Центральным экспонатом Samsung на NVIDIA GTC 2026 станет новая память HBM4 шестого поколения, которая уже запущена в массовое производство и разработана для платформы NVIDIA Vera Rubin. Ожидается, что HBM4 от Samsung поможет ускорить разработку будущих AI-приложений, обеспечивая стабильную скорость обработки данных 11,7 гигабит в секунду (Гбит/с), что превышает отраслевой стандарт в 8 Гбит/с, и может быть увеличена до 13 Гбит/с.

Используя самый передовой технологический процесс DRAM 10-нанометрового (нм) класса шестого поколения (1c), Samsung достигла стабильного выхода годных кристаллов и ведущей в отрасли производительности. На выставке GTC 2026 также будет впервые представлено следующее поколение памяти – HBM4E, обеспечивающее скорость 16 Гбит/с на контакт и пропускную способность 4,0 терабайта в секунду (ТБ/с).

Посетители также смогут ознакомиться с технологией гибридного медного соединения (HCB) – новым методом, который позволит памяти HBM следующего поколения достигать 16 и более слоев, снижая при этом тепловое сопротивление более чем на 20 процентов по сравнению с методом термокомпрессионной сварки (TCB).

Альянс, который выводит эру AI на новый уровень

Тесное сотрудничество между Samsung и NVIDIA будет подчеркнуто в отдельной зоне стенда NVIDIA Gallery, где будет представлена широкая линейка передовых технологий Samsung, таких как HBM4, SOCAMM2 и SSD-накопитель PM1763, разработанных для AI-инфраструктуры NVIDIA.

Отвечая на потребность в максимальной эффективности и масштабируемости AI-систем, модуль SOCAMM2 от Samsung на базе DRAM с низким энергопотреблением представляет собой оптимальный модуль серверной памяти, предлагающий высокую пропускную способность и гибкую системную интеграцию для AI-инфраструктуры следующего поколения. В настоящее время SOCAMM2 от Samsung находится в массовом производстве, став первым подобным решением в отрасли, достигшим этого этапа.

Разработанный для систем хранения данных AI следующего поколения, SSD-накопитель Samsung PM1763 основан на новейшем интерфейсе PCIe 6.0, обеспечивающем быструю передачу данных и большую емкость. Ведущая в отрасли производительность PM1763 будет продемонстрирована на серверах, работающих с моделью программирования NVIDIA SCADA.

В рамках новой референсной архитектуры NVIDIA BlueField-4 STX для ускоренной инфраструктуры хранения данных в платформе NVIDIA Vera Rubin, SSD-накопитель Samsung PM1753 продемонстрирует, как он помогает повысить энергоэффективность и производительность системы для задач логического вывода.

Архитектура памяти для масштабирования интеллектуального производства

На GTC 2026 Samsung продемонстрирует сотрудничество с NVIDIA по разработке AI-фабрик (AI Factory), включая планы по внедрению ускоренных вычислений NVIDIA для масштабирования AI-фабрики Samsung и ускорения производства цифровых двойников с использованием библиотек NVIDIA Omniverse. Это сотрудничество лежит в основе одной из самых комплексных в мире инфраструктур по производству микросхем, охватывающей память, логику, литейное производство и передовую упаковку.

Отдельно Ён Хо Сонг (Yong Ho Song), исполнительный вице-президент и глава AI-центра в Samsung Electronics, более подробно расскажет о стратегическом сотрудничестве двух компаний в ходе своего выступления 17 марта 2026 года. В рамках сессии под названием «Трансформация производства полупроводников с помощью агентного AI: от проектирования и инженерии до производства» он подробно опишет AI-фабрику компании и поделится инновационными примерами реального использования, где AI и цифровые двойники меняют производство полупроводников – от прорывов в области автоматизации проектирования электроники (EDA) и вычислительной литографии до проектирования и эксплуатации передовых производственных мощностей на базе технологий NVIDIA.

Эффективная память для локального интеллекта

Решения Samsung в области памяти также предлагают максимальную эффективность для локальных AI-задач на персональных устройствах. В ходе GTC 2026 Samsung представит специализированные и эффективные решения для персональных AI-суперкомпьютеров, включая накопители Samsung PM9E3 и PM9E1 NAND для NVIDIA DGX Spark.

Кроме того, Samsung продемонстрирует решения DRAM – LPDDR5X и LPDDR6, разработанные для бесшовной интеграции в премиальные смартфоны, планшеты и носимые устройства, обеспечивая более высокую пропускную способность данных и меньшую задержку. LPDDR5X обеспечивает скорость до 25 Гбит/с на контакт, снижая при этом энергопотребление до 15 процентов, что позволяет достичь сверхбыстрого отклика мобильных устройств, высокого разрешения в играх и работы приложений с поддержкой AI без ущерба для времени автономной работы.

