыйымдылықта ұсынылады, бұл алдыңғы буынмен салыстырғанда 30%-ға көп. Тұтынушылардың талаптарына сәйкес желіні 32 Гб (8 қабат) және 64 ГБ (16 қабат) конфигурацияларымен кеңейту жоспарлануда.

HBM4E жады Samsung-тың кешенді жартылай өткізгіш мүмкіндіктерін толық пайдалануымен және HBM4 өндірісі кезінде жетілдірілген алдыңғы қатарлы технологияларға сүйенуімен ерекшеленеді. Бұған HBM4E-ге процестің тұрақтылығы мен өндірістің жоғары деңгейіне кепілдік беруге мүмкіндік беретін 6-шы буын 10НМ (1c) класты DRAM және 4НМ негізгі Samsung Foundry логикалық төсемі кіреді.

Samsung компаниясының HBM4E жад және логика архитектурасындағы дизайн мен процестерді оңтайландыру сонымен қатар өнімділікті, энергия тиімділігін және жарамды өнім шығымдылығын арттырады.

Атап айтқанда, төмен қуатты тұтынудың озық технологиялары мен оңтайландырылған орналасу құрылымы энергия тиімділігін 16%-ға арттыруға және жылуға төзімділік көрсеткіштерін алдыңғы буынмен салыстырғанда 14%-дан астам жақсартуға мүмкіндік берді. Бұл жақсартулар жылуды тиімдірек таратуды қамтамасыз етеді, бұл ұзақ мерзімді сенімділікке және қарқынды жұмыс жүктемесі бар келесі буын деректер орталықтарында қуат тұтынуды азайтуға кепілдік береді.

Samsung алғашқы үлгілерді жеткізу және оңтайландыру аяқталғаннан кейін пайдаланушы кестелеріне сәйкес HBM4E жаппай өндірісін бастауды жоспарлап отыр.

Ақпан айында енгізілген Samsung компаниясының HBM4 Жады туралы жаһандық пайдаланушылардың пікірлері, әсіресе оның өнімділігі мен энергия тиімділігіне қатысты өте оң болды. HBM4 жады жаппай өндіріске енген саладағы алғашқы жад болды және 11,7 Гбит/с жылдамдықты корпустағы жүйелік сынақтарда (SiP) көрсете отырып, бүкіл сегмент үшін жолақты сәтті орнатты.

Samsung компаниясының тұрақты HBM4 жеткізілімдері өскен сайын, негізгі Кристалл мен негізгі субстраттың бірдей комбинациясын пайдаланатын ең жаңа HBM4E жады жаңа буын жасанды интеллект жүйелеріндегі инновацияларды одан әрі жеделдету үшін жаппай өндіріске енеді деп күтілуде. Жад өндірісін, жартылай өткізгіштердің келісімшарттық өндірісін, логикалық схемаларды жобалауды және озық орналасуды қамтитын жан-жақты портфолиосымен Samsung қарқынды дамып келе жатқан жасанды интеллект нарығы үшін жартылай өткізгіштердің тұрақты жеткізілімін қамтамасыз етуді жалғастырады.

Samsung компаниясының NVIDIA GTC 2026 көрмесінің негізгі элементі – жаппай өндірісте жүрген және NVIDIA Vera Rubin платформасы үшін жасалған жаңа алтыншы буын HBM4 жады болады. Samsung компаниясының HBM4 жады болашақта жасанды интеллект қосымшаларын әзірлеуді жеделдетуге көмектеседі деп күтілуде, бұл 8 Гбит/с салалық стандарттан асып түсетін, секундына 11,7 гигабит (Гбит/с) тұрақты деректер өткізу қабілетін қамтамасыз етеді және 13 Гбит/с дейін масштабталуы мүмкін.

Samsung компаниясы ең озық алтыншы буын 10-нанометрлік (нм) DRAM технологиясын (1c) пайдалана отырып, тұрақты өнімділікке және салалық жетекші өнімділікке қол жеткізді. GTC 2026 сонымен қатар әрбір байланыс үшін 16 Гбит/с және секундына 4,0 терабайт (ТБ/с) өткізу қабілетін қамтамасыз ететін келесі буын HBM4E жадын ұсынады.

