О партнерстве было объявлено в ходе государственного саммита Южной Кореи и Франции в Париже. В рамках соглашения Samsung внедрит сервисы и решения Mistral AI, включая флагманскую большую языковую модель Mistral Large, в процессы своего полупроводникового бизнеса. Компании будут разрабатывать специализированные локальные AI-модели, оптимизированные для интеллектуальной инфраструктуры.

AI-платформа Mistral предоставит Samsung комплекс инструментов, способных изменить подходы к проектированию и производству полупроводников.

Особое значение имеют корпоративные решения, работающие непосредственно в инфраструктуре Samsung. Они обеспечат необходимый уровень безопасности и гибкости при работе с конфиденциальными технологиями и производственными данными. Вся информация будет обрабатываться внутри полупроводниковой инфраструктуры Samsung, что позволит компании сохранять полный контроль над критически важными технологиями.

По мере усложнения полупроводниковых техпроцессов все большую роль играет возможность быстро анализировать данные непосредственно на производстве. Samsung планирует применять специализированные AI-модели для выявления дефектов и оптимизации оборудования. Это поможет ускорить разработку, повысить точность производства и быстрее стабилизировать выход годных изделий при выпуске передовых микросхем памяти и логических чипов.

«По мере усложнения проектирования и производства AI-чипов полупроводниковые технологии требуют постоянного развития, – отметил Ён Хён Чон (Young Hyun Jun), вице-председатель и генеральный директор подразделения Device Solutions (DS) Samsung Electronics. – Мы рассчитываем на сотрудничество с Mistral, которое поможет нам отвечать на меняющиеся потребности пользователей и создавать новые технологические решения для полупроводниковой экосистемы, играющей ключевую роль в эпоху AI».

«Искусственный интеллект меняет подходы к созданию сложных технологий – от полупроводников до программного обеспечения, – отметил Артур Менш (Arthur Mensch), сооснователь и генеральный директор Mistral. – Мы рады предоставить Samsung Electronics нашу экспертизу в области электроники и полупроводников, чтобы совершенствовать процессы проектирования и производства чипов и ускорять технологическое развитие всей глобальной цепочки создания стоимости в полупроводниковой отрасли и в сфере искусственного интеллекта».

Samsung также стала ведущим инвестором раунда финансирования Series D компании Mistral AI и приобрела стратегическую долю в компании для развития долгосрочного технологического сотрудничества. Инвестиции Samsung отражают растущее взаимодействие между компаниями из разных отраслей в экосистеме передовых полупроводниковых технологий.

Объединяя свои передовые полупроводниковые технологии с разработками таких компаний в области искусственного интеллекта, как Mistral, Samsung продолжит внедрять искусственный интеллект во все направления своего полупроводникового бизнеса. Это позволит компании отвечать на разнообразные потребности пользователей – от передовых решений в области памяти и логических микросхем до контрактного производства полупроводников.

Опираясь на многолетний опыт успешного сотрудничества, Samsung и ASML намерены ускорить разработку и внедрение технологий, отвечающих растущим требованиям к производительности и эффективности современного производства полупроводников.

Samsung присоединится к отраслевой инициативе по развитию технологии 12-дюймовых фотошаблонов для производства полупроводников следующего поколения. На протяжении десятилетий в полупроводниковой отрасли использовались фотошаблоны размером 6 дюймов. Переход на более крупные, 12-дюймовые фотошаблоны в сочетании с High NA EUV позволит дополнительно повысить производительность фабрик, снизить себестоимость выпуска чипов и устранить ограничения, связанные со сшивкой отдельных областей экспонирования. Благодаря этому производители передовых полупроводников смогут в полной мере использовать преимущества High NA EUV и эффективнее выпускать новые поколения наиболее технологичных чипов.

Samsung занимает ведущие позиции как в производстве памяти, так и в контрактном производстве полупроводников, а также обладает значительным опытом работы с передовой EUV-литографией. Это позволит компании сыграть важную роль в переходе отрасли на 12-дюймовые фотошаблоны. Samsung будет тесно сотрудничать с партнерами для разработки необходимых технологий фотошаблонов и соответствующей инфраструктуры.

Кроме того, Samsung планирует к 2028 году первой в отрасли внедрить литографию ASML High NA EUV в массовое производство DRAM следующего поколения. Это также подтверждает готовность технологии High NA к применению при выпуске передовых микросхем памяти и логических чипов. Ожидается, что High NA EUV позволит продолжить дальнейшее масштабирование DRAM: более высокое разрешение поможет упростить технологические процессы и повысить эффективность производства.

