Жетілдірілген жад технологиясының әлемдік көшбасшысы Samsung Electronics саладағы алғашқы 24 гигабиттік GDDR7¹ DRAM жадыны әзірлегенін жариялады. Саланың рекордтық сыйымдылығынан басқа, GDDR7 сонымен қатар ең жоғары жылдамдыққа ие, бұл жаңа өнімді келесі буын қолданбалары үшін оңтайлы шешім етеді.

Жоғары сыйымдылығы мен қуатты өнімділігімен 24 гигабиттік GDDR7 деректер орталықтары және жасанды интеллект жұмыс станциялары сияқты өнімділігі жоғары жад шешімдерін қажет ететін әртүрлі қолданбаларда кең қолданыс табады. Осылайша, ол дәстүрлі графикалық DRAM-дан тыс, бейне карталарға, ойын консольдеріне және автономды жүргізуге дейін пайдалануын кеңейтеді.

«Өткен жылы саладағы алғашқы 16 гигабиттік GDDR7 әзірлегеннен кейін Samsung осы жаңа жетістікпен графикалық жады нарығындағы технологиялық көшбасшылығын нығайтты, – деді Ёнчхоль Бэ (YongCheol Bae), Samsung Electronics компаниясының Memory Product Planning жөніндегі атқарушы вице-президенті. – Біз графикалық жад нарығын жасанды интеллект нарығының өсіп келе жатқан қажеттіліктеріне жауап беретін жаңа буын өнімдерімен басқаруды жалғастырамыз».

24 гигабиттік GDDR7 жады 10 нанометрлік (нм) технологиялық процессі бойынша жасалған DRAM бесінші буынын пайдаланады. Бұл бірдей корпус өлшемдерін сақтай отырып, ұяшық тығыздығын 50% арттыруға мүмкіндік береді.

Сонымен қатар, алдыңғы нұсқаға қарағанда 25% жылдамырақ болатын секундына 40 гигабит графикалық жадының рекордтық жылдамдығына жету үшін (Gbps) үш деңгейлі импульстік амплитудалық модуляция (PAM3) қолданылады. Жұмыс жағдайларына байланысты GDDR7 өнімділігін 42,5 Гбит/с дейін арттыруға болады.

Энергия тиімділігі де жақсарып, мобильді құрылғыларда бұрыннан қолданылған технологиялар алғаш рет графикалық жадқа енгізілді. Тактілік сигналдарды басқару² және қос қоректендіру кернеулі схема (VDD)³ сияқты әдістерді қолдану арқылы энергия тиімділігі жақсартылған. Бұл энергия тиімділігін 30%-дан астам жақсартуға әкеледі.

Қуатты басқару технологиясының арқасында жоғары жылдамдықта тұрақты жұмысты жақсарту үшін 24 гигабиттік GDDR7-де токтың ағуы барынша азайтылады.

Жасанды интеллектпен келесі буын 24 гигабиттік GDDR7-ні есептеу жүйелерінде тексеру ірі GPU тұтынушыларынан осы жылы басталады, ал коммерциялық операциялар келесі жылдың басында жоспарланған.

¹ Қос деректерді тасымалдау жылдамдығы бар графикалық жад 7 (GDDR7).
² Микросұлбалардың тактілік генераторларын (синхрондау сигналдарын) реттеу үшін қолданылатын әдістер.
³ Бір чипте әртүрлі кернеу деңгейлерін қамтамасыз ететін қуатты басқару әдісі.

Жетілдірілген жад технологияларының жаһандық көшбасшысы Samsung Electronics төмен қуат тұтыну DRAM нарығындағы көшбасшылығын нығайта отырып, саладағы ең жұқа 12 нанометр (нм), 12 гигабайт (ГБ) және 16 ГБ LPDDR5X DRAM нұсқаларын жаппай өндіруді бастағанын хабарлады.

Микросұлбаларды өндірудегі кең тәжірибесін пайдалана отырып, Samsung өте жұқа LPDDR5X DRAM корпустарын жеткізе алады. Олар мобильді құрылғылардың ішінде ауа ағынын жақсартуға көмектесетін қосымша кеңістікті қамтамасыз ете алады. Бұл жылуды басқаруды жеңілдетеді, бұл әсіресе құрылғыдағы ЖИ сияқты жетілдірілген функциялары бар жоғары өнімді қолданбалар үшін маңызды факторға айналады.

