Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, анонсировала обновление бизнес-стратегии компании на ежегодном форуме Samsung Foundry Forum (SFF) 2023.

Форум под названием «Инновации без границ» посвящен миссии Samsung Foundry — удовлетворить потребности клиентов в эпоху искусственного интеллекта с помощью передовых полупроводниковых технологий.

В этом году событие посетили более 700 клиентов и партнеров Samsung Foundry, а 38 компаний разместили собственные стенды для демонстрации своих разработок в производстве полупроводников.

«Миссия Samsung Foundry направлена на то, чтобы удовлетворить потребности клиентов, опережая развитие технологий. Сегодня мы уверены, что наши разработки на базе передового техпроцесса Gate-All-Around (GAA) оправдают ожидания всех, кто использует приложения искусственного интеллекта, — заявил доктор Сиенг Чой (Siyoung Choi), президент и глава полупроводникового подразделения Samsung Electronics. — Удовлетворенность клиентов — наша главная ценность при разработках в этой сфере».

В рамках бизнес-стратегии, направленной на укрепление конкурентоспособности в производстве полупроводников, Samsung Foundry объявила о своих приоритетах:

• расширение применения 2-нанометрового процесса и специального процесса,
• расширение производственных мощностей на третьей линии производства полупроводников в Пхёнтхэке,
• создание нового альянса Multi-Die Integration (MDI), сосредоточенного на упаковочных технологиях нового поколения,
• непрерывное совершенствованиеэкосистемы производства полупроводников с партнерами Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE).

Лидерство в отрасли 2-нанометровых и специальных процессов

На форуме Samsung анонсировала развернутый план по массовому производству 2-нанометровых процессов и рассказала об уровнях их производительности.

Компания планирует начать массовый выпуск чипов для мобильных устройств в 2025 году, в 2026 году расширит его до разработок для высокопроизводительных вычислительных машин, а в 2027 году — для применения в автомобилестроении. Разработки на базе 2-нанометрового техпроцесса Samsung (SF2) в сравнении с чипами предшествующего 3-нанометрового техпроцесса (SF3) продемонстрировали увеличение производительности на 12%, повышение энергоэффективности на 25% и уменьшение площади на 5%.

Массовое производство SF1.4 запустится в 2027 году, как и планировалось ранее.

С 2025 года Samsung начнет производить 8-дюймовые силовые полупроводники на основе нитрида галлия (GaN), которые будут использоваться в потребительских устройствах, центрах обработки данных и автомобильных системах.

Работа в диапазоне 6G будет поддержана радиочастотной технологией на базе 5-нанометрового техпроцесса, которая станет доступна в первой половине 2025 года. Чипы с обновленным техпроцессом на 40% энергоэффективнее и на 50% меньше по площади, чем микросхемы, выполненные по предыдущему 14-нанометровому техпроцессу.

Кроме того, компания выпустит 8-нанометровые и 14-нанометровые радиочастотные чипы для автомобильных систем в дополнение к чипам для мобильных устройств, которые уже запущены в массовое производство.

Удовлетворение потребностей клиентов за счет расширения мощностей

В рамках стратегии Shell-First для быстрого реагирования на запросы клиентов, Samsung Foundry продолжает инвестировать и наращивать мощности, запуская новые производственные линии в Пхёнтхэке (Южная Корея) и Тейлоре (США). Согласно текущему плану развития в 2027 году мощности чистых помещений компании увеличатся в 7,3 раза в сравнении с показателями 2021 года.

Samsung планирует запустить массовое производство полупроводников для мобильных и других устройств на третьей линии в Пхёнтхэке во второй половине года. Также компания работает над увеличением производственных мощностей в Америке. Строительство нового завода в Тейлоре идет по плану и, как ожидается, завершится к концу года. В эксплуатацию производство будет введено во второй половине 2024 года.

Кроме того, Samsung продолжит расширять производственную базу в Йонъине (Южная Корея), примерно в 10 километрах к востоку от кампусов Samsung в Хвасоне и Гихыне, для производства полупроводников нового поколения.

Новый альянс Multi-Die Integration (MDI)

Чтобы справиться с быстрым развитием рынка чипов для мобильных устройств и высокопроизводительных вычислительных систем, Samsung основала альянс Multi-Die Integration (MDI) — объединение компаний-партнеров и крупных игроков в сферах производства памяти, упаковочных технологий и тестирования.