Опираясь на этот фундамент, LPDDR6 увеличивает пропускную способность до масштабируемых 30–35 Гбит/с на контакт и внедряет передовые функции управления питанием, такие как адаптивное масштабирование напряжения и динамическое управление обновлением, которые в совокупности обеспечивают производительность, необходимую для AI-задач следующего поколения на периферийных устройствах.

AI-фабрика Samsung объединит все аспекты производства полупроводников – от проектирования и технологических процессов до оборудования, операций и контроля качества – в единую интеллектуальную сеть, где искусственный интеллект будет непрерывно анализировать, прогнозировать и оптимизировать производственные процессы в режиме реального времени.

AI-фабрика Samsung выходит за рамки традиционной автоматизации, превращаясь в интеллектуальную производственную платформу, которая связывает и интерпретирует огромные объемы данных, генерируемых на всех этапах – от проектирования микросхем до работы оборудования.

От 25-летнего сотрудничества к прочному альянсу в области AI-чипов

Samsung и NVIDIA отмечают более чем 25-летнее партнерство, начавшееся с использования микросхем DRAM Samsung в ранних видеокартах NVIDIA и продолжающееся в рамках сотрудничества в сфере контрактного производства.

Кроме текущих проектов, Samsung и NVIDIA работают над новым поколением памяти HBM4. Благодаря высокой пропускной способности и энергоэффективности, передовые решения Samsung в области HBM помогут ускорить развитие будущих AI-приложений и станут основой для производственной инфраструктуры, управляемой этими технологиями.

Созданная на базе шестого поколения 10-нанометрового (нм) DRAM и логического базового кристалла с технологическим процессом 4 нм, память Samsung HBM4 обеспечивает скорость обработки до 11 гигабит в секунду, значительно превосходя стандарт JEDEC в 8 гигабит в секунду.

Samsung также продолжит развивать решения следующего поколения в области памяти, включая HBM, GDDR и SOCAMM, а также предоставлять услуги контрактного производства, способствуя инновациям и масштабированию в глобальной AI-экосистеме.

Ускоренный переход к интеллектуальному производству

В течение ближайших лет Samsung планирует использовать ускоренные вычислительные технологии NVIDIA для масштабирования своей AI-фабрики и ускорения разработки цифровых двойников производственных процессов на базе библиотек NVIDIA Omniverse в рамках одной из самых комплексных в мире инфраструктур по производству микросхем – от памяти и логики до контрактного производства и продвинутой упаковки.

Используя библиотеки NVIDIA cuLitho и CUDA-X для процесса оптической коррекции (OPC), Samsung добилась 20-кратного роста производительности в вычислительной литографии. Этот важный этап точного формирования рисунка на пластине позволяет искусственному интеллекту предсказывать и корректировать вариации в шаблонах схем с гораздо большей скоростью и точностью, сокращая циклы разработки.

Для автоматизации проектирования электроники (EDA) компании сотрудничают с партнерами в сфере EDA над созданием инструментов и технологий проектирования нового поколения, ускоряемых с помощью GPU.

Используя библиотеки NVIDIA Omniverse, Samsung создает цифровые двойники, которые позволяют визуализировать работу фабрик в виртуальной среде. Эти виртуальные модели выявляют аномалии, проводят предиктивное обслуживание и оптимизируют производство до внесения изменений в физическом мире.

Samsung намерена расширить инфраструктуру AI-фабрики на свои глобальные производственные центры, включая Тейлор (Taylor, U.S.), чтобы повысить уровень интеллекта и гибкости в своих полупроводниковых операциях по всему миру.

Формирование AI-экосистемы в области генеративного AI и робототехники

Samsung разрабатывает собственные AI-модели, которые используются более чем в 400 миллионах устройств компании. Эти модели также интегрированы во внутренние производственные системы Samsung, повышая интеллектуальность и инновационность процессов.

Построенные на базе ускоренных вычислений NVIDIA и фреймворка Megatron, AI-модели Samsung демонстрируют продвинутые способности рассуждения, обеспечивая выдающиеся результаты в реальном времени – от перевода и многоязычного общения до интеллектуального суммирования информации.

В области интеллектуальной робототехники Samsung использует платформу NVIDIA RTX PRO 6000 Blackwell Server Edition для развития производственной автоматизации и гуманоидных роботов, ускоряя внедрение технологий и повышая автономность решений физического AI следующего поколения.