Келушілер сонымен қатар гибридті мыс байлау (HCB) технологиясы туралы біле алады, бұл жаңа әдіс келесі буын HBM жадын 16 немесе одан да көп қабатқа жеткізуге мүмкіндік береді, сонымен қатар термокомпрессиялық байлаумен (TCB) салыстырғанда термиялық кедергіні 20 пайыздан астамға төмендетеді.

AI дәуірін келесі деңгейге көтеретін альянс

Samsung пен NVIDIA арасындағы тығыз ынтымақтастық стендтің арнайы NVIDIA галерея аймағында көрсетіледі, онда NVIDIA AI- инфрақұрылымы үшін жасалған HBM4, SOCAMM2 және PM1763 SSD сияқты Samsung компаниясының озық технологияларының кең ауқымы ұсынылады.

AI-жүйелерінде максималды тиімділік пен масштабталу қажеттілігін қанағаттандыру үшін Samsung компаниясының SOCAMM2 төмен қуатты DRAM модулі келесі буын жасанды интеллект инфрақұрылымы үшін жоғары өткізу қабілеті мен икемді жүйелік интеграцияны ұсынатын оңтайлы сервер жады модулі болып табылады. Samsung компаниясының SOCAMM2 қазіргі уақытта жаппай өндірісте, бұл оны салада осы кезеңге жеткен алғашқы осындай шешім етеді.

Келесі буын AI сақтау жүйелеріне арналған Samsung PM1763 SSD ең соңғы PCIe 6.0 интерфейсіне негізделген, деректерді жылдам беру жылдамдығын және жоғары сыйымдылықты қамтамасыз етеді. PM1763-тің сала бойынша жетекші өнімділігі NVIDIA SCADA бағдарламалау моделін іске қосатын серверлерде көрсетіледі.

NVIDIA Vera Rubin платформасындағы жеделдетілген сақтау инфрақұрылымына арналған жаңа NVIDIA BlueField-4 STX анықтамалық архитектурасының бөлігі ретінде Samsung PM1753 SSD дискісі қуат тиімділігін және болжамды жұмыс жүктемелері үшін жүйенің өнімділігін қалай жақсартуға көмектесетінін көрсетеді.

Ақылды өндірісті масштабтауға арналған жад архитектурасы

GTC 2026 көрмесінде Samsung компаниясы NVIDIA компаниясымен жасанды интеллект зауытын дамыту бойынша ынтымақтастығын көрсетеді, оның ішінде NVIDIA компаниясының жеделдетілген есептеу мүмкіндіктерін пайдаланып, Samsung компаниясының жасанды интеллект зауытын кеңейту және NVIDIA Omniverse кітапханаларын пайдаланып цифрлық егіз өндірісті жеделдету жоспарлары бар. Бұл ынтымақтастық жад, логика, құю өндірісі және озық қаптаманы қамтитын әлемдегі ең кешенді микросызба өндірісі инфрақұрылымдарының бірін қолдайды.

Samsung Electronics компаниясының атқарушы вице-президенті және жасанды интеллект орталығының басшысы Ён Хо Сонг (Yong Ho Song), 2026 жылдың 17 наурызындағы негізгі баяндамасында екі компанияның стратегиялық ынтымақтастығын толығырақ талқылайды. «Агентке негізделген жасанды интеллектпен жартылай өткізгіш өндірісін трансформациялау: дизайн мен инженериядан өндіріске дейін» атты сессияда ол компанияның жасанды интеллект фабрикасын егжей-тегжейлі сипаттайды және жасанды интеллект пен сандық егіздердің жартылай өткізгіш өндірісін трансформациялап жатқан инновациялық нақты өмірдегі қолдану жағдайларымен бөліседі — электрондық дизайнды автоматтандыру (EDA) мен есептеу литографиясындағы жетістіктерден бастап NVIDIA компаниясымен жұмыс істейтін озық өндірістік нысандарды жобалау мен пайдалануға дейін.