MDI Alliance ведет передовые разработки в технологии стекирования, формируя экосистему упаковочных технологий для гетерогенной интеграции 2,5D и 3D. Вместе с партнерами Samsung представит универсальную услугу по производству чипов «под ключ», чтобы поддержать разработки клиентов.

Samsung планирует активно реагировать на запросы клиентов и рынка, разрабатывая индивидуальные упаковочные решения, адаптированные к потребностям разных систем, включая мобильные устройства, высокопроизводительные вычислительные машины и автомобили.

Расширение границ сотрудничества с партнерами

28 июня, вслед за форумом Samsung Foundry 2023, компания проведет форум Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE), посвященный теме «Ускорение инноваций».

Вместе с более чем сотней партнеров в области автоматизации проектирования электроники, проектных решений, аутсорсинговой сборки и тестирования полупроводников, а также облачных вычислений и IP Samsung стремится развивать производство полупроводников для удовлетворения возрастающих запросов клиентов.

Компания уже давно сотрудничает с другими партнерами в сфере производства полупроводников, развивая вместе с ними инфраструктуры проектирования от 8-дюймового процесса до передового GAA. Samsung и ее 23 партнера в области автоматизации проектирования электроники теперь предлагают более 80 инструментов, а также работают вместе с 10 компаниями по сборке и тестированию, чтобы разрабатывать решения для упаковочных технологий 2,5D и 3D.

Samsung предлагает проектные решения различным клиентам — от небольших стартапов до лидеров технологических отраслей. Это возможно благодаря прочным партнерским отношениям с девятью партнерами в области дизайна полупроводников, обладающими опытом работы с процессами Samsung Foundry, а также с девятью партнерами по облачным технологиям.

Кроме того, Samsung получила портфель из более чем 4 500 ключевых IP-адресов от 50 глобальных партнеров. Samsung планирует обеспечить дополнительные IP-адреса с высокоскоростным интерфейсом нового поколения для SF2, включая LPDDR5x, HBM3P, PCIe Gen6 и 112G SerDes. Долгосрочные отношения компании с ведущими мировыми IP-провайдерами помогут удовлетворить запросы клиентов в области искусственного интеллекта, высокопроизводительных вычислений и автомобилестроения.

«Благодаря тесному сотрудничеству с партнерами по SAFE, Samsung Foundry помогает упростить решения, которые становятся все более сложными в связи с использованием передовых процессов и технологий, таких как гетерогенная интеграция, — заявил Джонг-Вук Ки (Jong-wook Kye), исполнительный вице-президент и глава отдела разработки дизайнерских платформ (Design Platform Development) подразделения производства полупроводников (Foundry Business) в Samsung Electronics. — Мы продолжим развивать экосистему Samsung Foundry как с точки зрения масштабов, так и с точки зрения качества».

Первое в мире решение с трехмерной вертикальной организацией чипов

Если вы посмотрите на крошечный полупроводниковый чип через электронный микроскоп, то увидите целую миниатюрную вселенную. Несмотря на толщину чипа всего в 1 мм, внутри него существуют миллионы тщательно спроектированных пространств для хранения огромных объемов данных.

На протяжении многих лет решения флеш-памяти NAND, предназначенные для хранения данных, имели двумерную (2D) структуру, в которой чипы тиражировались и укладывались на плоской поверхности. Но эти двухмерные структуры имели значительные ограничения с точки зрения объема данных, которые можно было в них хранить.

После масштабных исследований, призванных найти решение этой проблемы, Samsung впервые представила свою технологию флеш-памяти V-NAND (где буква «V» означает вертикальное расположение) – решение, в котором слои ячеек соединяются друг с другом через отверстия в вертикально организованном трехмерном пространстве. Samsung стала первой компанией в мире, которая разработала и выпустила на рынок такое решение для микросхем памяти.

Технология памяти 3D V-NAND дебютировала в 2013 году, создав совершенно новую парадигму полупроводниковой памяти, отличную от памяти с традиционной 2D структурой, которая десятилетиями доминировала в мире электронных хранилищ. Эту техническую трансформацию можно сравнить с ощущениями людей, которые привыкли жить в одно- или двухэтажных домах, и впервые переехали в квартиру в многоэтажном здании.

Технология V-NAND: экспертиза Samsung в области создания полупроводниковых решений

Сегодня решение V-NAND с революционной вертикальной объемной организацией чипов становится отраслевым стандартом.