Новое соглашение отражает общее стремление Samsung и ASML к инновациям, технологическому лидерству и долгосрочному партнерству. Компании продолжат изучать возможности для совместной работы, в том числе в области передовых технологий памяти и новых подходов к производству полупроводников.

«Эпоха AI меняет полупроводниковую отрасль и повышает значение технологических инноваций на всех этапах производственной цепочки. Samsung намерена сохранять лидерство в передовом производстве полупроводников, включая память и контрактное производство, благодаря прорывным технологиям и прочным партнерским отношениям. Дальнейшее укрепление сотрудничества с ASML помогает нам заложить основу для следующего поколения инноваций в области AI и полупроводников», – отметил вице-председатель и генеральный директор Samsung Electronics Ён Хён Чжон (Young Hyun Jun).

«Samsung уже много лет остается одним из важнейших партнеров ASML в области инноваций. Вместе мы развивали технологии, которые лежат в основе современного производства полупроводников. Сейчас отрасль вступает в новую эпоху, движущей силой которой становится искусственный интеллект, поэтому тесное сотрудничество с нашими клиентами приобретает еще большее значение. Мы рассчитываем вместе с Samsung открыть новые возможности для развития полупроводниковых технологий», – заявил президент и генеральный директор ASML Кристоф Фуке (Christophe Fouquet).

О компании ASML Holding N.V.

ASML – один из ведущих поставщиков оборудования и технологий для полупроводниковой отрасли. Компания предоставляет производителям чипов оборудование, программное обеспечение и услуги, необходимые для массового формирования структур интегральных схем (микрочипов). Совместно с партнерами ASML способствует развитию более доступных, производительных и энергоэффективных микрочипов.

Технологии ASML помогают создавать решения для некоторых из наиболее сложных задач человечества, в том числе в здравоохранении, эффективном использовании и сбережении энергии, транспорте и сельском хозяйстве. ASML – международная компания со штаб-квартирой в Велдховене, Нидерланды, и представительствами в странах Европы, Ближнего Востока и Африки, США и Азии. В ASML работает более 44 000 сотрудников в эквиваленте полной занятости (FTE), которые каждый день стремятся расширять границы технологических возможностей. Акции ASML торгуются на биржах Euronext Amsterdam и NASDAQ под тикером ASML. Подробнее о компании, ее продуктах, технологиях и карьерных возможностях – на сайте www.asml.com.

О подписании меморандума было объявлено в ходе саммита, посвященного искусственному интеллекту, который прошел на площадке The Midway в Сан-Франциско. В мероприятии приняли участие президент и руководитель подразделения Foundry Business компании Samsung Electronics Джинман Хан (Jinman Han), президент и генеральный директор Broadcom Хок Тан (Hock Tan), руководители высшего звена обеих компаний, а также представители правительства Республики Корея.

Ожидается, что совокупный объем сотрудничества в области памяти и контрактного производства полупроводников в течение следующих пяти лет – до 2030 года – превысит 200 млрд долларов.

В сегменте памяти Samsung и Broadcom намерены развивать стратегическое сотрудничество по поставке передовых решений, включая High Bandwidth Memory (HBM), для поддержки AI-ускорителей Broadcom следующего поколения.

В области контрактного производства сотрудничество сосредоточится на использовании технологических процессов Samsung класса 2 нм и ниже для выпуска продукции Broadcom, включая решения Wireless Broadband Communications (WBC). Партнерство также охватит передовые технологии корпусирования, основанные на 2-нм техпроцессе Samsung, включая интеграцию 2.3D и 2.5D. Это позволит создавать более производительные и энергоэффективные AI- и сетевые полупроводниковые решения.

«AI стимулирует беспрецедентный спрос на тесно интегрированные полупроводниковые технологии, объединяющие память, логические микросхемы и современные технологии корпусирования, – отметил Ён Хен Джун (Young Hyun Jun), заместитель председателя совета директоров и генеральный директор подразделения Device Solutions (DS) компании Samsung Electronics. – Расширяя сотрудничество с Broadcom в этих стратегически важных направлениях, мы рассчитываем предложить пользователям еще большую ценность и внести вклад в развитие инфраструктуры AI будущего».

«По мере масштабирования инфраструктуры AI тесное взаимодействие участников полупроводниковой экосистемы становится все более важным, – заявил Чарли Кавас (Charlie Kawwas), президент Semiconductor Solutions Group компании Broadcom. – Объединив экспертизу Samsung в области памяти и контрактного производства с лидерством Broadcom в сфере AI и технологий связи, мы стремимся и дальше создавать решения, которые станут основой инфраструктуры AI нового поколения».