Жергілікті интеллект үшін тиімді жад

Samsung-тың жад шешімдері жеке құрылғылардағы жергілікті AI тапсырмалары үшін максималды тиімділікті ұсынады. GTC 2026 барысында Samsung NVIDIA DGX Spark үшін Samsung pm9e3 және PM9E1 NAND дискілерін қоса алғанда, жеке ai суперкомпьютерлеріне арналған арнайы және тиімді шешімдерді ұсынады.

Сонымен қатар, Samsung премиум смартфондарға, планшеттерге және киюге болатын құрылғыларға үздіксіз интеграциялауға арналған DRAM – LPDDR5X және LPDDR6 шешімдерін көрсетеді, бұл деректердің жоғары өткізу қабілеттілігін және аз кідірісті қамтамасыз етеді. LPDDR5X бір контактіге 25 Гбит/с дейін жылдамдықты қамтамасыз етеді, сонымен бірге қуат тұтынуды 15 пайызға дейін төмендетеді, бұл өте жылдам мобильді жауапқа, ойындардағы жоғары ажыратымдылыққа және батареяның қызмет ету мерзіміне нұқсан келтірместен ai қолдайтын қолданбалардың жұмысына қол жеткізуге мүмкіндік береді.

Осы негізге сүйене отырып, LPDDR6 өткізу қабілеттілігін бір контактіге 30-35 Гбит/с масштабтауға дейін арттырады және адаптивті кернеуді масштабтау және динамикалық жаңартуды басқару сияқты жетілдірілген қуатты басқару функцияларын енгізеді, бұл перифериялық құрылғылардағы келесі буын AI тапсырмалары үшін қажетті өнімділікті қамтамасыз етеді.

Samsung-тың AI-фабрикасы жартылай өткізгіш өндірісінің барлық аспектілерін — жобалау және өндіріс процестерінен бастап жабдықтарға, операцияларға және сапаны бақылауға дейін — бірыңғай интеллектуалды желіге біріктіреді, онда жасанды интеллект өндіріс процестерін нақты уақыт режимінде үздіксіз талдайды, болжайды және оңтайландырады.

Samsung AI-фабрикасы дәстүрлі автоматтандырудан тысқары шығып, микросызбаларды жобалаудан бастап жабдықты пайдалануға дейін әрбір кезеңде жасалған деректердің үлкен көлемін байланыстыратын және түсіндіретін интеллектуалды өндірістік платформаға айналады.

25-жылдық ынтымақтастықтан AI-чиптер саласындағы берік одақтасуға дейін

Samsung және NVIDIA, NVIDIA видеокарталарында Samsung DRAM микросызбаларын пайдаланудан басталып, келісімшарттық өндірістік ынтымақтастық арқылы жалғасып жатқан 25 жылдан астам уақытқа созылған серіктестікті атап өтіп жатыр.

Samsung және NVIDIA ағымдағы жобаларынан басқа, HBM4 жадының келесі буынымен бірлесіп жұмыс істейді. Samsung компаниясының жоғары өткізу қабілеттілігі мен қуат тиімділігінің арқасында HBM шешімдері болашақтағы жасанды интеллект қосымшаларын әзірлеуді жеделдетуге көмектеседі және осы технологиялармен жұмыс істейтін өндірістік инфрақұрылымның негізін қалайды.

Алтыншы буын 10- нанометрлік (нм) DRAM және 4 нм технологиялық процесі бар логикалық негізгі кристалл негізінде жасалған Samsung HBM4 жадысы секундына 11 гигабитке дейінгі өңдеу жылдамдығын қамтамасыз етеді, бұл JEDEC стандартынан секундына 8 гигабиттен айтарлықтай асып түседі.

Samsung сонымен қатар HBM, GDDR және SOCAMM қоса алғанда, келесі буын жад шешімдерін әзірлеуді және келісімшарттық өндіріс қызметтерін ұсынуды жалғастырады, бұл жаһандық AI-экожүйесінде инновациялар мен масштабталуды ынталандырады.