Но в 2013 году Samsung произвела настоящий фурор, представив на рынке первое V-NAND решение из 24 слоев. Сегодня их количество увеличилось почти до двух сотен, и продолжает постоянно расти. Однако, как и в случае с многоэтажными домами, одним лишь увеличением количества слоев дело не ограничивается.

Возвращаясь к аналогии со зданиями, квартира должна быть просторной, но в то же время, по мере увеличения этажности, должна иметь прочные стены и быть всегда легко доступной – для этого в домах устанавливаются надежные скоростные лифты. Более того, необходимо учитывать уровень шума между этажами, при этом сама высота здания далеко не безгранична.

То же самое относится и к решению V-NAND. Даже если количество слоев одинаково, при более внимательном рассмотрении обнаруживаются незначительные различия в их функциональности и структуре. В мире полупроводников это может иметь первостепенное значение, поскольку даже малейшие различия могут привести к совершенно другому результату.

Самая компактная в мире ячейку памяти, ставшая доступной благодаря технологии однослойного травления (Single-Stack Etching)

Вернемся ненадолго в 2013 год.

Чтобы преодолеть ограничения, присущие планарной двухмерной организации полупроводников, Samsung разработала продукт, в котором ячейки объединены в трех измерениях. В то время, поскольку использовалась однослойная структура, у компании не было необходимости сразу учитывать высоту конечного продукта. Однако вместе с ростом спроса на интегрированные решения с высокой пропускной способностью росло и количество слоев, и инженерам Samsung приходилось учитывать физические ограничения, связанные с габаритами создаваемых микросхем.

Samsung первой задумалась над этой намечающейся проблемой высоты V-NAND и начала разрабатывать соответствующие решения раньше всех остальных производителей. Разработанная компанией 176-слойная микросхема V-NAND памяти 7-го поколения сопоставима по высоте с микросхемой V-NAND 6-го поколения, структура которой насчитывала чуть более сотни слоев. Подобные инновации стали возможны благодаря нашим успехам в разработке самых компактных в мире ячеек памяти.

Samsung удалось уменьшить объем ячейки на 35% за счет уменьшения как площади поверхности, так и ее высоты с помощью инновационной технологии 3D-масштабирования. Компания также научилась контролировать любые интерференции между ячейками, возникающие из-за уменьшения их размеров. Это позволило Samsung уместить больше слоев при меньшей высоте самой микросхемы, что обеспечило компании преимущества в преодолении предполагаемых ограничений.

Samsung – единственная компания в отрасли, обладающая технологией однослойного травления, которая позволяет ей объединять более 100 слоев одновременно и соединять их между собой с помощью более миллиарда отверстий. Благодаря сверхмалому размеру ячеек и запатентованной технологии однослойного травления, Samsung – единственная компания, способная предложить решения V-NAND, состоящие из нескольких сотен слоев ячеек.

Взгляд в будущее: решения V-NAND 7-го и 8-го поколений

Во второй половине этого года Samsung собирается продемонстрировать твердотельный накопитель (SSD) потребительского класса на базе своей микросхемы V-NAND 7-го поколения, решения с наименьшим в отрасли размером ячеек. Ожидается, что это решение V-NAND 7-го поколения будет соответствовать требованиям к производительности интерфейса PCIe как 4-го поколения (PCIe Gen 4), так и более позднего 5-го поколения (PCIe Gen 5), благодаря максимальной производительности ввода-вывода (I / O) на уровне 2,0 гигабит в секунду (Гбит/с). Более того, решение компании будет оптимизировано для многозадачности и для запуска ресурсоемких рабочих нагрузок, позволяя, например, одновременно осуществлять 3D-моделирование и редактирование видео.

Samsung также планирует расширить использование технологии V-NAND 7-го поколения и применять ее в твердотельных накопителях для центров обработки данных. Кроме того, чтобы побудить операторов центров обработки данных к снижению энергопотребления, решение Samsung будет обладать малым энергопотреблением и обеспечит повышение энергоэффективности на 16% по сравнению с решением 6-го поколения.

Сегодня компания уже получила рабочий чип своего решения V-NAND 8-го поколения с более чем 200 слоями ячеек и планирует выводить его на рынок по мере развития потребительского спроса.