Благодаря компетенциям в области памяти, логических микросхем, контрактного производства и современных технологий корпусирования Samsung занимает уникальное положение для создания комплексных полупроводниковых решений для эпохи искусственного интеллекта. Расширение сотрудничества с Broadcom подтверждает неизменную приверженность Samsung поддержке пользователей с помощью комплексных полупроводниковых технологий для все более широкого спектра решений в области искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений.

Это достижение задает новый ориентир для рынка мобильной памяти следующего поколения, поскольку ожидается, что повышенная производительность позволит пользователям мобильных устройств значительно сократить задержки и ускорить время отклика при запуске больших языковых моделей (LLM) в локальных AI-средах.

«В эпоху локального AI устройства хранения данных превращаются в ключевой фактор, определяющий качество работы искусственного интеллекта, – отметил Чансок Чхве (Jangseok Choi), глава подразделения планирования продуктов памяти в Samsung Electronics. – Успешно завершив этап разработки первого в индустрии решения UFS 5.0, Samsung устанавливает новый стандарт для портативных накопителей и продолжит стимулировать инновации на рынке мобильных платформ следующего поколения».

Генеративный искусственный интеллект стремительно перемещается из облака на сами устройства, что вызывает резкий рост объемов данных, необходимых для локальной обработки. В результате накопители превращаются из носителей, используемых преимущественно для хранения данных, в базовую инфраструктуру, поддерживающую AI-вычисления.

Решение UFS 5.0 от Samsung поддерживает новейший стандарт интерфейса встроенной памяти от JEDEC, достигая беспрецедентного уровня производительности с самой высокой в отрасли пропускной способностью до 10,8 гигабайт в секунду (ГБ/с).

Новое решение для хранения данных обеспечивает скорость последовательного чтения до 10,8 ГБ/с и скорость последовательной записи до 9,5 ГБ/с, что более чем в два раза превышает показатели предыдущего стандарта UFS 4.1. Это значительное достижение позволяет гораздо быстрее сохранять и обрабатывать большие объемы данных для локальных AI-приложений.

Энергоэффективность Samsung UFS 5.0 также улучшилась более чем на 40% по сравнению с решением UFS 4.1 от той же компании. Это стало возможным благодаря внедрению ряда новых инноваций, включая технологии стробирования тактовых сигналов и многоуровневого питания. Данные улучшения помогают существенно снизить мощность, необходимую для передачи того же объема данных, радикально уменьшая общее энергопотребление и продлевая время автономной работы мобильных устройств следующего поколения.

Инженеры Samsung разработали решение UFS 5.0 в ультракомпактном корпусе размером всего 7,5 мм x 13 мм x 0,9 мм, что делает его на 16,7% меньше предшественника. Такой форм-фактор значительно повышает гибкость проектирования и эффективность использования внутреннего пространства в самых разных устройствах, включая мобильные, носимые гаджеты и устройства расширенной реальности (XR).

Samsung начнет массовое производство UFS 5.0 в четвертом квартале этого года в различных вариантах емкости до одного терабайта (ТБ). Благодаря этому прорыву в технологии UFS 5.0 компания Samsung опережает потребности отрасли и планирует наращивать объемы поставок, чтобы удовлетворить рост рынков устройств следующего поколения – от флагманских смартфонов до XR-гарнитур и носимых AI-устройств.

После первого в отрасли массового производства и коммерческих поставок передовой памяти HBM4 в начале этого года Samsung расширяет свою дорожную карту HBM, представляя образцы HBM4E для удовлетворения быстро меняющихся требований к вычислениям в сфере искусственного интеллекта и гипермасштабируемой инфраструктуры.

«Вслед за успешным массовым производством HBM4 компания Samsung еще раз продемонстрировала свое очевидное технологическое преимущество с выходом HBM4E, – заявил Сан Джун Хванг (Sang Joon Hwang), исполнительный вице-президент и глава подразделения разработки модулей памяти Samsung Electronics. – Благодаря нашим передовым производственным возможностям и упреждающим инвестициям в инфраструктуру мы продолжим стимулировать рост глобального рынка памяти для искусственного интеллекта».

HBM4E от Samsung обеспечивает стабильную скорость передачи данных до 14 гигабит в секунду (Гбит/с) на контакт с возможностью масштабирования производительности до 16 Гбит/с для поддержки все более интенсивных требований к обработке данных. Это означает рост более чем на 20% по сравнению с HBM4 при обеспечении пропускной способности памяти до 3,6 терабайт в секунду (ТБ/с) на стек, что помогает максимально увеличить вычислительную мощность больших языковых моделей (LLM) и систем искусственного интеллекта следующего поколения.

