Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, как и обещала на конференциях Flash Memory Summit 2022 и Samsung Memory Tech Day 2022, объявила о начале массового производства 1-терабитной (Тб) трехуровневой ячейки (TLC) восьмого поколения Vertical NAND (V-NAND) с самой высокой в отрасли битовой плотностью. При плотности 1 Тб новая V-NAND также обладает самой высокой на сегодняшний день емкостью хранения данных, что позволяет увеличить объем памяти в корпоративных серверных системах нового поколения по всему миру.

«Поскольку рыночный спрос на более плотные и емкие устройства хранения данных подталкивает к увеличению количества слоев V-NAND, компания Samsung применила свою передовую технологию 3D-масштабирования для уменьшения площади поверхности и высоты, избегая при этом интерференции между ячейками, которая обычно возникает при уменьшении масштаба, – говорит Сунг Хой Хур (SungHoi Hur), исполнительный вице-президент подразделения Flash Product & Technology компании Samsung Electronics. – Наше восьмое поколение V-NAND поможет удовлетворить быстро растущий рыночный спрос и позволит нам выпускать более дифференцированные продукты и решения, которые станут основой будущих инноваций в области хранения данных».

Samsung удалось достичь самой высокой в отрасли плотности битов благодаря значительному увеличению производительности битов на пластину. Основанная на интерфейсе Toggle DDR 5.0* – новейшем стандарте флеш-памяти NAND – V-NAND восьмого поколения от Samsung имеет скорость ввода-вывода (I/O) до 2,4 гигабит в секунду (Гбит/с), что в 1,2 раза выше, чем у предыдущего поколения. Это позволит новой V-NAND соответствовать требованиям к производительности PCIe 4.0, а затем и PCIe 5.0.

Ожидается, что V-NAND восьмого поколения станет краеугольным камнем для конфигураций хранения данных, которые помогут увеличить емкость хранения в корпоративных серверах следующего поколения, а также расширит применение данного решения на автомобильном рынке, где надежность особенно важна.

* Примечание: переключение поколений интерфейса DDR – 1.0 (133 Мбит/с), 2.0 (400 Мбит/с), 3.0 (800 Мбит/с), 4.0 (1 200 Мбит/с), 5.0 (2 400 Мбит/с).