Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового производства самых тонких в отрасли корпусов DRAM класса 12 нанометров (нм), 12-гигабайтных (ГБ) и 16-гигабайтных LPDDR5X, подкрепив свое лидерство на рынке DRAM с низким энергопотреблением.

Используя свой обширный опыт в области производства микросхем, Samsung может поставлять сверхтонкие корпуса LPDDR5X DRAM, которые могут обеспечивать дополнительное пространство внутри мобильных устройств, способствуя улучшению воздушного потока. Это облегчает тепловой контроль, что становится все более важным фактором, особенно для высокопроизводительных приложений с расширенными функциями, такими как искусственный интеллект на устройстве.

«LPDDR5X DRAM от Samsung устанавливает новый стандарт для высокопроизводительных решений в области искусственного интеллекта, предлагая не только превосходную производительность LPDDR, но и улучшенное тепловое управление в ультракомпактном корпусе, – говорит Йонг-Чеол Бэ (YongCheol Bae), исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти компании Samsung Electronics. – Мы стремимся к постоянным инновациям в тесном сотрудничестве с нашими клиентами, предлагая решения, которые отвечают будущим потребностям рынка DRAM с низким энергопотреблением».

В новых корпусах LPDDR5X DRAM компания Samsung предлагает самую тонкую в отрасли LPDDR DRAM класса 12 нм в 4-стековой структуре,¹ уменьшив толщину примерно на 9% и улучшив теплостойкость примерно на 21,2% по сравнению с моделью предыдущего поколения.

Благодаря оптимизации технологий изготовления печатных плат и эпоксидного формовочного компаунда,² новый корпус LPDDR DRAM тоньше ногтя – 0,65 миллиметра (мм), что является самым тонким среди существующих LPDDR DRAM емкостью 12 ГБ и выше. Оптимизированный техпроцесс Samsung с обратным перекрытием³ также используется для минимизации высоты корпуса.

Samsung планирует продолжать расширять рынок DRAM с низким энергопотреблением, поставляя свою 0,65-мм LPDDR5X DRAM производителям мобильных процессоров и мобильных устройств. Поскольку спрос на высокопроизводительные и высокоплотные решения для мобильной памяти в небольших корпусах продолжает расти, компания планирует разработать 6-слойные модули емкостью 24 ГБ и 8-слойные модули емкостью 32 ГБ в самых тонких корпусах LPDDR DRAM для будущих устройств.

¹ Структура из четырех слоев, каждый из которых состоит из двух LPDDR DRAM.

² Материал, защищающий полупроводниковые микросхемы от различных внешних воздействий, таких как тепло, удары и влага.

³ Шлифовка обратной стороны полупроводниковой пластины.

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о разработке первой в отрасли памяти LPDDR5X DRAM, поддерживающей самую высокую в отрасли производительность до 10,7 гигабит в секунду (Гбит/с).

Используя технологический процесс класса 12 нанометров (нм), компания Samsung достигла наименьшего размера чипа среди существующих LPDDR, укрепив свое технологическое лидерство на рынке DRAM с низким энергопотреблением.

«По мере роста спроса на энергоэффективную, высокопроизводительную память ожидается, что применение LPDDR DRAM расширится с преимущественно мобильных до других областей, где традиционно требуется более высокая производительность и надежность, таких как ПК, ускорители, серверы и автомобили, – говорит Йонг-Чеол Бэ (YongCheol Bae), исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти подразделения Memory Business компании Samsung Electronics. – Samsung продолжит внедрять инновации и поставлять оптимизированные продукты в тесном сотрудничестве с пользователями для грядущей эры ИИ на устройствах».

С ростом числа приложений на базе ИИ все большее значение приобретает искусственный интеллект на устройствах, который позволяет выполнять обработку непосредственно на устройствах, что подчеркивает необходимость в высокопроизводительной памяти LPDDR с низким потреблением энергии.

LPDDR5X со скоростью 10,7 Гбит/с от Samsung не только повышает производительность более чем на 25% и емкость более чем на 30% по сравнению с предыдущим поколением, но и увеличивает емкость одного пакета мобильной DRAM до 32 гигабайт (ГБ), что делает ее оптимальным решением для эпохи ИИ на устройствах, требующей высокопроизводительной, емкой и энергоэффективной памяти.

В частности, в LPDDR5X реализованы специальные технологии энергосбережения, такие как оптимизированное изменение мощности в зависимости от рабочей нагрузки и расширенные интервалы режима низкого энергопотребления, увеличивающие период энергосбережения. Эти усовершенствования повышают энергоэффективность на 25% по сравнению с предыдущим поколением, позволяя мобильным устройствам дольше работать от аккумулятора, а серверам – минимизировать совокупную стоимость владения (TCO) за счет снижения энергопотребления при обработке данных.

Массовое производство LPDDR5X со скоростью 10,7 Гбит/с планируется начать во второй половине года.