12-слойная память HBM4E от Samsung предлагается емкостью 48 гигабайт, что на 30% больше по сравнению с предыдущим поколением. В соответствии с требованиями пользователей планируется расширить линейку конфигурациями на 32 ГБ (8 слоев) и 64 ГБ (16 слоев).

Память HBM4E выделяется тем, что в полной мере использует комплексные полупроводниковые возможности Samsung и опирается на те же передовые технологии, которые были усовершенствованы в ходе производства HBM4. Сюда входят самый передовой в отрасли техпроцесс DRAM 6-го поколения класса 10 нм (1c) и 4-нм базовая логическая подложка Samsung Foundry, что позволяет HBM4E гарантировать повышенную стабильность процессов и технологичность производства.

Оптимизация конструкции и процессов в архитектуре памяти и логики HBM4E от Samsung также повышает производительность, энергоэффективность и выход годной продукции.

В частности, передовые технологии низкого энергопотребления и оптимизированная структура компоновки позволили повысить энергоэффективность на 16% и улучшить показатели теплового сопротивления более чем на 14% по сравнению с предыдущим поколением. Эти усовершенствования обеспечивают более эффективный отвод тепла, что гарантирует длительную надежность и снижение энергопотребления в дата-центрах следующего поколения с интенсивными рабочими нагрузками.

Samsung планирует начать массовое производство HBM4E в соответствии с графиками пользователей после завершения первоначальных поставок образцов и оптимизации.

Отзывы глобальных пользователей о памяти HBM4 от Samsung, представленной в феврале, были исключительно положительными, особенно в отношении ее производительности и энергоэффективности. Память HBM4 стала первой в отрасли, запущенной в массовое производство, и успешно установила планку для всего сегмента, продемонстрировав скорость 11,7 Гбит/с в тестах системы в корпусе (SiP).

По мере роста стабильных поставок HBM4 от Samsung ожидается, что новейшая память HBM4E, использующая то же сочетание основного кристалла и базовой подложки, поступит в массовое производство, чтобы еще больше ускорить инновации в системах искусственного интеллекта следующего поколения. Благодаря своему всеобъемлющему портфолио, охватывающему производство памяти, контрактное производство полупроводников, проектирование логических схем и передовую компоновку, Samsung продолжит обеспечивать стабильные поставки полупроводников для бурно развивающегося рынка искусственного интеллекта.

Центральным экспонатом Samsung на NVIDIA GTC 2026 станет новая память HBM4 шестого поколения, которая уже запущена в массовое производство и разработана для платформы NVIDIA Vera Rubin. Ожидается, что HBM4 от Samsung поможет ускорить разработку будущих AI-приложений, обеспечивая стабильную скорость обработки данных 11,7 гигабит в секунду (Гбит/с), что превышает отраслевой стандарт в 8 Гбит/с, и может быть увеличена до 13 Гбит/с.

Используя самый передовой технологический процесс DRAM 10-нанометрового (нм) класса шестого поколения (1c), Samsung достигла стабильного выхода годных кристаллов и ведущей в отрасли производительности. На выставке GTC 2026 также будет впервые представлено следующее поколение памяти – HBM4E, обеспечивающее скорость 16 Гбит/с на контакт и пропускную способность 4,0 терабайта в секунду (ТБ/с).

Посетители также смогут ознакомиться с технологией гибридного медного соединения (HCB) – новым методом, который позволит памяти HBM следующего поколения достигать 16 и более слоев, снижая при этом тепловое сопротивление более чем на 20 процентов по сравнению с методом термокомпрессионной сварки (TCB).

Альянс, который выводит эру AI на новый уровень

Тесное сотрудничество между Samsung и NVIDIA будет подчеркнуто в отдельной зоне стенда NVIDIA Gallery, где будет представлена широкая линейка передовых технологий Samsung, таких как HBM4, SOCAMM2 и SSD-накопитель PM1763, разработанных для AI-инфраструктуры NVIDIA.

Отвечая на потребность в максимальной эффективности и масштабируемости AI-систем, модуль SOCAMM2 от Samsung на базе DRAM с низким энергопотреблением представляет собой оптимальный модуль серверной памяти, предлагающий высокую пропускную способность и гибкую системную интеграцию для AI-инфраструктуры следующего поколения. В настоящее время SOCAMM2 от Samsung находится в массовом производстве, став первым подобным решением в отрасли, достигшим этого этапа.

Разработанный для систем хранения данных AI следующего поколения, SSD-накопитель Samsung PM1763 основан на новейшем интерфейсе PCIe 6.0, обеспечивающем быструю передачу данных и большую емкость. Ведущая в отрасли производительность PM1763 будет продемонстрирована на серверах, работающих с моделью программирования NVIDIA SCADA.