Зияткер өндіріске жеделдетіп көшу

Алдағы жылдары Samsung NVIDIA-ның жеделдетілген есептеу технологияларын пайдаланып, AI-фабрикасын кеңейтуді және әлемдегі ең кешенді микросызба өндірісі инфрақұрылымдарының бірінде – жад пен логикадан бастап келісімшарттық өндіріске және озық қаптамаға дейін – NVIDIA Omniverse кітапханаларын пайдалана отырып, өндірістік процестерінің сандық егіздерін әзірлеуді жеделдетуді жоспарлап отыр.

Оптикалық түзету процесі (OPC) үшін NVIDIA cuLitho және CUDA-X кітапханаларын пайдалану арқылы Samsung есептеу литографиясының өнімділігін 20 -есеге арттырды. Пластинада үлгіні дәл қалыптастырудағы бұл маңызды қадам жасанды интеллектке тізбек үлгілеріндегі өзгерістерді айтарлықтай жоғары жылдамдықпен және дәлдікпен болжауға және түзетуге мүмкіндік береді, бұл әзірлеу циклдарын азайтады.

Электроникаларды жобалауды автоматтандыру (EDA) үшін компаниялар EDA саласында серіктестерімен бірлесіп, GPU жеделдетілген дизайн құралдары мен технологияларының жаңа буынын әзірлеу үстінде.

NVIDIA Omniverse кітапханаларын пайдалана отырып, Samsung фабрикаларын жұмысын виртуалды ортада көрсетуге мүмкіндік беретін сандық екі тармақты жасайды. Бұл виртуалды үлгілер ауытқуларды анықтайды, болжамды техникалық қызмет көрсетуді орындайды және физикалық әлемде өзгерістер енгізілмес бұрын өндірісті оңтайландырады.

Samsung бүкіл әлем бойынша жартылай өткізгіш операцияларында интеллект пен икемділік деңгейін арттыру үшін Тейлорды (Taylor, U.S.) қоса алғанда, өзінің жаһандық өндірістік орталықтарына AI-фабрикасының инфрақұрылымын кеңейтуге ниетті.

Генеративті AI және робототехника саласында AI-экожүйесін құру

Samsung өзінің 400 миллионнан астам құрылғысында қолданылатын AI-үлгілерін әзірлейді. Бұл үлгілер сонымен қатар Samsung-тың ішкі өндіріс жүйелеріне біріктірілген, бұл оның процестерінің зерделігімен инновациясын арттырады.

NVIDIA жеделдетілген есептеулері мен Megatron шеңберіне негізделген Samsung AI -үлгілері аударма мен көптілді қарым-қатынастан бастап ақпаратты интеллектуалды қорытындылауға дейін нақты уақыт режимінде керемет нәтижелерге қол жеткізе отырып, жетілдірілген ойлау қабілеттерін көрсетеді.

Зерделі робототехника саласында Samsung NVIDIA RTX PRO 6000 Blackwell Server Edition платформасын өндірістік автоматтандыру мен гуманоидты роботтарды дамыту, технологияны қабылдауды жеделдету және физикалық AI шешімдерінің келесі буынының дербестігін арттыру үшін пайдаланады.

Samsung сонымен қатар виртуалды модельдеу мен нақты робот деректерін біріктіру үшін әртүрлі NVIDIA AI -платформаларымен жұмыс істейді, бұл роботтарға қоршаған ортаны түсінуге, шешім қабылдауға және нақты әлемде ақылға қонымды әрекет етуге мүмкіндік береді. NVIDIA Jetson Thor робототехникалық платформасын пайдалана отырып, Samsung тапсырмаларды орындауды, нақты уақыттағы AI пайымдауын және зерделі роботтардағы қауіпсіздікті бақылауды жылдамдатады.

Компания бұл технологияларды AI және робототехниканы біріктіретін интеллектуалды өндірістік экожүйені қалыптастыра отырып, AI-фабрикасының инфрақұрылымына және бизнестің басқа бағыттарына енгізуді жоспарлап отыр.

Тұтынушылар мен индустрияны жасанды интеллект арқылы байланыстыру

Samsung сонымен қатар AI-RAN технологияларын дамыту үшін NVIDIA, кореялық телекоммуникация операторларымен, университеттермен және ғылыми-зерттеу институттарымен серіктеседі.