Samsung также работает с различными AI-платформами NVIDIA для объединения виртуальных симуляций и данных реальных роботов, что позволяет роботам понимать окружение, принимать решения и действовать разумно в реальных условиях. Используя робототехническую платформу NVIDIA Jetson Thor, Samsung ускоряет выполнение задач, рассуждение AI в реальном времени и контроль безопасности в интеллектуальных роботах.

Компания планирует внедрять эти технологии в инфраструктуру AI-фабрики и другие направления бизнеса, формируя интеллектуальную производственную экосистему, объединяющую AI и робототехнику.

Связывая потребителей и индустрию через искусственный интеллект

Samsung также сотрудничает с NVIDIA, корейскими телекоммуникационными операторами, университетами и исследовательскими институтами для развития технологий AI-RAN.

AI-RAN – это ключевая технология связи следующего поколения, которая объединяет вычислительные возможности AI с мобильными сетями. Она позволяет агентным и физическим AI-системам – таким как роботы, дроны и промышленное оборудование – работать, воспринимать данные и выполнять вычисления в режиме реального времени на уровне сетевого края, ближе к точкам подключения устройств. Такая AI-управляемая мобильная сеть станет важнейшей «нейронной сетью» для широкого внедрения физического искусственного интеллекта.

Этот проект опирается на сотрудничество Samsung и NVIDIA, начавшееся годом ранее и успешно завершившее доказательство концепции AI-RAN, объединив программно определяемую сеть Samsung и GPU NVIDIA. Компании намерены и дальше укреплять партнерство в этой области.

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о разработке первой в отрасли 24-гигабитной памяти GDDR7¹  DRAM. Помимо рекордной емкости в отрасли, GDDR7 также отличается самой высокой скоростью, что делает новинку оптимальным решением для приложений следующего поколения.

Благодаря высокой емкости и мощной производительности, 24-гигабитная GDDR7 найдет широкое применение в различных областях, требующих высокопроизводительных решений памяти, таких как центры обработки данных и рабочие станции с искусственным интеллектом, расширяя свое использование за пределы традиционных графических DRAM для видеокарт, игровых консолей и автономного вождения.

«После разработки первой в отрасли 16-гигабитной GDDR7 в прошлом году Samsung укрепила свое технологическое лидерство на рынке графической памяти, благодаря этому новому достижению, – заявил Ёнчхоль Бэ (YongCheol Bae), исполнительный вице-президент направления Memory Product Planning компании Samsung Electronics. – Мы продолжим возглавлять рынок графической памяти, выпуская продукты следующего поколения, соответствующие растущим потребностям рынка искусственного интеллекта».

24-гигабитная GDDR7 использует пятое поколение DRAM, выполненное по 10-нанометровому (нм) техпроцессу, что позволяет увеличить плотность ячеек на 50%, сохраняя прежние размеры корпуса.

Кроме того, для достижения рекордной скорости графической памяти в 40 гигабит в секунду (Gbps), что на 25% быстрее предыдущей версии, используется трехуровневая амплитудная модуляция импульсов (PAM3). В зависимости от условий эксплуатации производительность GDDR7 может быть увеличена до 42,5 Гбит/с.

Энергоэффективность также улучшена, благодаря применению технологий, которые ранее использовались в мобильных устройствах, впервые в графической памяти. Благодаря применению таких методов, как управление тактовыми сигналами² и схема с двойным напряжением питания (VDD),³ можно значительно снизить ненужное энергопотребление, что приводит к улучшению энергоэффективности на более чем 30%.

Для повышения стабильности работы при высоких скоростях в 24-гигабитной GDDR7 минимизирована утечка тока, благодаря технологии управления питанием.

Проверка 24-гигабитной GDDR7 в вычислительных системах следующего поколения с искусственным интеллектом от крупных заказчиков GPU начнется в этом году, а коммерческое внедрение планируется на начало следующего года.

¹ Графическая память с двойной скоростью передачи данных 7 (GDDR7)

² Методы, используемые для регулирования тактовых генераторов (сигналов синхронизации) микросхем.

³ Техника управления питанием, которая обеспечивает разные уровни напряжения в одной микросхеме.

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале серийного производства PM9E1, твердотельного накопителя PCle 5.0 с самой высокой производительностью и самой большой емкостью в отрасли. PM9E1, cозданный на базе собственного контроллера, изготовленного по 5-нанометровому техпроцессу (нм), и технологии V-NAND восьмого поколения (V8), обеспечивает мощную производительность и повышенную энергоэффективность, что делает его оптимальным решением для ПК со встроенным искусственным интеллектом. По сравнению с предшественником (PM9A1a) были улучшены ключевые характеристики твердотельных накопителей, включая производительность, емкость, энергоэффективность и безопасность.