В рамках новой референсной архитектуры NVIDIA BlueField-4 STX для ускоренной инфраструктуры хранения данных в платформе NVIDIA Vera Rubin, SSD-накопитель Samsung PM1753 продемонстрирует, как он помогает повысить энергоэффективность и производительность системы для задач логического вывода.

Архитектура памяти для масштабирования интеллектуального производства

На GTC 2026 Samsung продемонстрирует сотрудничество с NVIDIA по разработке AI-фабрик (AI Factory), включая планы по внедрению ускоренных вычислений NVIDIA для масштабирования AI-фабрики Samsung и ускорения производства цифровых двойников с использованием библиотек NVIDIA Omniverse. Это сотрудничество лежит в основе одной из самых комплексных в мире инфраструктур по производству микросхем, охватывающей память, логику, литейное производство и передовую упаковку.

Отдельно Ён Хо Сонг (Yong Ho Song), исполнительный вице-президент и глава AI-центра в Samsung Electronics, более подробно расскажет о стратегическом сотрудничестве двух компаний в ходе своего выступления 17 марта 2026 года. В рамках сессии под названием «Трансформация производства полупроводников с помощью агентного AI: от проектирования и инженерии до производства» он подробно опишет AI-фабрику компании и поделится инновационными примерами реального использования, где AI и цифровые двойники меняют производство полупроводников – от прорывов в области автоматизации проектирования электроники (EDA) и вычислительной литографии до проектирования и эксплуатации передовых производственных мощностей на базе технологий NVIDIA.

Эффективная память для локального интеллекта

Решения Samsung в области памяти также предлагают максимальную эффективность для локальных AI-задач на персональных устройствах. В ходе GTC 2026 Samsung представит специализированные и эффективные решения для персональных AI-суперкомпьютеров, включая накопители Samsung PM9E3 и PM9E1 NAND для NVIDIA DGX Spark.

Кроме того, Samsung продемонстрирует решения DRAM – LPDDR5X и LPDDR6, разработанные для бесшовной интеграции в премиальные смартфоны, планшеты и носимые устройства, обеспечивая более высокую пропускную способность данных и меньшую задержку. LPDDR5X обеспечивает скорость до 25 Гбит/с на контакт, снижая при этом энергопотребление до 15 процентов, что позволяет достичь сверхбыстрого отклика мобильных устройств, высокого разрешения в играх и работы приложений с поддержкой AI без ущерба для времени автономной работы.

Опираясь на этот фундамент, LPDDR6 увеличивает пропускную способность до масштабируемых 30–35 Гбит/с на контакт и внедряет передовые функции управления питанием, такие как адаптивное масштабирование напряжения и динамическое управление обновлением, которые в совокупности обеспечивают производительность, необходимую для AI-задач следующего поколения на периферийных устройствах.

AI-фабрика Samsung объединит все аспекты производства полупроводников – от проектирования и технологических процессов до оборудования, операций и контроля качества – в единую интеллектуальную сеть, где искусственный интеллект будет непрерывно анализировать, прогнозировать и оптимизировать производственные процессы в режиме реального времени.

AI-фабрика Samsung выходит за рамки традиционной автоматизации, превращаясь в интеллектуальную производственную платформу, которая связывает и интерпретирует огромные объемы данных, генерируемых на всех этапах – от проектирования микросхем до работы оборудования.

От 25-летнего сотрудничества к прочному альянсу в области AI-чипов

Samsung и NVIDIA отмечают более чем 25-летнее партнерство, начавшееся с использования микросхем DRAM Samsung в ранних видеокартах NVIDIA и продолжающееся в рамках сотрудничества в сфере контрактного производства.

Кроме текущих проектов, Samsung и NVIDIA работают над новым поколением памяти HBM4. Благодаря высокой пропускной способности и энергоэффективности, передовые решения Samsung в области HBM помогут ускорить развитие будущих AI-приложений и станут основой для производственной инфраструктуры, управляемой этими технологиями.

Созданная на базе шестого поколения 10-нанометрового (нм) DRAM и логического базового кристалла с технологическим процессом 4 нм, память Samsung HBM4 обеспечивает скорость обработки до 11 гигабит в секунду, значительно превосходя стандарт JEDEC в 8 гигабит в секунду.

Samsung также продолжит развивать решения следующего поколения в области памяти, включая HBM, GDDR и SOCAMM, а также предоставлять услуги контрактного производства, способствуя инновациям и масштабированию в глобальной AI-экосистеме.