«Samsung шығарған LPDDR5X DRAM өнімділігі жоғары ЖИ шешімдерінің жаңа стандартын белгілейді, ол тек жоғары LPDDR өнімділігін ғана емес, сонымен қатар ультра ықшам корпуста жақсартылған жылуды басқаруды ұсынады, – дейді Йонг-Чеол Бэ (YongCheol Bae), Samsung Electronics компаниясының жад өнімдерін жоспарлау жөніндегі атқарушы вице-президенті. – Біз тұтынушыларымызбен тығыз ынтымақтаса отырып, қуаттылығы төмен DRAM нарығының болашақ қажеттіліктерін қанағаттандыратын шешімдерді ұсына отырып, үздіксіз инновацияларға ұмтыламыз».

Жаңа LPDDR5X DRAM корпустарымен Samsung алдыңғы буын үлгісімен салыстырғанда қалыңдығын шамамен 9%-ға төмендететін және термиялық тұрақтылықты шамамен 21,2%-ға жақсартатын 4 стекті құрылымдағы¹ өнеркәсіптегі ең жұқа 12 нм класты LPDDR DRAM-ін ұсынады.

ПХД және эпоксидті қалыптау технологиясын оңтайландыру арқылы², жаңа LPDDR DRAM корпусы тырнақтан жұқа – 0,65 миллиметр (мм), бұл 12 ГБ және одан жоғары сыйымдылықтардағы ең жұқа LPDDR DRAM. Samsung компаниясының оңтайландырылған кері қабаттасу техпроцесі³ биіктігін азайту үшін де қолданылады.

Samsung мобильді процессорлар мен мобильді құрылғылар өндірушілеріне өзінің 0,65 мм LPDDR5X DRAM жеткізу арқылы төмен қуат тұтыну DRAM нарығын кеңейтуді жалғастыруды жоспарлап отыр. Шағын корпустарда өнімділігі жоғары, тығыздығы жоғары мобильді жад шешімдеріне сұраныс өсуіне байланысты, компания болашақ құрылғыларға арналған ең жұқа LPDDR DRAM корпустарында 6 қабатты 24 ГБ модульдер мен 8 қабатты 32 ГБ модульдерді әзірлеуді жоспарлауда.

¹ Төрт қабат құрылымы, олардың әрқайсысы екі LPDDR DRAM-дан тұрады.
² Жартылай өткізгіш чиптерді жылу, соққы және ылғал сияқты әртүрлі сыртқы әсерлерден қорғайтын материал.
³ Жартылай өткізгіш пластинаның артқы жағын ұнтақтау.

Samsung Electronics, озық жад технологиясының әлемдік көшбасшысы, жад саласындағы алғашқы LPDDR5X DRAM әзірлегенін хабарлайды. Жаңа өнім секундына 10,7 гигабитке (Гбит/с) дейінгі саладағы жетекші өнімділікті қолдайды.

12 нанометр (нм) класты технологиялық үдерісін қолдана отырып, Samsung қолданыстағы LPDDR арасында ең кіші чип өлшеміне қол жеткізді, осылайша қуаттылығы аз DRAM нарығында өзінің технологиялық көшбасшылығын нығайтты.

«Қуат көзін үнемдейтін, өнімділігі жоғары жадқа сұраныс артқан сайын, LPDDR DRAM пайдалануы негізгі ұялы құрылғыдан дәстүрлі жоғары өнімділік пен сенімділік талап етілетін басқа аймақтарға дейін кеңейеді: компьютерлер, үдеткіштер, серверлер және көліктер сияқты, – дейді Йонг-Чеол Бэ (YongCheol Bae), Samsung Electronics компаниясындағы Memory Business бөлімшесінің жад өнімдерін жоспарлау жөніндегі атқарушы вице-президенті. – Samsung құрылғылардағы жасанды интелекттің алдағы дәуірі үшін пайдаланушылармен тығыз ынтымақтастықта оңтайландырылған өнімдерді жеткізуді және жаңартуларды енгізуді жалғастырады».

AI-мен жұмыс істейтін қосымшалардың өсуімен, құрылғылардағы жасанды интеллект барған сайын маңызды болып келеді, бұл құрылғыларда тікелей өңдеуге мүмкіндік береді. Осы жағдай өнімділігі жоғары, қуаты аз LPDDR жадының қажеттілігін көрсетеді.

Samsung компаниясының 10,7 Гбит/с жылдамдығы бар LPDDR5X алдыңғы буынмен салыстырғанда өнімділікті 25%-дан астамға және сыйымдылықты 30%-дан астамға жақсартып қана қоймай, сонымен қатар бір мобильді DRAM пакетінің сыйымдылығын 32 гигабайтқа (ГБ) дейін арттырады. Бұл жоғары өнімділікті, жоғары сыйымдылықты және қуатты үнемдейтін жадты қажет ететін құрылғыдағы AI дәуірі үшін оңтайлы шешім болып табылады.