«Наш PM9E1, интегрированный с 5-нм контроллером, обеспечивает лучшую в отрасли энергоэффективность и высочайшую производительность, подтвержденную нашими ключевыми партнерами, – говорит Йонг-Чеол Бэ (YongCheol Bae), исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти Samsung Electronics. – В стремительно развивающуюся эпоху устройства с искусственным интеллектом PM9E1 от Samsung станет надежной основой для эффективного планирования портфолио искусственного интеллекта для клиентов по всему миру».

Благодаря восьмиканальному интерфейсу PCIe 5.0, скорость последовательного чтения и записи нового SSD более чем удвоилась по сравнению с предыдущим поколением и достигла 14,5 гигабайт/с и 13 ГБ/с соответственно. Такая высокая производительность обеспечивает более быструю передачу данных даже в ИИ-приложениях с интенсивным использованием данных, позволяя передавать 14-гигабайтную модель большого языка (LLM) с SSD на DRAM менее чем за секунду.

PM9E1 предлагает ряд вариантов хранения данных, включая 512 ГБ, 1 терабайт (ТБ), 2 ТБ и самый большой в отрасли объем – 4 ТБ. Вариант с емкостью 4 ТБ – оптимальное решение для пользователей ПК, которым требуется емкое хранилище для файлов большого размера, таких как контент, созданный искусственным интеллектом, программы с большим объемом данных и видео высокого разрешения, а также для задач с интенсивной рабочей нагрузкой, например, игр.

Кроме того, улучшенная более чем на 50% энергоэффективность позволяет увеличить время автономной работы, что создает идеальные условия для использования ИИ-приложений на устройствах.

Для усиления мер безопасности Samsung внедрила протокол безопасности и модель данных (SPDM) версии 1.2 в PM9E1. Этот стандарт SPDM включает технологии «Защищенный канал», «Аутентификация устройства» и «Подтверждение подлинности прошивки». Эти технологии помогают предотвращать атаки на цепочку поставок, когда злоумышленники могут подделывать или изменять данные, хранящиеся в продукте, на этапе его производства или распространения.

Начиная с PM9E1, Samsung планирует расширить линейку своих передовых SSD для производителей ПК по всему миру. В будущем компания выпустит потребительские продукты на базе технологии PCIe 5.0, чтобы укрепить свои лидерские позиции на рынке устройств с искусственным интеллектом.

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила об успешной разработке первого в отрасли твердотельного накопителя PCIe 4.0 для автомобилей, основанного на восьмом поколении вертикальной NAND-памяти (V-NAND). Новый SSD-накопитель для автомобилей AM9C1 с лидирующей в отрасли скоростью и повышенной надежностью является оптимальным решением для встроенных ИИ-функций в автомобильных приложениях.

Новый SSD-накопитель для автомобилей AM991, который имеет емкость в 256 ГБ и на 50% улучшенную энергоэффективность по сравнению со своим предшественником, обеспечивает последовательную скорость чтения и записи до 4400 мегабайт в секунду (МБ/с) и 400 МБ/с соответственно.

«Мы сотрудничаем с мировыми производителями автономных транспортных средств и предоставляем высокопроизводительные продукты большой емкости для автомобилей, – сказал Хёндюк Чо (Hyunduk Cho), вице-президент и руководитель автомобильной группы в департаменте Memory Business компании Samsung Electronics. – Samsung продолжит лидировать на рынке физической памяти AI,¹ который охватывает все сферы применения – от автономного вождения до робототехники».

Созданный на базе 5-нанометрового контроллера Samsung с одноуровневой ячейкой (SLC) Namespace,² автомобильный SSD AM9C1 демонстрирует высокую производительность для более легкого доступа к большим файлам. Переключившись из исходного состояния трехуровневых ячеек (TLC) в режим SLC, пользователи могут наслаждаться увеличенной скоростью чтения и записи до 4700 МБ/с и 1400 МБ/с, соответственно, получая при этом дополнительные преимущества надежности твердотельных накопителей SLC.

В настоящее время 256-гигабайтный AM9C1 проходит тестирование у ключевых партнеров. Запуск массового производства ожидается в конце года. Samsung планирует предложить несколько вариантов емкости для AM9C1, начиная от 128 ГБ и заканчивая 2 терабайтами (ТБ), чтобы удовлетворить растущий спрос на автомобильные SSD-накопители большой емкости. Модель емкостью 2 ТБ, которая станет самой большой в отрасли в этой категории продуктов, планируется запустить в массовое производство в начале следующего года.