Ускоренный переход к интеллектуальному производству

В течение ближайших лет Samsung планирует использовать ускоренные вычислительные технологии NVIDIA для масштабирования своей AI-фабрики и ускорения разработки цифровых двойников производственных процессов на базе библиотек NVIDIA Omniverse в рамках одной из самых комплексных в мире инфраструктур по производству микросхем – от памяти и логики до контрактного производства и продвинутой упаковки.

Используя библиотеки NVIDIA cuLitho и CUDA-X для процесса оптической коррекции (OPC), Samsung добилась 20-кратного роста производительности в вычислительной литографии. Этот важный этап точного формирования рисунка на пластине позволяет искусственному интеллекту предсказывать и корректировать вариации в шаблонах схем с гораздо большей скоростью и точностью, сокращая циклы разработки.

Для автоматизации проектирования электроники (EDA) компании сотрудничают с партнерами в сфере EDA над созданием инструментов и технологий проектирования нового поколения, ускоряемых с помощью GPU.

Используя библиотеки NVIDIA Omniverse, Samsung создает цифровые двойники, которые позволяют визуализировать работу фабрик в виртуальной среде. Эти виртуальные модели выявляют аномалии, проводят предиктивное обслуживание и оптимизируют производство до внесения изменений в физическом мире.

Samsung намерена расширить инфраструктуру AI-фабрики на свои глобальные производственные центры, включая Тейлор (Taylor, U.S.), чтобы повысить уровень интеллекта и гибкости в своих полупроводниковых операциях по всему миру.

Формирование AI-экосистемы в области генеративного AI и робототехники

Samsung разрабатывает собственные AI-модели, которые используются более чем в 400 миллионах устройств компании. Эти модели также интегрированы во внутренние производственные системы Samsung, повышая интеллектуальность и инновационность процессов.

Построенные на базе ускоренных вычислений NVIDIA и фреймворка Megatron, AI-модели Samsung демонстрируют продвинутые способности рассуждения, обеспечивая выдающиеся результаты в реальном времени – от перевода и многоязычного общения до интеллектуального суммирования информации.

В области интеллектуальной робототехники Samsung использует платформу NVIDIA RTX PRO 6000 Blackwell Server Edition для развития производственной автоматизации и гуманоидных роботов, ускоряя внедрение технологий и повышая автономность решений физического AI следующего поколения.

Samsung также работает с различными AI-платформами NVIDIA для объединения виртуальных симуляций и данных реальных роботов, что позволяет роботам понимать окружение, принимать решения и действовать разумно в реальных условиях. Используя робототехническую платформу NVIDIA Jetson Thor, Samsung ускоряет выполнение задач, рассуждение AI в реальном времени и контроль безопасности в интеллектуальных роботах.

Компания планирует внедрять эти технологии в инфраструктуру AI-фабрики и другие направления бизнеса, формируя интеллектуальную производственную экосистему, объединяющую AI и робототехнику.

Связывая потребителей и индустрию через искусственный интеллект

Samsung также сотрудничает с NVIDIA, корейскими телекоммуникационными операторами, университетами и исследовательскими институтами для развития технологий AI-RAN.

AI-RAN – это ключевая технология связи следующего поколения, которая объединяет вычислительные возможности AI с мобильными сетями. Она позволяет агентным и физическим AI-системам – таким как роботы, дроны и промышленное оборудование – работать, воспринимать данные и выполнять вычисления в режиме реального времени на уровне сетевого края, ближе к точкам подключения устройств. Такая AI-управляемая мобильная сеть станет важнейшей «нейронной сетью» для широкого внедрения физического искусственного интеллекта.

Этот проект опирается на сотрудничество Samsung и NVIDIA, начавшееся годом ранее и успешно завершившее доказательство концепции AI-RAN, объединив программно определяемую сеть Samsung и GPU NVIDIA. Компании намерены и дальше укреплять партнерство в этой области.

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о разработке первой в отрасли 24-гигабитной памяти GDDR7¹  DRAM. Помимо рекордной емкости в отрасли, GDDR7 также отличается самой высокой скоростью, что делает новинку оптимальным решением для приложений следующего поколения.

Благодаря высокой емкости и мощной производительности, 24-гигабитная GDDR7 найдет широкое применение в различных областях, требующих высокопроизводительных решений памяти, таких как центры обработки данных и рабочие станции с искусственным интеллектом, расширяя свое использование за пределы традиционных графических DRAM для видеокарт, игровых консолей и автономного вождения.