AI–RAN – бұл AI есептеу мүмкіндіктерін мобильді желілермен біріктіретін келесі буынның негізгі байланыс технологиясы. Ол роботтар, дрондар және өнеркәсіптік жабдықтар сияқты агенттік және физикалық AI –жүйелеріне құрылғылардың қосылу нүктелеріне жақын желілік жиек деңгейінде нақты уақыт режимінде жұмыс істеуге, деректерді қабылдауға және есептеулерді орындауға мүмкіндік береді. Мұндай AI-басқарылатын мобильді желі физикалық жасанды интеллектті кеңінен енгізу үшін маңызды «нейрондық желіге» айналады.

Бұл жоба Samsung пен NVIDIA ынтымақтастығына негізделген, бір жыл бұрын басталған және бағдарламалық жасақтамамен анықталған Samsung желісі мен NVIDIA GPU-ны біріктіру арқылы AI-RAN тұжырымдамасының дәлелін сәтті аяқтады. Компаниялар осы саладағы серіктестікті одан әрі нығайтуға ниетті.

Жетілдірілген жад технологиясының әлемдік көшбасшысы Samsung Electronics саладағы алғашқы 24 гигабиттік GDDR7¹ DRAM жадыны әзірлегенін жариялады. Саланың рекордтық сыйымдылығынан басқа, GDDR7 сонымен қатар ең жоғары жылдамдыққа ие, бұл жаңа өнімді келесі буын қолданбалары үшін оңтайлы шешім етеді.

Жоғары сыйымдылығы мен қуатты өнімділігімен 24 гигабиттік GDDR7 деректер орталықтары және жасанды интеллект жұмыс станциялары сияқты өнімділігі жоғары жад шешімдерін қажет ететін әртүрлі қолданбаларда кең қолданыс табады. Осылайша, ол дәстүрлі графикалық DRAM-дан тыс, бейне карталарға, ойын консольдеріне және автономды жүргізуге дейін пайдалануын кеңейтеді.

«Өткен жылы саладағы алғашқы 16 гигабиттік GDDR7 әзірлегеннен кейін Samsung осы жаңа жетістікпен графикалық жады нарығындағы технологиялық көшбасшылығын нығайтты, – деді Ёнчхоль Бэ (YongCheol Bae), Samsung Electronics компаниясының Memory Product Planning жөніндегі атқарушы вице-президенті. – Біз графикалық жад нарығын жасанды интеллект нарығының өсіп келе жатқан қажеттіліктеріне жауап беретін жаңа буын өнімдерімен басқаруды жалғастырамыз».

24 гигабиттік GDDR7 жады 10 нанометрлік (нм) технологиялық процессі бойынша жасалған DRAM бесінші буынын пайдаланады. Бұл бірдей корпус өлшемдерін сақтай отырып, ұяшық тығыздығын 50% арттыруға мүмкіндік береді.

Сонымен қатар, алдыңғы нұсқаға қарағанда 25% жылдамырақ болатын секундына 40 гигабит графикалық жадының рекордтық жылдамдығына жету үшін (Gbps) үш деңгейлі импульстік амплитудалық модуляция (PAM3) қолданылады. Жұмыс жағдайларына байланысты GDDR7 өнімділігін 42,5 Гбит/с дейін арттыруға болады.

Энергия тиімділігі де жақсарып, мобильді құрылғыларда бұрыннан қолданылған технологиялар алғаш рет графикалық жадқа енгізілді. Тактілік сигналдарды басқару² және қос қоректендіру кернеулі схема (VDD)³ сияқты әдістерді қолдану арқылы энергия тиімділігі жақсартылған. Бұл энергия тиімділігін 30%-дан астам жақсартуға әкеледі.

Қуатты басқару технологиясының арқасында жоғары жылдамдықта тұрақты жұмысты жақсарту үшін 24 гигабиттік GDDR7-де токтың ағуы барынша азайтылады.