Благодаря усиленным тестам на уровне платы, новый автомобильный SSD Samsung соответствует стандарту качества автомобильных полупроводников AEC-Q1003³ Grade 2, обеспечивая стабильную работу в широком диапазоне температур от -40°C до 105°C.

Чтобы еще больше соответствовать высоким стандартам автомобильной промышленности в отношении долговечности и стабильности, Samsung также проводит различные процессы проверки качества. В марте этого года компания получила сертификат ASPICE CL3⁴ для своего продукта UFS 3.1.

Стремясь получить сертификат CSMS на основе ISO/SAE 214345, Samsung продолжит активно повышать технологическую надежность и стабильность своих автомобильных решений.

«Сертификаты ASPICE и ISO/SAE 21434⁵ – это вехи, подтверждающие надежность и стабильность наших технологий, – говорит Хвасок О (Hwaseok Oh), исполнительный вице-президент департамента Memory Business компании Samsung Electronics. – Помимо этих достижений, Samsung продолжит повышать стабильность и качество своей продукции, последовательно предлагая ключевым партнерам лучшие решения».

¹ ИИ, например роботы и автономные транспортные средства, взаимодействующие с физическим миром с помощью датчиков.

² Обеспечивает раздел SLC с лучшей производительностью и надежностью, чем TLC, позволяя пользователям настраивать его в соответствии с типом данных. Однако при переключении в режим SLC емкость снижается до 1/3 от TLC.

³ Глобальный стандарт, установленный Ассоциацией производителей автомобильных компонентов (ACMA) для процедур и критериев оценки надежности автомобильных электронных компонентов.

⁴ Automotive Software Process Improvement and Capability DEtermination (ASPICE) – стандарт разработки программного обеспечения, разработанный и распространяемый Немецкой автомобильной ассоциацией (VDA), который оценивает надежность и компетентность процессов разработки программного обеспечения производителей автомобильных компонентов. Он подразделяется на уровни возможностей (CL) от 0 до 5, причем CL3 означает, что организация установила систематический процесс и может эффективно его выполнять.

⁵ Сертификация системы управления кибербезопасностью – это международный стандарт, разработанный для повышения уровня кибербезопасности в автомобильной промышленности на основе стандарта ISO/SAE 21434 и охватывающий процессы и требования кибербезопасности от проектирования до разработки, оценки и серийного производства.

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового производства самых тонких в отрасли корпусов DRAM класса 12 нанометров (нм), 12-гигабайтных (ГБ) и 16-гигабайтных LPDDR5X, подкрепив свое лидерство на рынке DRAM с низким энергопотреблением.

Используя свой обширный опыт в области производства микросхем, Samsung может поставлять сверхтонкие корпуса LPDDR5X DRAM, которые могут обеспечивать дополнительное пространство внутри мобильных устройств, способствуя улучшению воздушного потока. Это облегчает тепловой контроль, что становится все более важным фактором, особенно для высокопроизводительных приложений с расширенными функциями, такими как искусственный интеллект на устройстве.

«LPDDR5X DRAM от Samsung устанавливает новый стандарт для высокопроизводительных решений в области искусственного интеллекта, предлагая не только превосходную производительность LPDDR, но и улучшенное тепловое управление в ультракомпактном корпусе, – говорит Йонг-Чеол Бэ (YongCheol Bae), исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти компании Samsung Electronics. – Мы стремимся к постоянным инновациям в тесном сотрудничестве с нашими клиентами, предлагая решения, которые отвечают будущим потребностям рынка DRAM с низким энергопотреблением».

В новых корпусах LPDDR5X DRAM компания Samsung предлагает самую тонкую в отрасли LPDDR DRAM класса 12 нм в 4-стековой структуре,¹ уменьшив толщину примерно на 9% и улучшив теплостойкость примерно на 21,2% по сравнению с моделью предыдущего поколения.

Благодаря оптимизации технологий изготовления печатных плат и эпоксидного формовочного компаунда,² новый корпус LPDDR DRAM тоньше ногтя – 0,65 миллиметра (мм), что является самым тонким среди существующих LPDDR DRAM емкостью 12 ГБ и выше. Оптимизированный техпроцесс Samsung с обратным перекрытием³ также используется для минимизации высоты корпуса.

Samsung планирует продолжать расширять рынок DRAM с низким энергопотреблением, поставляя свою 0,65-мм LPDDR5X DRAM производителям мобильных процессоров и мобильных устройств. Поскольку спрос на высокопроизводительные и высокоплотные решения для мобильной памяти в небольших корпусах продолжает расти, компания планирует разработать 6-слойные модули емкостью 24 ГБ и 8-слойные модули емкостью 32 ГБ в самых тонких корпусах LPDDR DRAM для будущих устройств.