Грандиозные перспективы технологии V-NAND от Samsung: более 1000 слоев

В полупроводниковой промышленности ничего не происходит случайно. Разработка ранее неизвестной технологии требует не только времени, но также огромных инвестиций и капиталовложений. Samsung смогла стать мировым лидером в полупроводниковой промышленности, даже несмотря на неудачи и другие проблемы, и сумела сохранить энтузиазм, настрой и чувство долга – именно это позволяет нам добиться лучшей жизни для всех, кто нуждается в подобных инновациях.

Так же, как и в случае первого поколения памяти V-NAND, представленного в 2013 году после более чем десяти лет исследований, компания станет первой, кто преодолеет ограничения по высоте, с которым еще предстоит столкнуться отрасли, и сумеет добиться этого благодаря своей технологии 3D-масштабирования. Даже в будущем, когда решения Samsung V-NAND будут состоять более чем из 1000 слоев, компания продолжит следить за тем, чтобы ее микросхемы памяти были самыми надежными в отрасли.

Новая парадигма расширенной реальности приводит к увеличению роли полупроводников

Сегодня мир переходит к новой парадигме расширенной реальности (XR), которая становится возможной благодаря быстрому развитию технологий. Фактически, пандемия значительно ускорила внедрение технологий XR в нашей повседневной жизни, и сейчас наступает новая эра, в которой пересекаются реальность и киберпространство. Более того, улучшение ИТ-устройств и технологий потребует совершенно нового подхода, который будет полностью отличаться от всего, что мы видели ранее, при этом роль полупроводников будет становиться еще более важной, чем когда-либо прежде.

Несомненно, Samsung будет продолжать свою работу, стремясь сделать общество лучше, и будет внедрять инновационные полупроводниковые продукты, основанные на мощных технологических достижениях. Таким образом, вы можете быть уверены, что драгоценные воспоминания, хранящиеся на ваших электронных устройствах, будут сохраняться еще очень долго.

Дзей Хюк Сон (Jaihyuk Song)

Разрешение на использование маркировки PCF было выдано после тщательного изучения углеродного следа каждого из этих продуктов, от этапа добычи сырья до производства, дистрибуции, использования и утилизации. Маркировка PCF также предоставляет информацию о количестве электроэнергии, воды и газа, которые были израсходованы при производстве микросхем памяти.  

Вклад в устойчивое будущее

Чипы флэш-памяти eUFS 3.1 емкостью 512 ГБ стали первыми в отрасли устройствами, получившими маркировку ‘Reducing CO2’

Чипы флэш-памяти Samsung eUFS 3.1 емкостью 512 ГБ для смартфонов получили не только маркировку PCF, но и стали первыми в отрасли обладателями маркировки ‘Reducing CO2’ («Снижение выбросов CO2»). Это означает, что при их производстве и эксплуатации выделяется еще меньше углекислого газа, чем у чипов предыдущего поколения — eUFS 3.0 емкостью 512 ГБ, получивших сертификат от Carbon Trust.

Твердотельный накопитель ‘Portable SSD T7 Touch’ – первое полупроводниковое устройство, признанное Министерством окружающей среды Кореи «зеленым» (экологически чистым) продуктом.

Твердотельный накопитель Samsung T7 Touch SSD также получил сертификат ‘low carbon product’ от Министерства охраны окружающей среды Кореи (MoE), что делает его первым в Корее экологически чистым полупроводниковым продуктом, сертифицированным правительством Кореи. Сертификат о низком уровне выбросов углекислого газа выдается продуктам, которые позволяют сократить уровень выбросов углекислого газа как минимум на 3,3% по сравнению с продуктами предыдущего поколения, уже сертифицированными Министерством окружающей среды.

Для производства упаковки твердотельных накопителей T7 Touch используется экологически чистая целлюлозная масса.

Благодаря уменьшению размеров коробки на треть, использованию экологически чистой целлюлозной массы вместо пластика для изготовления подложки и уменьшению выбросов углекислого газа в процессе производства твердотельный накопитель T7 Touch SSD обеспечил снижение углеродного следа на 5,1% по сравнению с моделью предыдущего поколения. Это позволило за год сэкономить примерно 84 тонн углекислого газа, что эквивалентно объему углекислого газа, который 13 тысяч тридцатилетних сосен поглощают за год.

Сравнение упаковки твердотельного накопителя T5 SSD (слева) и T7 Touch SSD (справа).