«После разработки первой в отрасли 16-гигабитной GDDR7 в прошлом году Samsung укрепила свое технологическое лидерство на рынке графической памяти, благодаря этому новому достижению, – заявил Ёнчхоль Бэ (YongCheol Bae), исполнительный вице-президент направления Memory Product Planning компании Samsung Electronics. – Мы продолжим возглавлять рынок графической памяти, выпуская продукты следующего поколения, соответствующие растущим потребностям рынка искусственного интеллекта».

24-гигабитная GDDR7 использует пятое поколение DRAM, выполненное по 10-нанометровому (нм) техпроцессу, что позволяет увеличить плотность ячеек на 50%, сохраняя прежние размеры корпуса.

Кроме того, для достижения рекордной скорости графической памяти в 40 гигабит в секунду (Gbps), что на 25% быстрее предыдущей версии, используется трехуровневая амплитудная модуляция импульсов (PAM3). В зависимости от условий эксплуатации производительность GDDR7 может быть увеличена до 42,5 Гбит/с.

Энергоэффективность также улучшена, благодаря применению технологий, которые ранее использовались в мобильных устройствах, впервые в графической памяти. Благодаря применению таких методов, как управление тактовыми сигналами² и схема с двойным напряжением питания (VDD),³ можно значительно снизить ненужное энергопотребление, что приводит к улучшению энергоэффективности на более чем 30%.

Для повышения стабильности работы при высоких скоростях в 24-гигабитной GDDR7 минимизирована утечка тока, благодаря технологии управления питанием.

Проверка 24-гигабитной GDDR7 в вычислительных системах следующего поколения с искусственным интеллектом от крупных заказчиков GPU начнется в этом году, а коммерческое внедрение планируется на начало следующего года.

¹ Графическая память с двойной скоростью передачи данных 7 (GDDR7)

² Методы, используемые для регулирования тактовых генераторов (сигналов синхронизации) микросхем.

³ Техника управления питанием, которая обеспечивает разные уровни напряжения в одной микросхеме.

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале серийного производства PM9E1, твердотельного накопителя PCle 5.0 с самой высокой производительностью и самой большой емкостью в отрасли. PM9E1, cозданный на базе собственного контроллера, изготовленного по 5-нанометровому техпроцессу (нм), и технологии V-NAND восьмого поколения (V8), обеспечивает мощную производительность и повышенную энергоэффективность, что делает его оптимальным решением для ПК со встроенным искусственным интеллектом. По сравнению с предшественником (PM9A1a) были улучшены ключевые характеристики твердотельных накопителей, включая производительность, емкость, энергоэффективность и безопасность.

«Наш PM9E1, интегрированный с 5-нм контроллером, обеспечивает лучшую в отрасли энергоэффективность и высочайшую производительность, подтвержденную нашими ключевыми партнерами, – говорит Йонг-Чеол Бэ (YongCheol Bae), исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти Samsung Electronics. – В стремительно развивающуюся эпоху устройства с искусственным интеллектом PM9E1 от Samsung станет надежной основой для эффективного планирования портфолио искусственного интеллекта для клиентов по всему миру».

Благодаря восьмиканальному интерфейсу PCIe 5.0, скорость последовательного чтения и записи нового SSD более чем удвоилась по сравнению с предыдущим поколением и достигла 14,5 гигабайт/с и 13 ГБ/с соответственно. Такая высокая производительность обеспечивает более быструю передачу данных даже в ИИ-приложениях с интенсивным использованием данных, позволяя передавать 14-гигабайтную модель большого языка (LLM) с SSD на DRAM менее чем за секунду.

PM9E1 предлагает ряд вариантов хранения данных, включая 512 ГБ, 1 терабайт (ТБ), 2 ТБ и самый большой в отрасли объем – 4 ТБ. Вариант с емкостью 4 ТБ – оптимальное решение для пользователей ПК, которым требуется емкое хранилище для файлов большого размера, таких как контент, созданный искусственным интеллектом, программы с большим объемом данных и видео высокого разрешения, а также для задач с интенсивной рабочей нагрузкой, например, игр.

Кроме того, улучшенная более чем на 50% энергоэффективность позволяет увеличить время автономной работы, что создает идеальные условия для использования ИИ-приложений на устройствах.

Для усиления мер безопасности Samsung внедрила протокол безопасности и модель данных (SPDM) версии 1.2 в PM9E1. Этот стандарт SPDM включает технологии «Защищенный канал», «Аутентификация устройства» и «Подтверждение подлинности прошивки». Эти технологии помогают предотвращать атаки на цепочку поставок, когда злоумышленники могут подделывать или изменять данные, хранящиеся в продукте, на этапе его производства или распространения.

Начиная с PM9E1, Samsung планирует расширить линейку своих передовых SSD для производителей ПК по всему миру. В будущем компания выпустит потребительские продукты на базе технологии PCIe 5.0, чтобы укрепить свои лидерские позиции на рынке устройств с искусственным интеллектом.