¹ Структура из четырех слоев, каждый из которых состоит из двух LPDDR DRAM.

² Материал, защищающий полупроводниковые микросхемы от различных внешних воздействий, таких как тепло, удары и влага.

³ Шлифовка обратной стороны полупроводниковой пластины.

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила об успешном завершении тестирования самой быстрой в отрасли DRAM-памяти с низкой скоростью передачи данных 10,7 Гбит/с (LPDDR5X), предназначенной для использования в платформе нового поколения Dimensity компании MediaTek.

Тестирование скорости работы 10,7 Гбит/с было проведено с использованием 16-гигабайтного пакета LPDDR5X от Samsung в предстоящей флагманской системе на кристалле (SoC) Dimensity 9400 от MediaTek, выпуск которой запланирован на вторую половину этого года. Две компании тесно сотрудничали друг с другом, чтобы завершить испытания всего за три месяца.

Плата Samsung LPDDR5X со скоростью 10,7 Гбит/с обеспечивает более чем 25-процентное улучшение энергопотребления и производительности по сравнению с предыдущим поколением. Это позволяет увеличить время автономной работы мобильных устройств и повысить производительность искусственного интеллекта на устройстве, увеличивая скорость работы функций искусственного интеллекта, таких как генерация голосовых текстов, не требуя доступа к серверу или облаку.

«Благодаря стратегическому сотрудничеству с MediaTek компания Samsung выпустила самую быструю в отрасли память LPDDR5X DRAM, которая способна стать локомотивом рынка смартфонов с искусственным интеллектом, – говорит Йонг-Чеол Бэ (YongCheol Bae), исполнительный вице-президент направления Memory Product Planning компании Samsung Electronics. – Samsung будет продолжать внедрять инновации, активно сотрудничая с клиентами, и предлагать оптимальные решения для эры искусственного интеллекта в устройствах».

«Совместная работа с Samsung Electronics позволила чипу MediaTek Dimensity нового поколения стать первым в мире процессором, получившим валидацию операционной скорости LPDDR5X до 10,7 Гбит/с, что позволит грядущим устройствам обеспечить функциональность ИИ и мобильную производительность на небывалом ранее уровне, – говорит Джей Си Хсу (JC Hsu), старший вице-президент корпорации MediaTek. – Обновленная архитектура позволит разработчикам и пользователям задействовать больше возможностей искусственного интеллекта и использовать больше функций с меньшим влиянием на время автономной работы».

На фоне расширения рынка искусственного интеллекта в устройствах, особенно в смартфонах, энергоэффективные и высокопроизводительные решения LPDDR DRAM приобретают все большее значение. Благодаря согласованию с MediaTek, компания Samsung укрепляет свое технологическое лидерство на рынке энергосберегающей и высокопроизводительной DRAM и, как ожидается, расширит сферу ее применения за пределы мобильных устройств, включая серверы, ПК и автомобильные устройства.

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, объявила о выпуске трех новых датчиков изображения для мобильных устройств, предназначенных для основных и дополнительных камер смартфонов: ISOCELL HP9, ISOCELL GNJ и ISOCELL JN5.

Поскольку ожидания пользователей в отношении качества и производительности камер смартфонов продолжают расти, новейшие датчики изображения Samsung обеспечивают потрясающие результаты с любого ракурса, устанавливая новый стандарт мобильной фотографии.

«Повышение производительности датчиков изображения и преодоление разрыва между основными и дополнительными камерами для обеспечения стабильного качества фотографий под любым углом – это новое направление развития отрасли, – говорит Джесук Ли (Jesuk Lee), исполнительный вице-президент и технический директор подразделения системных LSI-сенсоров компании Samsung Electronics. – Мы продолжим устанавливать отраслевые стандарты и расширять технологические границы с помощью нашей новой линейки датчиков для мобильных устройств, в которых реализованы самые последние достижения».

ISOCELL HP9: первый в отрасли 200-мегапиксельный телеобъектив для смартфонов

ISOCELL HP9 имеет 200 миллионов 0,56-микрометровых (мкм) пикселей в оптическом формате 1/1,4 дюйма.

Благодаря запатентованной высокорефрактивной микролинзе из нового материала, HP9 значительно улучшает способность улавливать свет, направляя больше света точно в соответствующий цветовой фильтр RGB. Благодаря этому достигается более яркая цветопередача и улучшается фокусировка: светочувствительность на 12% выше (на основе соотношения сигнал/шум 10), а контрастность автофокуса на 10% выше по сравнению с предыдущим продуктом.