Жасанды интеллектпен келесі буын 24 гигабиттік GDDR7-ні есептеу жүйелерінде тексеру ірі GPU тұтынушыларынан осы жылы басталады, ал коммерциялық операциялар келесі жылдың басында жоспарланған.

¹ Қос деректерді тасымалдау жылдамдығы бар графикалық жад 7 (GDDR7).
² Микросұлбалардың тактілік генераторларын (синхрондау сигналдарын) реттеу үшін қолданылатын әдістер.
³ Бір чипте әртүрлі кернеу деңгейлерін қамтамасыз ететін қуатты басқару әдісі.

Жадтың алдыңғы қатарлы  технологияларының әлемдік көшбасшысы Samsung Electronics, ең жоғары өнімділігі және саладағы ең үлкен сыйымдылығы бар PM9E1, PCle 5.0 қатты денелі жинауышының сериялық өндірісінің басталғанын жариялады. 5-нанометрлік процесс (нм) және сегізінші буын (V8) V-NAND технологиясы негізінде әзірленген, жеке конторллері базасында жасалған PM9E1, бұл оны кіріктірілген жасанды интеллектпен ДК үшін оңтайлы шешім ететін, қуатты өнімділік пен жоғары энергия тиімділігін қамтамасыз етеді. Алдыңғысымен (PM9A1a) салыстырғанда, өнімділік, сыйымдылық, энергия тиімділік және қауіпсіздікті қоса алғанда, қатты денелі жинаушының басты сипаттамалары жақсартылды.

«5- нм контроллермен біріктірілген біздің PM9E1 саладағы ең үздік энергия тиімділігін және негізгі серіктестеріміз растаған ең жоғары өнімділікті қамтамасыз етеді, дейді Samsung Electronics жад өнімдерін жоспарлау жөніндегі атқарушы вице-президенті Йонг-Чеол Бэ (YongCheol Bae). – Қарқынды дамып келе жатқан дәуірде Samsung компаниясының PM9E1 жасанды интеллект құрылғысы бүкіл әлем бойынша тұтынушылар үшін жасанды интеллект портфолиосын тиімді жоспарлау үшін сенімді негіз болады».

Сегіз арналы PCIe 5.0 интерфейсімен жаңа SSD-ді дәйекті оқу және жазу жылдамдығы алдыңғы буынмен салыстырғанда екі еседен астам өсті және сәйкесінше 14,5 гигабайт/с және 13 ГБ/с -қа жетті. Бұндай жоғары өнімділік деректерді қарқынды пайдаланатын ЖИ- қосымшаларында да деректерді жылдам тасымалдауды қамтамасыз етеді, бұл 14 гигабайттық үлкен тіл моделін (LLM) SSD-ден DRAM-ға бір секундтан аз уақыт ішінде жіберуге мүмкіндік береді.

PM9E1 деректерді сақтаудың бірқатар нұсқаларын ұсынады, соның ішінде 512 ГБ, 1 терабайт (ТБ), 2 ТБ және саладағы ең үлкен көлем – 4 ТБ. 4 ТБ сыйымдылығымен нұсқа  –  бұл жасанды интеллект жасаған контент, көп  дерек пен жоғары ажыратымдылықтағы видеолар сияқты үлкен көлемдегі файлдар үшін сыйымдылықты сақтауды қажет ететін ДК пайдаланушылары үшін, сондай-ақ ойындар секілді ауыр жүктеме тапсырмалары үшін оңтайлы шешім.

Сонымен қатар, бұл құрылғыларда ЖИ-қосымшаларын пайдалану үшін мінсіз жағдай жасайтын,  50% – дан астам жақсартылған энергия тиімділігі автономдық жұмыс мерзімін ұзартуға мүмкіндік береді.

Қауіпсіздік шараларын арттыру үшін Samsung PM9E1-ге 1.2 нұсқасының қауіпсіздік протоколы мен деректер үлгісін (SPDM) енгізді. Бұл SPDM стандарты «Қорғалған арна», «Құрылғы аутентификациясы» және «Микробағдарламаның түпнұсқалығын растау» технологияларын қамтиды. Өнімде сақталған деректерді, оны өндіру немесе тарату кезеңінде, қаскүнемдер қолдан жасай немесе өзгерте алатын кезде, бұл технологиялар жеткізілім тізбегіне шабуылдардың алдын алуға көмектеседі.

