При скорости работы 6400 мегабит в секунду (Мбит/с), новая память LPDDR5 примерно на 16% быстрее, чем 12-Гбитные микросхемы LPDDR5 (работающие на скорости 5500 Мбит/с), которые используются сегодня в большинстве флагманских моделей мобильных устройств. В модуле на 16ГБ память LPDDR5 способна передавать около 10 фильмов в формате Full-HD размером 5 ГБ каждый или 51,2 ГБ данных всего за одну секунду.

Поскольку для производства этих новых чипов используется первый в мире коммерческий техпроцесс 1z, корпус новой LPDDR5 памяти получился примерно на 30 процентов тоньше, чем у ее предшественницы, что позволяет реализовать еще больше функциональных возможностей в новых тонких смартфонах с поддержкой 5G и несколькими камерами, а также в тонких устройствах со складывающимся экраном. Новые 16-гигабитная LPDDR5 память позволяет получать модули емкостью 16 ГБ всего из восьми чипов, тогда как в предшествующей технологии 1y для получения модулей аналогичной емкости требовалось двенадцать чипов (восемь 12-гигабитных чипов и четыре 8-гигабитных чипа).

Производственная линия Samsung Pyeongtaek Line 2 расположена в южнокорейском городе Пхёнтхэк и занимает площадь более 128 900 кв.м, что эквивалентно размеру 16 футбольных полей. На сегодняшний день это самое большое в мире полупроводниковое производство. Приступив к поставкам первых модулей LPDDR5 памяти емкостью 16 ГБ, выполненных на базе техпроцесса 1z, для глобальных производителей смартфонов, компания планирует в 2021 году продолжить укреплять свои позиции на рынке флагманских мобильных устройств. Кроме того, Samsung намерена расширить сферу применения памяти LPDDR5 для автомобильной промышленности и предложить продукцию, работающую в расширенном температурном диапазоне, для соблюдения строгих стандартов безопасности и надежности для эксплуатации в экстремальных условиях.

Новое решение Samsung для обеспечения безопасности представляет собой усовершенствованную версию чипа первого поколения (S3K250AF), анонсированного в феврале. Благодаря удвоенной емкости защищенного хранилища оно поддерживает аппаратный корень доверия (RoT), безопасную загрузку и аутентификацию, что выводит надежность мобильных устройств на новый уровень. При запуске проприетарных приложений на мобильном устройстве аутентификация может быть усилена с помощью RoT. Во время загрузки активируется поэтапная проверка всех компонентов операционной системы с утвержденными ключами. Этот процесс защищает устройство от любых возможных атак или несанкционированных обновлений ПО.

Решение может работать независимо от основного процессора устройства. Это делает новинку универсальной и подходящей для усиления безопасности мобильных гаджетов, приложений IoT и других продуктов любого уровня производительности.

Ожидается, что решение Samsung S3FV9RR будет доступно в третьем квартале этого года.

Основное внимание новой линии, строительство которой уже началось, будет уделено EUV-решениям, выполненных по 5-нанометровому и еще более тонким техпроцессам. Линия будет играть ключевую роль в расширении использования компанией самых современных технологических процессов для множества решений текущего и следующего поколений, включая 5G, высокопроизводительные вычисления (HPC) и искусственный интеллект (ИИ). Запуск в эксплуатацию запланирован на вторую половину 2021 года.

«Новое предприятие расширит производственные мощности Samsung для 5-нм и более тонких техпроцессов и предоставит возможность оперативно реагировать на растущий спрос на решения для высокопроизводительных вычислений, – отметил д-р Юнг (ES Jung), президент и глава полупроводникового производства в Samsung Electronics. – Мы по-прежнему привержены удовлетворению потребностей наших клиентов посредством активных инвестиций и привлечения новых кадров. Это позволит нам продолжать развиваться, при этом обеспечивая устойчивый рост полупроводникового бизнеса Samsung».

Запустив массовое производство EUV-решений по 7-нм техпроцессу в начале 2019 года, Samsung недавно приступила к серийному изготовлению чипов для EUV на новой линии в Хвасоне, Корея. Ожидается, что с началом полной эксплуатации нового завода в Пхёнтэке в 2021 году мощность производства EUV-решений Samsung значительно возрастет.

Samsung намерена запустить массовое производство EUV-решений по 5-нм техпроцессу на заводе в Хвасоне во второй половине этого года. С учетом объекта в Пхёнтхэке у Samsung будет в общей сложности семь линий по производству полупроводников в Южной Корее и США, в том числе шесть с использованием 12-дюймовых подложек и одна с использованием 8-дюймовых подложек.