Примечательно, что HP9 демонстрирует превосходные результаты в условиях низкой освещенности, что является общей проблемой для традиционных телекамер. Технология Tetra²pixel объединяет 16 пикселей (4×4) в большой 12-мегапиксельный сенсор размером 2,24 мкм, что позволяет делать более четкие портретные снимки даже в темных условиях и создавать эффекты боке¹ вне фокуса.

По мере того как основные камеры в смартфонах премиум-класса увеличиваются в размерах, расширяется и место для телекамер. Большой оптический формат камеры HP9 позволяет использовать ее для телеобъективов, обеспечивая производительность, соответствующую основным камерам премиум-класса по качеству изображения, автофокусу, высокому динамическому диапазону (HDR) и частоте кадров в секунду (fps).

Благодаря алгоритму ремозаики, HP9 предлагает режимы двух- или четырехкратного зума внутри сенсора, достигая 12-кратного увеличения в паре с телефотомодулем с трехкратным зумом, сохраняя при этом четкое качество изображения.

ISOCELL GNJ: интеграция передовых инноваций в области пиксельной технологии

ISOCELL GNJ – это двухпиксельная матрица с 50 миллионами пикселей размером 1,0 мкм и оптическим форматом 1/1,57 дюйма.

Каждый пиксель содержит два фотодиода, что обеспечивает быструю и точную автофокусировку, подобно тому, как фокусируются человеческие глаза. Кроме того, датчик изображения одновременно захватывает полноцветную информацию для быстрой фокусировки с неизменным качеством изображения.

GNJ сочетает двухпиксельную технологию с функцией встроенного зума, что позволяет получать более четкие кадры в режиме видеосъемки и изображения высокого разрешения без артефактов и муара² в режиме фотосъемки.

Новый улучшенный антирефракционный слой (ARL) с высокой пропускной способностью в сочетании с фирменной микролинзой Samsung с высокой рефракцией не только увеличивает светопропускание и уменьшает нежелательные отражения, но и гарантирует, что темные области не будут чрезмерно осветлены, что позволяет получать более четкие фотографии с хорошо сохраняемыми деталями изображения.

Кроме того, в GNJ применен усовершенствованный материал изоляции пикселей в глубокой траншейной изоляции (DTI) – от поликремния до оксида кремния, что сводит к минимуму перекрестные помехи между соседними пикселями. Это позволяет сенсору получать более детальные и точные изображения.

Все эти инновации были достигнуты при меньшем энергопотреблении, что позволило улучшить показатели на 29% в режиме предварительного просмотра и на 34% в режиме видео при 4K 60fps.

ISOCELL JN5: стабильная работа камеры под любым углом с широким цветовым диапазоном и отличной автофокусировкой

Камера ISOCELL JN5 имеет 50 миллионов пикселей размером 0,64 мкм в оптическом формате 1/2,76 дюйма.

Технология Dual Vertical Transfer Gate (Dual VTG) увеличивает передачу заряда внутри пикселей, существенно снижая уровень шума в условиях экстремально низкой освещенности, что обеспечивает более четкое качество изображения.

Благодаря технологии Super Quad Phase Detection (Super QPD), камера JN5 настраивает фокус, сравнивая разность фаз по вертикали и горизонтали, улавливая даже мельчайшие детали быстро движущихся объектов при минимальном дрожании.

Кроме того, в JN5 реализована технология двойного наклонного усиления (DSG) для улучшения HDR. Эта технология усиливает аналоговую световую информацию, поступающую на пиксели, на два сигнала, преобразует их в цифровые, а затем объединяет в единые данные, расширяя диапазон цветов, которые может воспроизвести сенсор.

Реализация аппаратных алгоритмов ремозаики повышает скорость съемки, позволяя без задержек масштабировать изображение в режиме реального времени как в режиме предварительного просмотра, так и в режиме съемки.

Тонкий оптический формат JN5 делает его универсальным, позволяя использовать его в основных и дополнительных камерах, включая широкоугольные, сверхширокоугольные, фронтальные и телефото, обеспечивая стабильную работу камеры под разными углами.

¹ Боке – это размытие расфокусированных объектов на фотографии, как правило, в эстетически приятной степени.

² Эффект муара – это нежелательное визуальное явление, возникающее при фотографировании повторяющихся деталей (обычно линий).