Новые сертификаты были выданы после того, как кампус Samsung Hwaseong в Корее стал первым предприятием по производству полупроводников, получившим сертификат Standard for Water от CarbonTrust в знак признания устойчивого управления водными ресурсами.

* Память DRAM: SODIMM 8ГБ; HBM2 8ГБ; LPDDR5 12ГБ; GDDR5 8ГБ
Твердотельные накопители: PM1733 U.2 15,36ТБ; 860 EVO 500ГБ; T7 Touch 1ТБ
Решения eStorage: Карта памяти EVO Plus microSD 128ГБ; eUFS 3.1 512ГБ

При скорости работы 6400 мегабит в секунду (Мбит/с), новая память LPDDR5 примерно на 16% быстрее, чем 12-Гбитные микросхемы LPDDR5 (работающие на скорости 5500 Мбит/с), которые используются сегодня в большинстве флагманских моделей мобильных устройств. В модуле на 16ГБ память LPDDR5 способна передавать около 10 фильмов в формате Full-HD размером 5 ГБ каждый или 51,2 ГБ данных всего за одну секунду.

Поскольку для производства этих новых чипов используется первый в мире коммерческий техпроцесс 1z, корпус новой LPDDR5 памяти получился примерно на 30 процентов тоньше, чем у ее предшественницы, что позволяет реализовать еще больше функциональных возможностей в новых тонких смартфонах с поддержкой 5G и несколькими камерами, а также в тонких устройствах со складывающимся экраном. Новые 16-гигабитная LPDDR5 память позволяет получать модули емкостью 16 ГБ всего из восьми чипов, тогда как в предшествующей технологии 1y для получения модулей аналогичной емкости требовалось двенадцать чипов (восемь 12-гигабитных чипов и четыре 8-гигабитных чипа).

Производственная линия Samsung Pyeongtaek Line 2 расположена в южнокорейском городе Пхёнтхэк и занимает площадь более 128 900 кв.м, что эквивалентно размеру 16 футбольных полей. На сегодняшний день это самое большое в мире полупроводниковое производство. Приступив к поставкам первых модулей LPDDR5 памяти емкостью 16 ГБ, выполненных на базе техпроцесса 1z, для глобальных производителей смартфонов, компания планирует в 2021 году продолжить укреплять свои позиции на рынке флагманских мобильных устройств. Кроме того, Samsung намерена расширить сферу применения памяти LPDDR5 для автомобильной промышленности и предложить продукцию, работающую в расширенном температурном диапазоне, для соблюдения строгих стандартов безопасности и надежности для эксплуатации в экстремальных условиях.

Новое решение Samsung для обеспечения безопасности представляет собой усовершенствованную версию чипа первого поколения (S3K250AF), анонсированного в феврале. Благодаря удвоенной емкости защищенного хранилища оно поддерживает аппаратный корень доверия (RoT), безопасную загрузку и аутентификацию, что выводит надежность мобильных устройств на новый уровень. При запуске проприетарных приложений на мобильном устройстве аутентификация может быть усилена с помощью RoT. Во время загрузки активируется поэтапная проверка всех компонентов операционной системы с утвержденными ключами. Этот процесс защищает устройство от любых возможных атак или несанкционированных обновлений ПО.

Решение может работать независимо от основного процессора устройства. Это делает новинку универсальной и подходящей для усиления безопасности мобильных гаджетов, приложений IoT и других продуктов любого уровня производительности.

Ожидается, что решение Samsung S3FV9RR будет доступно в третьем квартале этого года.

Основное внимание новой линии, строительство которой уже началось, будет уделено EUV-решениям, выполненных по 5-нанометровому и еще более тонким техпроцессам. Линия будет играть ключевую роль в расширении использования компанией самых современных технологических процессов для множества решений текущего и следующего поколений, включая 5G, высокопроизводительные вычисления (HPC) и искусственный интеллект (ИИ). Запуск в эксплуатацию запланирован на вторую половину 2021 года.

«Новое предприятие расширит производственные мощности Samsung для 5-нм и более тонких техпроцессов и предоставит возможность оперативно реагировать на растущий спрос на решения для высокопроизводительных вычислений, – отметил д-р Юнг (ES Jung), президент и глава полупроводникового производства в Samsung Electronics. – Мы по-прежнему привержены удовлетворению потребностей наших клиентов посредством активных инвестиций и привлечения новых кадров. Это позволит нам продолжать развиваться, при этом обеспечивая устойчивый рост полупроводникового бизнеса Samsung».

