Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового производства первой в отрасли 12-гигабитной мобильной DRAM-памяти LPDDR5, которая была оптимизирована для эффективной работы функций с применением 5G и ИИ на будущих смартфонах. Выпуск новых модулей начался всего через пять месяцев после старта производства 12 Гбит LPDDR4X – модулей предыдущего поколения, что доказывает лидерство Samsung на рынке памяти класса премиум.

Учитывая растущий спрос на компоненты с более высокой производительностью для смартфонов со стороны производителей премиальных мобильных устройств, в конце июля Samsung также намерена начать массовое производство 12-гигабитных планок памяти LPDDR5, каждая из которых будет объединять 8 чипов.

«Запуская массовое производство модулей 12 Гбит LPDDR5 второго поколения Samsung, выполненных по 10-нм техпроцессу, мы рады способствовать скорейшему запуску флагманских смартфонов с поддержкой 5G для наших клиентов во всем мире. Samsung по-прежнему стремится быстро внедрять технологии мобильной памяти нового поколения с более высокими емкостью и производительностью, продолжая активно стимулировать рост рынка памяти премиум-класса», – прокомментировал исполнительный директор и вице-президент Samsung Electronics по продуктам и технологиям DRAM Джун-Бай Ли (Jung-bae Lee).

Благодаря лучшим в отрасли скорости и энергоэффективности, новая мобильная DRAM от Samsung позволит флагманским смартфонам следующего поколения использовать весь потенциал функций 5G и ИИ, таких как запись видео сверхвысокого разрешения и машинное обучение, значительно при этом увеличивая время автономной работы устройств.
 
Обеспечивая скорость передачи данных 5500 Мбит/c, 12-гигабитная LPDDR5 работает примерно в 1,3 раза быстрее, чем мобильная память предыдущего поколения (LPDDR4X, 4266 Мбит/с), используемая в современных флагманских смартфонах. В 12-гигабитной планке модуль LPDDR5 способен всего за секунду передать 44 ГБ данных, что по объему равно около 12 фильмам в формате Full HD размером 3,7 ГБ каждый. Новый чип также потребляет на 30 процентов меньше энергии, чем его предшественник, благодаря интеграции новой конструкции схемы с улучшенными функциями тактирования, обучения и малым энергопотреблением, что обеспечивает стабильную производительность даже при работе смартфона на высокой скорости.

Для оптимизации производственных мощностей Samsung намерена перенести производство своих 12 Гбит LPDDR5 чипов на завод в Пхёнтхэке (Корея), начиная со следующего года, в зависимости от спроса со стороны клиентов. Кроме того, в следующем году компания планирует укрепить лидерские позиции на мировом рынке, начав разработку 16-гигабитной LPDDR5 памяти.