О подписании меморандума было объявлено в ходе саммита, посвященного искусственному интеллекту, который прошел на площадке The Midway в Сан-Франциско. В мероприятии приняли участие президент и руководитель подразделения Foundry Business компании Samsung Electronics Джинман Хан (Jinman Han), президент и генеральный директор Broadcom Хок Тан (Hock Tan), руководители высшего звена обеих компаний, а также представители правительства Республики Корея.

Ожидается, что совокупный объем сотрудничества в области памяти и контрактного производства полупроводников в течение следующих пяти лет – до 2030 года – превысит 200 млрд долларов.

В сегменте памяти Samsung и Broadcom намерены развивать стратегическое сотрудничество по поставке передовых решений, включая High Bandwidth Memory (HBM), для поддержки AI-ускорителей Broadcom следующего поколения.

В области контрактного производства сотрудничество сосредоточится на использовании технологических процессов Samsung класса 2 нм и ниже для выпуска продукции Broadcom, включая решения Wireless Broadband Communications (WBC). Партнерство также охватит передовые технологии корпусирования, основанные на 2-нм техпроцессе Samsung, включая интеграцию 2.3D и 2.5D. Это позволит создавать более производительные и энергоэффективные AI- и сетевые полупроводниковые решения.

«AI стимулирует беспрецедентный спрос на тесно интегрированные полупроводниковые технологии, объединяющие память, логические микросхемы и современные технологии корпусирования, – отметил Ён Хен Джун (Young Hyun Jun), заместитель председателя совета директоров и генеральный директор подразделения Device Solutions (DS) компании Samsung Electronics. – Расширяя сотрудничество с Broadcom в этих стратегически важных направлениях, мы рассчитываем предложить пользователям еще большую ценность и внести вклад в развитие инфраструктуры AI будущего».

«По мере масштабирования инфраструктуры AI тесное взаимодействие участников полупроводниковой экосистемы становится все более важным, – заявил Чарли Кавас (Charlie Kawwas), президент Semiconductor Solutions Group компании Broadcom. – Объединив экспертизу Samsung в области памяти и контрактного производства с лидерством Broadcom в сфере AI и технологий связи, мы стремимся и дальше создавать решения, которые станут основой инфраструктуры AI нового поколения».

Благодаря компетенциям в области памяти, логических микросхем, контрактного производства и современных технологий корпусирования Samsung занимает уникальное положение для создания комплексных полупроводниковых решений для эпохи искусственного интеллекта. Расширение сотрудничества с Broadcom подтверждает неизменную приверженность Samsung поддержке пользователей с помощью комплексных полупроводниковых технологий для все более широкого спектра решений в области искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений.

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о разработке HBM3E 12H – первой в отрасли 12-стековой памяти HBM3E DRAM и самого емкого HBM на сегодняшний день.

HBM3E 12H от Samsung обеспечивает рекордно высокую пропускную способность до 1 280 гигабайт в секунду (ГБ/с) и лучшую в отрасли емкость в 36 гигабайт (ГБ). По сравнению с 8-стековой HBM3 8H оба показателя улучшены более чем на 50%.

«Провайдеры услуг искусственного интеллекта все чаще нуждаются в HBM с большей емкостью, и наш новый продукт HBM3E 12H был разработан для удовлетворения этой потребности, – говорит Йонгчеол Бэ (Yongcheol Bae), исполнительный вице-президент департамента Memory Product Planning компании Samsung Electronics. – Это новое решение является частью нашего стремления к разработке ключевых технологий для высокостековой HBM и обеспечению технологического лидерства на рынке HBM большой емкости в эпоху ИИ».

В HBM3E 12H используется усовершенствованная непроводящая пленка с термическим сжатием (TC NCF), что позволяет 12-слойным продуктам иметь ту же высоту, что и 8-слойным, и соответствовать современным требованиям к упаковке HBM. Ожидается, что эта технология даст дополнительные преимущества, особенно при использовании более высоких стеков, поскольку отрасль стремится уменьшить коробление чипов, возникающее при использовании более тонких матриц. Samsung продолжает снижать толщину своего материала NCF и добилась самого маленького в отрасли зазора между чипами в семь микрометров (мкм), а также устранила пустоты между слоями. Эти усилия позволили повысить вертикальную плотность более чем на 20% по сравнению с продуктом HBM3 8H.

Усовершенствованная технология Samsung TC NCF также улучшает тепловые свойства HBM, позволяя использовать между чипами неровности различных размеров. В процессе склеивания чипов более мелкие неровности используются в областях для передачи сигналов, а более крупные – в местах, требующих отвода тепла. Этот метод также помогает повысить выход продукции.

По мере экспоненциального роста приложений искусственного интеллекта HBM3E 12H станет оптимальным решением для будущих систем, которым требуется больше памяти. Ее более высокая производительность и емкость позволят заказчикам более гибко управлять ресурсами и снизить совокупную стоимость владения (TCO) для центров обработки данных. По оценкам специалистов, при использовании HBM3 8H в приложениях искусственного интеллекта средняя скорость обучения искусственного интеллекта может быть увеличена на 34%, а количество одновременных пользователей сервисов вывода – более чем в 11,5 раз.¹

Компания Samsung уже начала предоставлять HBM3E 12H своим партнерам для апробации, а массовое производство запланировано на первую половину этого года.

¹ По результатам внутреннего моделирования.