Samsung Electronics және Broadcom жаңа буын АІ инфрақұрылымын дамыту үшін жад және жартылай өткізгіштерді келісімшарттық өндіру саласындағы стратегиялық ынтымақтастықты кеңейтуге бағытталған өзара түсіністік туралы меморандумға қол қойылғанын хабарлады.

Меморандумға қол қою туралы Сан-Францискодағы The Midway алаңында өткен жасанды интеллектке арналған саммитте жарияланды. Шараға Samsung Electronics компаниясының президенті және Foundry Business бөлімшесінің басшысы Джинман Хан (Jinman Han), Broadcom компаниясының президенті және бас директоры Хок Тан (Hock Tan), екі компанияның жоғары басшылары, сондай-ақ Корея Республикасы үкіметінің өкілдері қатысты.

Жад және жартылай өткізгіштерді келісімшарттық өндіру саласындағы ынтымақтастықтың жиынтық көлемі алдағы бес жылда – 2030 жылға дейін 200 млрд доллардан асады деп күтілуде.

Жад сегментінде Samsung және Broadcom Broadcom-ның келесі буын AI-жылдамдатқыштарын қолдау үшін High Bandwidth Memory (HBM) сияқты озық шешімдерді жеткізу бойынша стратегиялық ынтымақтастықты дамытуға ниетті.

Келісімшарттық өндіріс саласында ынтымақтастық Broadcom өнімдерін, соның ішінде Wireless Broadband Communications (WBC) шешімдерін шығару үшін Samsung-ның 2 нм және одан төмен технологиялық процестерін пайдалануға бағытталады. Сондай-ақ, серіктестік Samsung-тың 2 нм технологиялық процесіне негізделген озық корпус технологияларын, соның ішінде 2.3D және 2.5D интеграциясын қамтиды. Бұл анағұрлым өнімді және энергияны үнемдейтін жасанды интеллект және желілік жартылай өткізгіш шешімдерін жасауға мүмкіндік береді.

«АІ жадты, логикалық микросхемаларды және заманауи корпустау технологияларын біріктіретін тығыз интеграцияланған жартылай өткізгіш технологияларға бұрын-соңды болмаған сұранысты ынталандырады, – деп атап өтті Samsung Electronics компаниясының директорлар кеңесі төрағасының орынбасары және Device Solutions (DS) бөлімшесінің бас директоры Ён Хен Джун (Young Hyun Jun). – Осы стратегиялық маңызды бағыттарда Broadcom-мен ынтымақтастықты кеңейте отырып, біз пайдаланушыларға одан да жоғары құндылық ұсынып, болашақтың жасанды интеллект инфрақұрылымын дамытуға үлес қосамыз деп үміттенеміз».

«Жасанды интеллект инфрақұрылымының ауқымы кеңейген сайын жартылай өткізгіш экожүйе қатысушыларының тығыз өзара әрекеттесуі маңызды бола түседі, – деді Broadcom компаниясының Semiconductor Solutions Group президенті Чарли Кавас (Charlie Kawwas). – Samsung-тың жад пен келісімшарттық өндіріс саласындағы сараптамасын Broadcom-ның жасанды интеллект пен байланыс технологиялары саласындағы көшбасшылығымен біріктіре отырып, біз жаңа буынның жасанды интеллект инфрақұрылымының негізі болатын шешімдерді құруды жалғастыруға ұмтыламыз».

Жады, логикалық микросызбалар, келісімшарттық өндіріс және заманауи корпустау технологиялары саласындағы құзыреттіліктердің арқасында Samsung жасанды интеллект дәуірі үшін кешенді жартылай өткізгіш шешімдерін құруда бірегей орынға ие. Broadcom-мен ынтымақтастықты кеңейту Samsung-тың жасанды интеллект пен жоғары өнімді есептеулер саласындағы шешімдердің кең спектрі үшін кешенді жартылай өткізгіш технологиялары арқылы пайдаланушыларды қолдауға деген тұрақты адалдығын растайды.