PM9E1 – ден бастап Samsung бүкіл әлем бойынша ДК өндірушілері үшін өзінің озық SSD дискілерінің топтамаларын кеңейтуді жоспарлап отыр. Болашақта компания жасанды интеллект құрылғылары нарығында көшбасшылық позициясын нығайту үшін PCIe 5.0 технологиясына негізделген тұтынушылық өнімдерді шығарады.

Жетілдірілген жад технологияларының жаһандық көшбасшысы Samsung Electronics төмен қуат тұтыну DRAM нарығындағы көшбасшылығын нығайта отырып, саладағы ең жұқа 12 нанометр (нм), 12 гигабайт (ГБ) және 16 ГБ LPDDR5X DRAM нұсқаларын жаппай өндіруді бастағанын хабарлады.

Микросұлбаларды өндірудегі кең тәжірибесін пайдалана отырып, Samsung өте жұқа LPDDR5X DRAM корпустарын жеткізе алады. Олар мобильді құрылғылардың ішінде ауа ағынын жақсартуға көмектесетін қосымша кеңістікті қамтамасыз ете алады. Бұл жылуды басқаруды жеңілдетеді, бұл әсіресе құрылғыдағы ЖИ сияқты жетілдірілген функциялары бар жоғары өнімді қолданбалар үшін маңызды факторға айналады.

«Samsung шығарған LPDDR5X DRAM өнімділігі жоғары ЖИ шешімдерінің жаңа стандартын белгілейді, ол тек жоғары LPDDR өнімділігін ғана емес, сонымен қатар ультра ықшам корпуста жақсартылған жылуды басқаруды ұсынады, – дейді Йонг-Чеол Бэ (YongCheol Bae), Samsung Electronics компаниясының жад өнімдерін жоспарлау жөніндегі атқарушы вице-президенті. – Біз тұтынушыларымызбен тығыз ынтымақтаса отырып, қуаттылығы төмен DRAM нарығының болашақ қажеттіліктерін қанағаттандыратын шешімдерді ұсына отырып, үздіксіз инновацияларға ұмтыламыз».

Жаңа LPDDR5X DRAM корпустарымен Samsung алдыңғы буын үлгісімен салыстырғанда қалыңдығын шамамен 9%-ға төмендететін және термиялық тұрақтылықты шамамен 21,2%-ға жақсартатын 4 стекті құрылымдағы¹ өнеркәсіптегі ең жұқа 12 нм класты LPDDR DRAM-ін ұсынады.

ПХД және эпоксидті қалыптау технологиясын оңтайландыру арқылы², жаңа LPDDR DRAM корпусы тырнақтан жұқа – 0,65 миллиметр (мм), бұл 12 ГБ және одан жоғары сыйымдылықтардағы ең жұқа LPDDR DRAM. Samsung компаниясының оңтайландырылған кері қабаттасу техпроцесі³ биіктігін азайту үшін де қолданылады.

Samsung мобильді процессорлар мен мобильді құрылғылар өндірушілеріне өзінің 0,65 мм LPDDR5X DRAM жеткізу арқылы төмен қуат тұтыну DRAM нарығын кеңейтуді жалғастыруды жоспарлап отыр. Шағын корпустарда өнімділігі жоғары, тығыздығы жоғары мобильді жад шешімдеріне сұраныс өсуіне байланысты, компания болашақ құрылғыларға арналған ең жұқа LPDDR DRAM корпустарында 6 қабатты 24 ГБ модульдер мен 8 қабатты 32 ГБ модульдерді әзірлеуді жоспарлауда.

¹ Төрт қабат құрылымы, олардың әрқайсысы екі LPDDR DRAM-дан тұрады.
² Жартылай өткізгіш чиптерді жылу, соққы және ылғал сияқты әртүрлі сыртқы әсерлерден қорғайтын материал.
³ Жартылай өткізгіш пластинаның артқы жағын ұнтақтау.