Жетілдірілген жад технологияларының жаһандық көшбасшысы Samsung Electronics төмен қуат тұтыну DRAM нарығындағы көшбасшылығын нығайта отырып, саладағы ең жұқа 12 нанометр (нм), 12 гигабайт (ГБ) және 16 ГБ LPDDR5X DRAM нұсқаларын жаппай өндіруді бастағанын хабарлады.

Микросұлбаларды өндірудегі кең тәжірибесін пайдалана отырып, Samsung өте жұқа LPDDR5X DRAM корпустарын жеткізе алады. Олар мобильді құрылғылардың ішінде ауа ағынын жақсартуға көмектесетін қосымша кеңістікті қамтамасыз ете алады. Бұл жылуды басқаруды жеңілдетеді, бұл әсіресе құрылғыдағы ЖИ сияқты жетілдірілген функциялары бар жоғары өнімді қолданбалар үшін маңызды факторға айналады.

«Samsung шығарған LPDDR5X DRAM өнімділігі жоғары ЖИ шешімдерінің жаңа стандартын белгілейді, ол тек жоғары LPDDR өнімділігін ғана емес, сонымен қатар ультра ықшам корпуста жақсартылған жылуды басқаруды ұсынады, – дейді Йонг-Чеол Бэ (YongCheol Bae), Samsung Electronics компаниясының жад өнімдерін жоспарлау жөніндегі атқарушы вице-президенті. – Біз тұтынушыларымызбен тығыз ынтымақтаса отырып, қуаттылығы төмен DRAM нарығының болашақ қажеттіліктерін қанағаттандыратын шешімдерді ұсына отырып, үздіксіз инновацияларға ұмтыламыз».

Жаңа LPDDR5X DRAM корпустарымен Samsung алдыңғы буын үлгісімен салыстырғанда қалыңдығын шамамен 9%-ға төмендететін және термиялық тұрақтылықты шамамен 21,2%-ға жақсартатын 4 стекті құрылымдағы¹ өнеркәсіптегі ең жұқа 12 нм класты LPDDR DRAM-ін ұсынады.

ПХД және эпоксидті қалыптау технологиясын оңтайландыру арқылы², жаңа LPDDR DRAM корпусы тырнақтан жұқа – 0,65 миллиметр (мм), бұл 12 ГБ және одан жоғары сыйымдылықтардағы ең жұқа LPDDR DRAM. Samsung компаниясының оңтайландырылған кері қабаттасу техпроцесі³ биіктігін азайту үшін де қолданылады.

Samsung мобильді процессорлар мен мобильді құрылғылар өндірушілеріне өзінің 0,65 мм LPDDR5X DRAM жеткізу арқылы төмен қуат тұтыну DRAM нарығын кеңейтуді жалғастыруды жоспарлап отыр. Шағын корпустарда өнімділігі жоғары, тығыздығы жоғары мобильді жад шешімдеріне сұраныс өсуіне байланысты, компания болашақ құрылғыларға арналған ең жұқа LPDDR DRAM корпустарында 6 қабатты 24 ГБ модульдер мен 8 қабатты 32 ГБ модульдерді әзірлеуді жоспарлауда.

¹ Төрт қабат құрылымы, олардың әрқайсысы екі LPDDR DRAM-дан тұрады.
² Жартылай өткізгіш чиптерді жылу, соққы және ылғал сияқты әртүрлі сыртқы әсерлерден қорғайтын материал.
³ Жартылай өткізгіш пластинаның артқы жағын ұнтақтау.