Запустив массовое производство EUV-решений по 7-нм техпроцессу в начале 2019 года, Samsung недавно приступила к серийному изготовлению чипов для EUV на новой линии в Хвасоне, Корея. Ожидается, что с началом полной эксплуатации нового завода в Пхёнтэке в 2021 году мощность производства EUV-решений Samsung значительно возрастет.

Samsung намерена запустить массовое производство EUV-решений по 5-нм техпроцессу на заводе в Хвасоне во второй половине этого года. С учетом объекта в Пхёнтхэке у Samsung будет в общей сложности семь линий по производству полупроводников в Южной Корее и США, в том числе шесть с использованием 12-дюймовых подложек и одна с использованием 8-дюймовых подложек.

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в сфере полупроводниковых технологий, объявила о начале массового производства своей первой встраиваемой магниторезистивной оперативной памяти (embedded magnetic random access memory, eMRAM) на базе 28-нм технологического процесса FD-SOI (fully-depleted silicon-on-insulator – полностью обедненный кремний на изоляторе), получившего название 28FDS.

Технологический процесс 28FD-SOI предусматривает более эффективное управление транзисторами и минимизацию токов утечки за счет управления напряжением смещения относительно корпуса (body-bias control). Благодаря этому представленное Samsung решение eMRAM обеспечивает преимущества для различных сфер применения микроконтроллеров, устройств Интернета вещей и технологий искусственного интеллекта.

Поскольку технология eFlash столкнулась с проблемами масштабируемости, обусловленными тем, что она опирается на принцип накопления заряда, наиболее многообещающим преемником для нее стала технология eMRAM. Магниторезистивный эффект, лежащий в ее основе, предполагает высокую масштабируемость и обеспечивает превосходные технические характеристики, в том числе энергонезависимость, возможность произвольного доступа и высокую износостойкость.

Представленное Samsung решение eMRAM на базе 28FDS обеспечивает преимущества с точки зрения энергопотребления и скорости при меньшей стоимости. Скорость записи у этой технологии примерно в тысячу раз выше, чем у eFlash, так как eMRAM не требует цикла стирания перед записью данных. Кроме того, память eMRAM использует более низкие уровни напряжения, чем eFlash, и не потребляет энергию в выключенном режиме, за счет чего достигается более высокая энергоэффективность.

Поскольку модуль eMRAM можно с легкостью интегрировать в конце технологического процесса (back-end of the process) с добавлением минимального числа слоев, он в меньшей степени зависит от первых стадий (front-end), что предполагает простую интеграцию с уже существующими технологиями изготовления логики. Благодаря «встраиваемой» (plug-in) модульной концепции заказчики получают возможность использования уже существующей инфраструктуры проектирования, даже с новой технологией eMRAM, что ведёт к снижению издержек.

«Мы очень гордимся нашими достижениями в области технологий встроенной энергонезависимой памяти (eNVM) и рады, что сумели преодолеть сложности, обусловленные использованием новых материалов, – говорит Райан Ли (Ryan Lee), вице-президент по маркетингу полупроводниковых решений Samsung Electronics. – Интегрируя eMRAM с существующими технологиями изготовления логики, Samsung продолжает расширять портфель процессов eNVM, предлагая новые решения для удовлетворения потребностей клиентов и рынка».

В течение ближайшего года Samsung намерена расширить портфолио решений eNVM высокой плотности, в частности, передать в производство тестовый чип eMRAM емкостью 1ГБ.

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области современных технологий памяти, объявила о начале массового производства первого в отрасли встраиваемого накопителя Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 емкостью 512 ГБ для мобильных устройств нового поколения. В соответствии с требованиями спецификаций eUFS 3.0, представленное решение обеспечивает вдвое более высокую скорость работы по сравнению с предыдущими eUFS накопителями (eUFS 2.1). Новинка будет применяться в будущих смартфонах с ультра-широкими экранами с высоким разрешением.

«Начало массового производства накопителей линейки eUFS 3.0 обеспечивает Samsung огромное преимущество на рынке мобильных устройств нового поколения, где мы представляем память со скоростью чтения, которая раньше была достижима только в ультра-тонких ноутбуках, – говорит Чол Чой (Cheol Choi), исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу технологий памяти в Samsung Electronics. – По мере расширения линейки eUFS 3.0, а также с выпуском версии емкостью 1ТБ в этом году динамика на рынке премиальных мобильных устройств будет возрастать».