Жетілдірілген жад технологиясының әлемдік көшбасшысы Samsung Electronics HBM3E 12H әзірлегенін жариялады, бұл саладағы бүгінгі күнге дейін алғашқы 12 стектік жады HBM3E DRAM және ең жоғары сыйымды HBM.

Samsung компаниясының HBM3E 12H секундына 1280 гигабайтқа (ГБ/с) дейінгі рекордтық өткізу қабілеттілігін және саладағы жетекші 36 гигабайтты (ГБ) сыйымдылықты қамтамасыз етеді. 8 стекті HBM3 8H мен салыстырғанда, екі көрсеткіш те 50%-дан астам жақсартылған.

«AI қызмет провайдерлері сыйымдылығы жоғары HBM құрылғыларын талап етуде, және біздің жаңа өнім HBM3E 12H осы қажеттілікті қанағаттандыру үшін жасалған -, дейді Samsung Electronics компаниясының жад өнімдерін жоспарлау жөніндегі атқарушы вице-президенті Йонгчеол Бэ (Yongcheol Bae). – Бұл жаңа шешім жоғары стектік HBM үшін негізгі технологияларды әзірлеуге және AI дәуіріндегі жоғары қуатты HBM нарығында технологиялық көшбасшылықты қамтамасыз етуге ұмтылысымыздың бір бөлігі болып табылады».

HBM3E 12H-де жетілдірілген термиялық қысу өткізбейтін пленка (TC NCF) пайдаланады. Бұл 12 қабатты өнімдердің 8 қабатты өнімдермен бірдей биіктікке ие болуына және заманауи HBM орау талаптарына сәйкес болуына мүмкіндік береді. Бұл технология қосымша артықшылықтар береді деп күтілуде, әсіресе жоғарырақ стектерді пайдаланған кезде. Өйткені өнеркәсіп жұқа қалыптарды қолдану кезінде пайда болатын чиптердің деформациясын азайтуға тырысады. Samsung өзінің NCF материалының қалыңдығын азайтуды жалғастыруда және жеті микрометр (мкм) құрайтын саладағы ең кішкентай чип аралығына қол жеткізді, сонымен қатар қабаттар арасындағы бос орындарды жойды. Бұл әрекеттер HBM3 8H өнімімен салыстырғанда тік тығыздықты 20%-дан астамға арттырды.

Samsung компаниясының озық TC NCF технологиясы да HBM термиялық қасиеттерін жақсартады, бұл чиптер арасында әртүрлі өлшемді бұдырларды қолдануға мүмкіндік береді. Чипті байланыстыру процесі кезінде сигналды жіберу аймақтарында кішірек біркелкі еместіктері қолданылады, ал үлкеніректері – жылуды кетіруді қажет ететін жерлерде. Бұл әдіс өнімділікті арттыруға да көмектеседі.

Жасанды интеллект қосымшалары экспоненциалды түрде өсетіндіктен, HBM3E 12H болашақ көбірек жадты қажет ететін жүйелер үшін оңтайлы шешім болып табылады. Оның жоғары өнімділігі мен сыйымдылығы тұтынушыларға ресурстарды икемді басқаруға және деректер орталықтарын иеленудің жалпы құнын (TCO) азайтуға мүмкіндік береді. Сарапшылардың пікірінше, жасанды интеллект қосымшаларында HBM3 8H-ді қолданған кезде орташа оқу жылдамдығын 34%-ға арттыруға болады деп есептейді, ал ақша алу қызметтерінің пайдаланушылар саны бір мезгілде 11,5 есе өседі .¹

Samsung компаниясы HBM3E 12H-ті серіктестеріне сынақтан өткізу үшін ұсына бастады, жаппай өндіру осы жылдың бірінші жартысына жоспарланған.

¹ Ішкі модельдеу нәтижелеріне негізделген.