«Самые современные в отрасли микросхемы DDR5 DRAM 12 нм класса, производимые Samsung с использованием дифференцированного технологического процесса, обеспечивают высочайшую производительность и энергоэффективность, — заявил Джу Ёнг Ли (Jooyoung Lee), исполнительный вице-президент подразделения Продуктов и технологий DRAM компании Samsung Electronics. — Наше новейшее DRAM решение отражает неизменное стремление Samsung к лидерству на рынке не только с помощью высокопроизводительных и высокоемких продуктов, способных удовлетворить потребности рынка в крупномасштабных вычислительных операциях, но и путем коммерциализации решений следующего поколения, поддерживающих более высокую эффективность работы».

По сравнению с предыдущим поколением, новая память Samsung DDR5 DRAM класса 12 нм сокращает энергопотребление на 23%, при этом повышая производительность полупроводниковых пластин на 20%. Такая энергоэффективность делает память идеальным решением для глобальных IT-компаний, которые хотят снизить выбросы углекислого газа и энергопотребление своих серверов и центров обработки данных.

Реализация компанией Samsung технологического процесса 12 нм класса стала возможной благодаря использованию нового материала с высокой диэлектрической проницаемостью, способствующего увеличению емкости ячейки памяти. Высокая емкость обеспечивает разность электрических потенциалов в сигналах данных, что облегчает их точное распознавание. Созданию оптимального решения также способствовали разработки компании по снижению рабочего напряжения и уменьшению уровня шума.

Память Samsung DDR5 DRAM класса 12 нм обладает максимальной скоростью 7,2 гигабит в секунду (Гбит/с), что позволяет переписать два 30-гигабайтных фильма формата UHD примерно за одну секунду. Линейку DDR5 DRAM планируется применять в самых разных областях, включая центры обработки данных, искусственный интеллект и вычисления нового поколения.

В декабре прошлого года Samsung завершила оценку совместимости 16-гигабитной DDR5 DRAM с платформами AMD и продолжает сотрудничество с глобальными IT-компаниями для внедрения инноваций на рынке DRAM следующего поколения.

Компания Samsung Electronics объявила о разработке 16-гигабитной (Гб) памяти DDR5 DRAM, созданной с использованием первого в отрасли 12-нанометрового технологического процесса (нм) класса, а также о завершении оценки продукта на совместимость с AMD.

«Наша DRAM, изготовленная по 12-нм техпроцессу, станет ключевым фактором, способствующим повсеместному внедрению DDR5 DRAM на рынке, – сказал Чжу Ён Ли (Jooyoung Lee), исполнительный вице-президент подразделения DRAM Product & Technology компании Samsung Electronics. – Благодаря исключительной производительности и энергоэффективности, мы ожидаем, что наша новая DRAM послужит основой для более устойчивой работы в таких областях, как вычисления нового поколения, центры обработки данных и системы на базе искусственного интеллекта».

«Инновации часто требуют тесного сотрудничества с отраслевыми партнерами, чтобы расширить границы технологий, – сказал Джо Макри (Joe Macri), старший вице-президент и технический директор AMD по вычислениям и графике. – Мы очень рады вновь сотрудничать с Samsung, особенно по выпуску продуктов памяти DDR5, которые оптимизированы и проверены на платформах Zen».

Этот технологический скачок стал возможен благодаря использованию нового высокопрочного материала, увеличивающего емкость ячеек, и запатентованной технологии проектирования, улучшающей характеристики критических схем. В сочетании с передовой многослойной литографией в экстремальном ультрафиолете (EUV) новая DRAM отличается самой высокой в отрасли плотностью записи, что позволяет повысить производительность пластин на 20 процентов.

Используя новейший стандарт DDR5, DRAM Samsung класса 12 нм поможет разблокировать скорость до 7,2 гигабит в секунду (Гбит/с). Это означает, что два UHD-фильма объемом 30 гигабайт (ГБ) могут быть обработаны всего за одну секунду.

Исключительная скорость новой DRAM сопровождается более высокой энергоэффективностью. Потребляя на 23% меньше энергии, чем предыдущая DRAM, DRAM 12-нм класса станет идеальным решением для мировых ИТ-компаний, стремящихся к более экологичным операциям.

Массовое производство нового продукта начнется в 2023 году. Samsung планирует расширить линейку DRAM, созданных по передовой технологии 12-нм класса, в широком спектре сегментов рынка, продолжая работать с отраслевыми партнерами для поддержки быстрого распространения вычислений следующего поколения.