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила об успешной разработке первого в отрасли твердотельного накопителя PCIe 4.0 для автомобилей, основанного на восьмом поколении вертикальной NAND-памяти (V-NAND). Новый SSD-накопитель для автомобилей AM9C1 с лидирующей в отрасли скоростью и повышенной надежностью является оптимальным решением для встроенных ИИ-функций в автомобильных приложениях.

Новый SSD-накопитель для автомобилей AM991, который имеет емкость в 256 ГБ и на 50% улучшенную энергоэффективность по сравнению со своим предшественником, обеспечивает последовательную скорость чтения и записи до 4400 мегабайт в секунду (МБ/с) и 400 МБ/с соответственно.

«Мы сотрудничаем с мировыми производителями автономных транспортных средств и предоставляем высокопроизводительные продукты большой емкости для автомобилей, – сказал Хёндюк Чо (Hyunduk Cho), вице-президент и руководитель автомобильной группы в департаменте Memory Business компании Samsung Electronics. – Samsung продолжит лидировать на рынке физической памяти AI,¹ который охватывает все сферы применения – от автономного вождения до робототехники».

Созданный на базе 5-нанометрового контроллера Samsung с одноуровневой ячейкой (SLC) Namespace,² автомобильный SSD AM9C1 демонстрирует высокую производительность для более легкого доступа к большим файлам. Переключившись из исходного состояния трехуровневых ячеек (TLC) в режим SLC, пользователи могут наслаждаться увеличенной скоростью чтения и записи до 4700 МБ/с и 1400 МБ/с, соответственно, получая при этом дополнительные преимущества надежности твердотельных накопителей SLC.

В настоящее время 256-гигабайтный AM9C1 проходит тестирование у ключевых партнеров. Запуск массового производства ожидается в конце года. Samsung планирует предложить несколько вариантов емкости для AM9C1, начиная от 128 ГБ и заканчивая 2 терабайтами (ТБ), чтобы удовлетворить растущий спрос на автомобильные SSD-накопители большой емкости. Модель емкостью 2 ТБ, которая станет самой большой в отрасли в этой категории продуктов, планируется запустить в массовое производство в начале следующего года.

Благодаря усиленным тестам на уровне платы, новый автомобильный SSD Samsung соответствует стандарту качества автомобильных полупроводников AEC-Q1003³ Grade 2, обеспечивая стабильную работу в широком диапазоне температур от -40°C до 105°C.

Чтобы еще больше соответствовать высоким стандартам автомобильной промышленности в отношении долговечности и стабильности, Samsung также проводит различные процессы проверки качества. В марте этого года компания получила сертификат ASPICE CL3⁴ для своего продукта UFS 3.1.

Стремясь получить сертификат CSMS на основе ISO/SAE 214345, Samsung продолжит активно повышать технологическую надежность и стабильность своих автомобильных решений.

«Сертификаты ASPICE и ISO/SAE 21434⁵ – это вехи, подтверждающие надежность и стабильность наших технологий, – говорит Хвасок О (Hwaseok Oh), исполнительный вице-президент департамента Memory Business компании Samsung Electronics. – Помимо этих достижений, Samsung продолжит повышать стабильность и качество своей продукции, последовательно предлагая ключевым партнерам лучшие решения».

¹ ИИ, например роботы и автономные транспортные средства, взаимодействующие с физическим миром с помощью датчиков.

² Обеспечивает раздел SLC с лучшей производительностью и надежностью, чем TLC, позволяя пользователям настраивать его в соответствии с типом данных. Однако при переключении в режим SLC емкость снижается до 1/3 от TLC.

³ Глобальный стандарт, установленный Ассоциацией производителей автомобильных компонентов (ACMA) для процедур и критериев оценки надежности автомобильных электронных компонентов.

⁴ Automotive Software Process Improvement and Capability DEtermination (ASPICE) – стандарт разработки программного обеспечения, разработанный и распространяемый Немецкой автомобильной ассоциацией (VDA), который оценивает надежность и компетентность процессов разработки программного обеспечения производителей автомобильных компонентов. Он подразделяется на уровни возможностей (CL) от 0 до 5, причем CL3 означает, что организация установила систематический процесс и может эффективно его выполнять.

⁵ Сертификация системы управления кибербезопасностью – это международный стандарт, разработанный для повышения уровня кибербезопасности в автомобильной промышленности на основе стандарта ISO/SAE 21434 и охватывающий процессы и требования кибербезопасности от проектирования до разработки, оценки и серийного производства.