Samsung начала производство первого в отрасли UFS интерфейса в январе 2015 года, выпустив накопитель eUFS 2.0, который обеспечивал в 1,4 раза более высокую скорость работы по сравнению со стандартной на тот момент памятью eMMC 5.1 (embedded multi-media card). Спустя всего четыре года новейшая память Samsung eUFS 3.0 по своей производительности не уступает памяти в современных ультра-тонких ноутбуках.

В накопителе Samsung eUFS 3.0 емкостью 512ГБ используется восемь 512-гигабитных кристаллов памяти Samsung V-NAND пятого поколения и высокопроизводительный контроллер. Скорость последовательного чтения нового устройства составляет 2100 мегабайт в секунду, что вдвое превышает аналогичный показатель в новейшей uEFS памяти (eUFS 2.1), которая была анонсирована в январе. Скорость чтения нового решения в 4 раза превосходит скорость чтения в твердотельных SATA накопителях и в 20 раз – обычных карт памяти microSD. Таким образом, перемещение целого фильма в Full HD качестве c премиального смартфона на компьютер займет всего порядка трех секунд*. Кроме того, скорость последовательной записи также выросла, увеличившись на 50% до 410МБ/с, что сопоставимо со скоростью записи в твердотельных SATA накопителях.

Скорость произвольного чтения и записи новой памяти на 36% выше, чем в текущей спецификации eUFS 2.1, и составляет, соответственно, 63 000 и 68 000 операций ввода/вывода в секунду (IOPS). С учетом значительного прироста в скорости произвольного чтения и записи, которая более чем в 630 раз превосходит показатели обычных карт памяти microSD (100 IOPS), новая память позволяет одновременно запускать сразу несколько сложных приложений, обеспечивая улучшенную отзывчивость пользовательского интерфейса, особенно в новейшем поколении мобильных устройств.

После старта производства накопителей eUFS 3.0 емкостью 512ГБ и версии емкостью 128ГБ, которые будут запущены уже в этом месяце, Samsung намерена начать производство моделей емкостью 1ТБ и 256ГБ во второй половине этого года, чтобы помочь глобальным производителям устройств реализовывать мобильные инновации будущего.

*Расчеты приведены для передачи фильма в формате Full HD размером 3,7ГБ с мобильного устройства, оснащенного накопителем eUFS 3.0 емкостью 512ГБ, на компьютер с твердотельным NVMe-накопителем.  

** Для справки: сравнение производительности встраиваемой памяти Samsung

«Встроенный модуль eUFC емкостью 1ТБ будет критически важным для обеспечения опыта использования мобильных устройств следующего поколения как на ноутбуке», – прокомментировал Чеол Чой (Cheol Choi), исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу подразделения памяти в Samsung Electronics. – «Samsung стремится обеспечить наиболее надежную цепочку поставок и достаточные объемы производства для будущих флагманских смартфонов с целью ускорения роста мирового рынка мобильных устройств».

eUFS емкостью 1 ТБ также обладает исключительной скоростью, что позволяет передавать большие объемы мультимедийного контента в кратчайшее время. Новый накопитель обеспечивает скорость до 1000 Мб/с – вдвое больше, чем стандартный 2,5-дюймовый твердотельный накопитель SATA (SSD). Это означает, что видео в формате Full HD размером 5 ГБ можно переписать на NVMe SSD всего за пять секунд, что в 10 раз быстрее, чем позволяет обычная карта microSD. Скорость случайного чтения по сравнению с версией 512 ГБ увеличилась на 38% и достигла 58 000 IOPS. Произвольная запись выполняется в 500 раз быстрее, чем позволяют высокопроизводительные карты microSD (100 IOPS), – ее скорость может достигать 50 000 IOPS. Это позволяет осуществлять высокоскоростную непрерывную съемку со скоростью 960 кадров в секунду, благодаря чему владельцы флагманских устройств смогут в полной мере использовать все возможности многокамерной съемки.

Samsung намерена расширять производство своих V-NAND пятого поколения емкостью 512 ГБ на заводе в городе Пхёнтэк, Корея, в первой половине 2019 года, чтобы полностью удовлетворить ожидаемый высокий спрос на eUFS емкостью 1 ТБ со стороны производителей мобильных устройств по всему миру.

* Справка: Сравнение производительности памяти смартфонов: