Биылғы жылы саланың алғашқы жаппай өндірісі мен коммерциялық жеткізілімдерінен кейін, Samsung жасанды интеллект пен гипермасштабты инфрақұрылымның тез дамып келе жатқан есептеу талаптарын қанағаттандыру үшін HBM4E үлгілерін енгізу арқылы HBM жол картасын кеңейтуде.

«HBM4 жаппай өндірісінің сәтті аяқталғанынан кейін, Samsung компаниясы HBM4E іске қосу арқылы өзінің айқын технологиялық артықшылығын тағы да көрсетті», – деді Samsung Electronics компаниясының атқарушы вице-президенті және жад бизнесінің басшысы Сан Джун Хванг (Sang Joon Hwang). «Біздің озық өндірістік мүмкіндіктеріміз бен белсенді инфрақұрылымдық инвестицияларымыздың арқасында біз әлемдік жасанды интеллект жады нарығындағы өсімді жалғастыра береміз».

Samsung-тан HBM4E деректерді өңдеудің барған сайын қарқынды талаптарын қолдау үшін өнімділікті 16 Гбит/с дейін масштабтау мүмкіндігімен контактіге секундына 14 гигабитке (Гбит/с) дейін тұрақты деректер жылдамдығын қамтамасыз етеді. Бұл жадтың өткізу қабілеттілігін бір стекке 3,6 терабайтқа (ТБ/с) дейін жеткізу кезінде HBM4-пен салыстырғанда 20%-дан астам өсуді білдіреді, бұл үлкен тілдік модельдердің (LLM) және келесі буын жасанды интеллект жүйелерінің өңдеу қуатын барынша арттыруға көмектеседі.

Samsung-тың 12 қабатты HBM4E жады 48 гигабайт сыйымдылықта ұсынылады, бұл алдыңғы буынмен салыстырғанда 30%-ға көп. Тұтынушылардың талаптарына сәйкес желіні 32 Гб (8 қабат) және 64 ГБ (16 қабат) конфигурацияларымен кеңейту жоспарлануда.

HBM4E жады Samsung-тың кешенді жартылай өткізгіш мүмкіндіктерін толық пайдалануымен және HBM4 өндірісі кезінде жетілдірілген алдыңғы қатарлы технологияларға сүйенуімен ерекшеленеді. Бұған HBM4E-ге процестің тұрақтылығы мен өндірістің жоғары деңгейіне кепілдік беруге мүмкіндік беретін 6-шы буын 10НМ (1c) класты DRAM және 4НМ негізгі Samsung Foundry логикалық төсемі кіреді.

Samsung компаниясының HBM4E жад және логика архитектурасындағы дизайн мен процестерді оңтайландыру сонымен қатар өнімділікті, энергия тиімділігін және жарамды өнім шығымдылығын арттырады.

Атап айтқанда, төмен қуатты тұтынудың озық технологиялары мен оңтайландырылған орналасу құрылымы энергия тиімділігін 16%-ға арттыруға және жылуға төзімділік көрсеткіштерін алдыңғы буынмен салыстырғанда 14%-дан астам жақсартуға мүмкіндік берді. Бұл жақсартулар жылуды тиімдірек таратуды қамтамасыз етеді, бұл ұзақ мерзімді сенімділікке және қарқынды жұмыс жүктемесі бар келесі буын деректер орталықтарында қуат тұтынуды азайтуға кепілдік береді.

Samsung алғашқы үлгілерді жеткізу және оңтайландыру аяқталғаннан кейін пайдаланушы кестелеріне сәйкес HBM4E жаппай өндірісін бастауды жоспарлап отыр.

Ақпан айында енгізілген Samsung компаниясының HBM4 Жады туралы жаһандық пайдаланушылардың пікірлері, әсіресе оның өнімділігі мен энергия тиімділігіне қатысты өте оң болды. HBM4 жады жаппай өндіріске енген саладағы алғашқы жад болды және 11,7 Гбит/с жылдамдықты корпустағы жүйелік сынақтарда (SiP) көрсете отырып, бүкіл сегмент үшін жолақты сәтті орнатты.

Samsung компаниясының тұрақты HBM4 жеткізілімдері өскен сайын, негізгі Кристалл мен негізгі субстраттың бірдей комбинациясын пайдаланатын ең жаңа HBM4E жады жаңа буын жасанды интеллект жүйелеріндегі инновацияларды одан әрі жеделдету үшін жаппай өндіріске енеді деп күтілуде. Жад өндірісін, жартылай өткізгіштердің келісімшарттық өндірісін, логикалық схемаларды жобалауды және озық орналасуды қамтитын жан-жақты портфолиосымен Samsung қарқынды дамып келе жатқан жасанды интеллект нарығы үшін жартылай өткізгіштердің тұрақты жеткізілімін қамтамасыз етуді жалғастырады.

Samsung компаниясының NVIDIA GTC 2026 көрмесінің негізгі элементі – жаппай өндірісте жүрген және NVIDIA Vera Rubin платформасы үшін жасалған жаңа алтыншы буын HBM4 жады болады. Samsung компаниясының HBM4 жады болашақта жасанды интеллект қосымшаларын әзірлеуді жеделдетуге көмектеседі деп күтілуде, бұл 8 Гбит/с салалық стандарттан асып түсетін, секундына 11,7 гигабит (Гбит/с) тұрақты деректер өткізу қабілетін қамтамасыз етеді және 13 Гбит/с дейін масштабталуы мүмкін.

Samsung компаниясы ең озық алтыншы буын 10-нанометрлік (нм) DRAM технологиясын (1c) пайдалана отырып, тұрақты өнімділікке және салалық жетекші өнімділікке қол жеткізді. GTC 2026 сонымен қатар әрбір байланыс үшін 16 Гбит/с және секундына 4,0 терабайт (ТБ/с) өткізу қабілетін қамтамасыз ететін келесі буын HBM4E жадын ұсынады.

Келушілер сонымен қатар гибридті мыс байлау (HCB) технологиясы туралы біле алады, бұл жаңа әдіс келесі буын HBM жадын 16 немесе одан да көп қабатқа жеткізуге мүмкіндік береді, сонымен қатар термокомпрессиялық байлаумен (TCB) салыстырғанда термиялық кедергіні 20 пайыздан астамға төмендетеді.

AI дәуірін келесі деңгейге көтеретін альянс

Samsung пен NVIDIA арасындағы тығыз ынтымақтастық стендтің арнайы NVIDIA галерея аймағында көрсетіледі, онда NVIDIA AI- инфрақұрылымы үшін жасалған HBM4, SOCAMM2 және PM1763 SSD сияқты Samsung компаниясының озық технологияларының кең ауқымы ұсынылады.

AI-жүйелерінде максималды тиімділік пен масштабталу қажеттілігін қанағаттандыру үшін Samsung компаниясының SOCAMM2 төмен қуатты DRAM модулі келесі буын жасанды интеллект инфрақұрылымы үшін жоғары өткізу қабілеті мен икемді жүйелік интеграцияны ұсынатын оңтайлы сервер жады модулі болып табылады. Samsung компаниясының SOCAMM2 қазіргі уақытта жаппай өндірісте, бұл оны салада осы кезеңге жеткен алғашқы осындай шешім етеді.

Келесі буын AI сақтау жүйелеріне арналған Samsung PM1763 SSD ең соңғы PCIe 6.0 интерфейсіне негізделген, деректерді жылдам беру жылдамдығын және жоғары сыйымдылықты қамтамасыз етеді. PM1763-тің сала бойынша жетекші өнімділігі NVIDIA SCADA бағдарламалау моделін іске қосатын серверлерде көрсетіледі.

NVIDIA Vera Rubin платформасындағы жеделдетілген сақтау инфрақұрылымына арналған жаңа NVIDIA BlueField-4 STX анықтамалық архитектурасының бөлігі ретінде Samsung PM1753 SSD дискісі қуат тиімділігін және болжамды жұмыс жүктемелері үшін жүйенің өнімділігін қалай жақсартуға көмектесетінін көрсетеді.

Ақылды өндірісті масштабтауға арналған жад архитектурасы

GTC 2026 көрмесінде Samsung компаниясы NVIDIA компаниясымен жасанды интеллект зауытын дамыту бойынша ынтымақтастығын көрсетеді, оның ішінде NVIDIA компаниясының жеделдетілген есептеу мүмкіндіктерін пайдаланып, Samsung компаниясының жасанды интеллект зауытын кеңейту және NVIDIA Omniverse кітапханаларын пайдаланып цифрлық егіз өндірісті жеделдету жоспарлары бар. Бұл ынтымақтастық жад, логика, құю өндірісі және озық қаптаманы қамтитын әлемдегі ең кешенді микросызба өндірісі инфрақұрылымдарының бірін қолдайды.

Samsung Electronics компаниясының атқарушы вице-президенті және жасанды интеллект орталығының басшысы Ён Хо Сонг (Yong Ho Song), 2026 жылдың 17 наурызындағы негізгі баяндамасында екі компанияның стратегиялық ынтымақтастығын толығырақ талқылайды. «Агентке негізделген жасанды интеллектпен жартылай өткізгіш өндірісін трансформациялау: дизайн мен инженериядан өндіріске дейін» атты сессияда ол компанияның жасанды интеллект фабрикасын егжей-тегжейлі сипаттайды және жасанды интеллект пен сандық егіздердің жартылай өткізгіш өндірісін трансформациялап жатқан инновациялық нақты өмірдегі қолдану жағдайларымен бөліседі — электрондық дизайнды автоматтандыру (EDA) мен есептеу литографиясындағы жетістіктерден бастап NVIDIA компаниясымен жұмыс істейтін озық өндірістік нысандарды жобалау мен пайдалануға дейін.

Жергілікті интеллект үшін тиімді жад

Samsung-тың жад шешімдері жеке құрылғылардағы жергілікті AI тапсырмалары үшін максималды тиімділікті ұсынады. GTC 2026 барысында Samsung NVIDIA DGX Spark үшін Samsung pm9e3 және PM9E1 NAND дискілерін қоса алғанда, жеке ai суперкомпьютерлеріне арналған арнайы және тиімді шешімдерді ұсынады.

Сонымен қатар, Samsung премиум смартфондарға, планшеттерге және киюге болатын құрылғыларға үздіксіз интеграциялауға арналған DRAM – LPDDR5X және LPDDR6 шешімдерін көрсетеді, бұл деректердің жоғары өткізу қабілеттілігін және аз кідірісті қамтамасыз етеді. LPDDR5X бір контактіге 25 Гбит/с дейін жылдамдықты қамтамасыз етеді, сонымен бірге қуат тұтынуды 15 пайызға дейін төмендетеді, бұл өте жылдам мобильді жауапқа, ойындардағы жоғары ажыратымдылыққа және батареяның қызмет ету мерзіміне нұқсан келтірместен ai қолдайтын қолданбалардың жұмысына қол жеткізуге мүмкіндік береді.

Осы негізге сүйене отырып, LPDDR6 өткізу қабілеттілігін бір контактіге 30-35 Гбит/с масштабтауға дейін арттырады және адаптивті кернеуді масштабтау және динамикалық жаңартуды басқару сияқты жетілдірілген қуатты басқару функцияларын енгізеді, бұл перифериялық құрылғылардағы келесі буын AI тапсырмалары үшін қажетті өнімділікті қамтамасыз етеді.