«Мы рады представить первую в отрасли V-NAND 9 поколения, которая обеспечит скачок в развитии будущих приложений. Чтобы удовлетворить растущие потребности в решениях на основе флэш-памяти NAND, Samsung расширила границы архитектуры ячеек и операционной схемы для нашего продукта следующего поколения, – говорит Сунг-Хой Хур (SungHoi Hur), глава подразделения Flash Product & Technology of the Memory Business компании Samsung Electronics. – Благодаря нашей новейшей V-NAND, компания Samsung продолжит задавать тренд на рынке высокопроизводительных твердотельных накопителей (SSD) высокой плотности, отвечающих потребностям грядущего поколения искусственного интеллекта».

Благодаря наименьшему размеру ячейки и тончайшей пресс-форме, Samsung повысила плотность битов в V-NAND 9 поколения примерно на 50% по сравнению с V-NAND 8 поколения. Для повышения качества и надежности продукции были применены новые инновации, такие как предотвращение помех в ячейках и продление срока службы ячеек, а устранение отверстий в фиктивных каналах позволило значительно уменьшить площадь ячеек памяти.

Кроме того, передовая технология Samsung по «травлению канальных отверстий» демонстрирует лидерство компании в технологических возможностях. Эта технология создает пути для электронов посредством укладки слоев кристаллизатора и максимизирует производительность, поскольку позволяет одновременно сверлить самое большое в отрасли количество слоев ячеек в структуре с двойной укладкой. По мере увеличения количества слоев ячеек способность пробивать их становится все более важной, что требует применения более сложных методов травления.

V-NAND 9 поколения оснащена интерфейсом флэш-памяти NAND нового поколения Toggle 5.1, который поддерживает повышенную на 33% скорость ввода/вывода данных – до 3,2 гигабит в секунду (Гбит/с). Вместе с новым интерфейсом Samsung планирует укрепить свои позиции на рынке высокопроизводительных SSD, расширив поддержку PCIe 5.0.

По сравнению с предыдущим поколением энергопотребление также улучшилось на 10%, благодаря усовершенствованию конструкции с низким энергопотреблением. Поскольку снижение энергопотребления и выбросов углекислого газа становится жизненно важным для клиентов, ожидается, что V-NAND 9 поколения от Samsung станет оптимальным решением для будущих приложений.

Samsung начала массовое производство 1 Тб TLC V-NAND 9 поколения в этом месяце, а во второй половине этого года начнется выпуск модели с четырехуровневыми ячейками (QLC).

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о разработке первой в отрасли памяти LPDDR5X DRAM, поддерживающей самую высокую в отрасли производительность до 10,7 гигабит в секунду (Гбит/с).

Используя технологический процесс класса 12 нанометров (нм), компания Samsung достигла наименьшего размера чипа среди существующих LPDDR, укрепив свое технологическое лидерство на рынке DRAM с низким энергопотреблением.

«По мере роста спроса на энергоэффективную, высокопроизводительную память ожидается, что применение LPDDR DRAM расширится с преимущественно мобильных до других областей, где традиционно требуется более высокая производительность и надежность, таких как ПК, ускорители, серверы и автомобили, – говорит Йонг-Чеол Бэ (YongCheol Bae), исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти подразделения Memory Business компании Samsung Electronics. – Samsung продолжит внедрять инновации и поставлять оптимизированные продукты в тесном сотрудничестве с пользователями для грядущей эры ИИ на устройствах».

С ростом числа приложений на базе ИИ все большее значение приобретает искусственный интеллект на устройствах, который позволяет выполнять обработку непосредственно на устройствах, что подчеркивает необходимость в высокопроизводительной памяти LPDDR с низким потреблением энергии.

LPDDR5X со скоростью 10,7 Гбит/с от Samsung не только повышает производительность более чем на 25% и емкость более чем на 30% по сравнению с предыдущим поколением, но и увеличивает емкость одного пакета мобильной DRAM до 32 гигабайт (ГБ), что делает ее оптимальным решением для эпохи ИИ на устройствах, требующей высокопроизводительной, емкой и энергоэффективной памяти.

В частности, в LPDDR5X реализованы специальные технологии энергосбережения, такие как оптимизированное изменение мощности в зависимости от рабочей нагрузки и расширенные интервалы режима низкого энергопотребления, увеличивающие период энергосбережения. Эти усовершенствования повышают энергоэффективность на 25% по сравнению с предыдущим поколением, позволяя мобильным устройствам дольше работать от аккумулятора, а серверам – минимизировать совокупную стоимость владения (TCO) за счет снижения энергопотребления при обработке данных.

Массовое производство LPDDR5X со скоростью 10,7 Гбит/с планируется начать во второй половине года.