«Біз саланың алғашқы V-NAND 9-шы буынын енгізуге қуаныштымыз, ол болашақ қосымшаларды әзірлеуде серпіліс береді. NAND флэш-жад шешімдеріне өсіп келе жатқан сұранысты қанағаттандыру үшін Samsung келесі ұрпақ өнімі үшін ұяшық архитектурасы мен операциялық дизайн шекарасын кеңейтті, – дейді Сунг-Хой Хур (SungHoi Hur), Samsung Electronics компаниясының Flash Product & Technology of the Memory Business жад бөлімінің басшысы. – Біздің соңғы V-NAND көмегімен Samsung жасанды интеллекттің келешек ұрпағы қажеттіліктерін қанағаттандыру үшін өнімділігі жоғары, тығыздығы жоғары қатты күйдегі сақтау құрылғылар (SSD) нарығындағы трендті орнатуды жалғастырады».

Ең кішкентай ұяшық өлшемі мен ең жұқа қалыптың арқасында Samsung 9-шы буын V-NAND бит тығыздығын 8-ші буын V-NAND-мен салыстырғанда шамамен 50%-ға арттырды. Өнім сапасы мен сенімділігін арттыру үшін жаңа инновациялар қолданылды: ұяшықтардың араласуын болдырмау, олардың өмірін ұзарту және жалған арналардағы тесіктерді жою сияқты жад ұяшықтарының аумағын айтарлықтай азайтуға мүмкіндік берді.

Сонымен қатар, Samsung компаниясының «арна саңылауларын ою» озық технологиясы компанияның технологиялық мүмкіндіктері бойынша көшбасшылығын көрсетеді. Бұл технология кристаллизатор қабаттарының төсеуі арқылы электрондар үшін жолдар жасап, өнімділікті арттырады. Өйткені бұл саладағы ұяшық қабаттарының ең көп санын екі қабатты құрылымда бір уақытта бұрғылауға мүмкіндік береді. Ұяшық қабаттарының саны көбейген сайын, оларға ену қабілетінің маңызы арта түседі, бұл күрделірек ою әдістерін қолдануды талап етеді.

V-NAND 9-шы буыны жаңа буынды Toggle 5.1 NAND флэш жады интерфейсімен жабдықталған. Ол секундына 3,2 гигабитке (Гбит/с) дейін 33% жылдамырақ деректерді енгізу/шығару жылдамдығын қолдайды. Жаңа интерфейспен қатар, Samsung компаниясы PCIe 5.0 қолдауын кеңейту арқылы өнімділігі жоғары SSD нарығындағы позициясын нығайтуды жоспарлап отыр.

Алдыңғы буынмен салыстырғанда қуат тұтынуы да аз қуатты дизайнды жақсартудың арқасында 10%-ға жақсарды. Пайдаланушылар үшін қуатты тұтынуды және көміртегі шығарындыларын азайту маңызды болғандықтан, Samsung компаниясының 9-шы буыны V-NAND болашақ қолданбалар үшін оңтайлы шешім болады деп күтілуде.

Samsung осы айда 1TB TLC V-NAND 9-шы буынының жаппай өндірісін бастады, ал биылғы жылдың екінші жартысында төрт деңгейлі ұяшықтары бар модельді (QLC) шығару басталады.

Samsung Electronics, озық жад технологиясының әлемдік көшбасшысы, жад саласындағы алғашқы LPDDR5X DRAM әзірлегенін хабарлайды. Жаңа өнім секундына 10,7 гигабитке (Гбит/с) дейінгі саладағы жетекші өнімділікті қолдайды.

12 нанометр (нм) класты технологиялық үдерісін қолдана отырып, Samsung қолданыстағы LPDDR арасында ең кіші чип өлшеміне қол жеткізді, осылайша қуаттылығы аз DRAM нарығында өзінің технологиялық көшбасшылығын нығайтты.

«Қуат көзін үнемдейтін, өнімділігі жоғары жадқа сұраныс артқан сайын, LPDDR DRAM пайдалануы негізгі ұялы құрылғыдан дәстүрлі жоғары өнімділік пен сенімділік талап етілетін басқа аймақтарға дейін кеңейеді: компьютерлер, үдеткіштер, серверлер және көліктер сияқты, – дейді Йонг-Чеол Бэ (YongCheol Bae), Samsung Electronics компаниясындағы Memory Business бөлімшесінің жад өнімдерін жоспарлау жөніндегі атқарушы вице-президенті. – Samsung құрылғылардағы жасанды интелекттің алдағы дәуірі үшін пайдаланушылармен тығыз ынтымақтастықта оңтайландырылған өнімдерді жеткізуді және жаңартуларды енгізуді жалғастырады».

AI-мен жұмыс істейтін қосымшалардың өсуімен, құрылғылардағы жасанды интеллект барған сайын маңызды болып келеді, бұл құрылғыларда тікелей өңдеуге мүмкіндік береді. Осы жағдай өнімділігі жоғары, қуаты аз LPDDR жадының қажеттілігін көрсетеді.

Samsung компаниясының 10,7 Гбит/с жылдамдығы бар LPDDR5X алдыңғы буынмен салыстырғанда өнімділікті 25%-дан астамға және сыйымдылықты 30%-дан астамға жақсартып қана қоймай, сонымен қатар бір мобильді DRAM пакетінің сыйымдылығын 32 гигабайтқа (ГБ) дейін арттырады. Бұл жоғары өнімділікті, жоғары сыйымдылықты және қуатты үнемдейтін жадты қажет ететін құрылғыдағы AI дәуірі үшін оңтайлы шешім болып табылады.

Атап айтқанда, LPDDR5X-да арнайы қуат үнемдейтін технологиялары енгізілген: жұмыс жүктемесіне байланысты қуаттын оңтайландырылған өзгеруі және қуат үнемдеу мерзімін көбейтетін, ұзартылған төмен қуат режимінің аралықтары. Бұл жақсартулар алдыңғы буынмен салыстырғанда қуат тиімділігін 25%-ға арттырады, ұялы құрылғыларындағы батареяның қызмет ету мерзімін ұзартуға мүмкіндік беріп, серверлердің деректерді өңдеу кезінде қуат тұтынуды азайту арқылы жалпы иелену құнын (TCO) азайту үшін.

10,7 Гбит/с жылдамдығы бар LPDDR5X сериялық өндірісі жылдың екінші жартысында басталады деп жоспарлануда.