Компания Samsung Electronics объявила о разработке 16-гигабитной (Гб) памяти DDR5 DRAM, созданной с использованием первого в отрасли 12-нанометрового технологического процесса (нм) класса, а также о завершении оценки продукта на совместимость с AMD.

«Наша DRAM, изготовленная по 12-нм техпроцессу, станет ключевым фактором, способствующим повсеместному внедрению DDR5 DRAM на рынке, – сказал Чжу Ён Ли (Jooyoung Lee), исполнительный вице-президент подразделения DRAM Product & Technology компании Samsung Electronics. – Благодаря исключительной производительности и энергоэффективности, мы ожидаем, что наша новая DRAM послужит основой для более устойчивой работы в таких областях, как вычисления нового поколения, центры обработки данных и системы на базе искусственного интеллекта».

«Инновации часто требуют тесного сотрудничества с отраслевыми партнерами, чтобы расширить границы технологий, – сказал Джо Макри (Joe Macri), старший вице-президент и технический директор AMD по вычислениям и графике. – Мы очень рады вновь сотрудничать с Samsung, особенно по выпуску продуктов памяти DDR5, которые оптимизированы и проверены на платформах Zen».

Этот технологический скачок стал возможен благодаря использованию нового высокопрочного материала, увеличивающего емкость ячеек, и запатентованной технологии проектирования, улучшающей характеристики критических схем. В сочетании с передовой многослойной литографией в экстремальном ультрафиолете (EUV) новая DRAM отличается самой высокой в отрасли плотностью записи, что позволяет повысить производительность пластин на 20 процентов.

Используя новейший стандарт DDR5, DRAM Samsung класса 12 нм поможет разблокировать скорость до 7,2 гигабит в секунду (Гбит/с). Это означает, что два UHD-фильма объемом 30 гигабайт (ГБ) могут быть обработаны всего за одну секунду.

Исключительная скорость новой DRAM сопровождается более высокой энергоэффективностью. Потребляя на 23% меньше энергии, чем предыдущая DRAM, DRAM 12-нм класса станет идеальным решением для мировых ИТ-компаний, стремящихся к более экологичным операциям.

Массовое производство нового продукта начнется в 2023 году. Samsung планирует расширить линейку DRAM, созданных по передовой технологии 12-нм класса, в широком спектре сегментов рынка, продолжая работать с отраслевыми партнерами для поддержки быстрого распространения вычислений следующего поколения.

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, представила первый в отрасли модуль с поддержкой нового стандарта Compute Express Link (CXL). Новый модуль на базе Samsung Double Data Rate 5 (DDR5) позволит значительно повысить объем памяти серверных систем и увеличить пропускную способность, ускоряя выполнение задач, связанных с искусственным интеллектом (ИИ) и высокопроизводительными вычислениями (HPC) в центрах обработки данных.

Распространение ИИ и Big Data приводит к росту использования гетерогенных вычислений, при которых несколько процессоров работают параллельно для обработки больших объемов данных. Открытый, обладающий широкой отраслевой поддержкой протокол CXL, основанный на интерфейсе PCI Express (PCIe) 5.0, обеспечивает высокоскоростную передачу с малой задержкой между хост-процессором и такими устройствами, как серверные ускорители, буферы памяти и интеллектуальные устройства ввода-вывода. Также он повышает емкость памяти и пропускную способность, превосходя возможные ранее показатели. Для разработки технологий интерфейсов следующего поколения Samsung сотрудничает с рядом ЦОД и производителями серверов и чипов с момента создания консорциума CXL в 2019 году.

В отличие от обычной памяти на базе DDR, каналы которой ограничены, емкость модуля DDR5 Samsung с поддержкой CXL может быть увеличена до терабайтного уровня, значительно сокращая вызванные кэшированием задержки в работе.

Новый модуль Samsung успешно прошел тестирование на серверных платформах Intel следующего поколения. Кроме того, Samsung сотрудничает с центрами обработки данных и поставщиками облачных услуг по всему миру, чтобы лучше удовлетворять их потребность в большей емкости памяти.

Компания Samsung Electronics представила модуль DDR5 объемом 512 ГБ на базе технологии High-K Metal Gate (HKMG). Производительность DDR5 более, чем в два раза выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с). Новый модуль подходит для выполнения самых требовательных к вычислениям и пропускной способности задач, относящихся к суперкомпьютерам, искусственному интеллекту, машинному обучению и анализу данных.

«Применяя техпроцесс HKMG в производстве DRAM, мы можем предложить нашим клиентам высокопроизводительную и энергоэффективную память для компьютеров, выполняющих задачи для медицинских исследований, финансовых рынков, автономного вождения, “умных” городов и других сфер», — прокомментировал Янг-Су Сон (Young-Soo Sohn), вице-президент группы планирования и поддержки памяти DRAM в Samsung Electronics.

«Поскольку объем данных, которые необходимо перемещать, хранить и обрабатывать, растет по экспоненте, переход на DDR5 наступает в критический момент для облачных ЦОД, сетей и периферийных развертываний. Инженеры Intel в тесном сотрудничестве с лидерами в сфере памяти, такими как Samsung, создали быструю, энергоэффективную память DDR5 с оптимизированной производительностью, совместимую с нашими будущими процессорами Intel Xeon Scalable под кодовым названием Sapphire Rapids», — отметила Кэролин Дюран, вице-президент и генеральный директор по технологиям памяти и ввода-вывода в компании Intel.

В DDR5 от Samsung будет использоваться передовая технология HKMG, которая традиционно применяется в логических полупроводниках и была впервые использована в памяти Samsung GDDR6 в 2018 году. При сокращении размеров структур DRAM изоляционный слой становится тоньше, что приводит к большей утечке тока. Благодаря замене изолятора на материал HKMG, DDR5 от Samsung сокращает утечки и способна обеспечить более высокую производительность. Новая память также будет потреблять примерно на 13% меньше энергии, что делает ее особенно подходящей для центров обработки данных, где энергоэффективность имеет большое значение.

Используя технологию вертикальных межсоединений (through-silicon via, TSV), память Samsung DDR5 объединяет восемь слоев микросхем DRAM емкостью 16 ГБ, обеспечивая максимальную емкость 512 ГБ. Технология TSV впервые была задействована в DRAM в 2014 году, когда Samsung представила серверные модули емкостью до 256 ГБ.