Атап айтқанда, LPDDR5X-да арнайы қуат үнемдейтін технологиялары енгізілген: жұмыс жүктемесіне байланысты қуаттын оңтайландырылған өзгеруі және қуат үнемдеу мерзімін көбейтетін, ұзартылған төмен қуат режимінің аралықтары. Бұл жақсартулар алдыңғы буынмен салыстырғанда қуат тиімділігін 25%-ға арттырады, ұялы құрылғыларындағы батареяның қызмет ету мерзімін ұзартуға мүмкіндік беріп, серверлердің деректерді өңдеу кезінде қуат тұтынуды азайту арқылы жалпы иелену құнын (TCO) азайту үшін.

10,7 Гбит/с жылдамдығы бар LPDDR5X сериялық өндірісі жылдың екінші жартысында басталады деп жоспарлануда.

Жетілдірілген жад технологиясының әлемдік көшбасшысы Samsung Electronics HBM3E 12H әзірлегенін жариялады, бұл саладағы бүгінгі күнге дейін алғашқы 12 стектік жады HBM3E DRAM және ең жоғары сыйымды HBM.

Samsung компаниясының HBM3E 12H секундына 1280 гигабайтқа (ГБ/с) дейінгі рекордтық өткізу қабілеттілігін және саладағы жетекші 36 гигабайтты (ГБ) сыйымдылықты қамтамасыз етеді. 8 стекті HBM3 8H мен салыстырғанда, екі көрсеткіш те 50%-дан астам жақсартылған.

«AI қызмет провайдерлері сыйымдылығы жоғары HBM құрылғыларын талап етуде, және біздің жаңа өнім HBM3E 12H осы қажеттілікті қанағаттандыру үшін жасалған -, дейді Samsung Electronics компаниясының жад өнімдерін жоспарлау жөніндегі атқарушы вице-президенті Йонгчеол Бэ (Yongcheol Bae). – Бұл жаңа шешім жоғары стектік HBM үшін негізгі технологияларды әзірлеуге және AI дәуіріндегі жоғары қуатты HBM нарығында технологиялық көшбасшылықты қамтамасыз етуге ұмтылысымыздың бір бөлігі болып табылады».

HBM3E 12H-де жетілдірілген термиялық қысу өткізбейтін пленка (TC NCF) пайдаланады. Бұл 12 қабатты өнімдердің 8 қабатты өнімдермен бірдей биіктікке ие болуына және заманауи HBM орау талаптарына сәйкес болуына мүмкіндік береді. Бұл технология қосымша артықшылықтар береді деп күтілуде, әсіресе жоғарырақ стектерді пайдаланған кезде. Өйткені өнеркәсіп жұқа қалыптарды қолдану кезінде пайда болатын чиптердің деформациясын азайтуға тырысады. Samsung өзінің NCF материалының қалыңдығын азайтуды жалғастыруда және жеті микрометр (мкм) құрайтын саладағы ең кішкентай чип аралығына қол жеткізді, сонымен қатар қабаттар арасындағы бос орындарды жойды. Бұл әрекеттер HBM3 8H өнімімен салыстырғанда тік тығыздықты 20%-дан астамға арттырды.

Samsung компаниясының озық TC NCF технологиясы да HBM термиялық қасиеттерін жақсартады, бұл чиптер арасында әртүрлі өлшемді бұдырларды қолдануға мүмкіндік береді. Чипті байланыстыру процесі кезінде сигналды жіберу аймақтарында кішірек біркелкі еместіктері қолданылады, ал үлкеніректері – жылуды кетіруді қажет ететін жерлерде. Бұл әдіс өнімділікті арттыруға да көмектеседі.

Жасанды интеллект қосымшалары экспоненциалды түрде өсетіндіктен, HBM3E 12H болашақ көбірек жадты қажет ететін жүйелер үшін оңтайлы шешім болып табылады. Оның жоғары өнімділігі мен сыйымдылығы тұтынушыларға ресурстарды икемді басқаруға және деректер орталықтарын иеленудің жалпы құнын (TCO) азайтуға мүмкіндік береді. Сарапшылардың пікірінше, жасанды интеллект қосымшаларында HBM3 8H-ді қолданған кезде орташа оқу жылдамдығын 34%-ға арттыруға болады деп есептейді, ал ақша алу қызметтерінің пайдаланушылар саны бір мезгілде 11,5 есе өседі .¹

Samsung компаниясы HBM3E 12H-ті серіктестеріне сынақтан өткізу үшін ұсына бастады, жаппай өндіру осы жылдың бірінші жартысына жоспарланған.

¹ Ішкі модельдеу нәтижелеріне негізделген.