Компания Samsung Electronics объявила о разработке 16-гигабитной (Гб) памяти DDR5 DRAM, созданной с использованием первого в отрасли 12-нанометрового технологического процесса (нм) класса, а также о завершении оценки продукта на совместимость с AMD.

«Наша DRAM, изготовленная по 12-нм техпроцессу, станет ключевым фактором, способствующим повсеместному внедрению DDR5 DRAM на рынке, – сказал Чжу Ён Ли (Jooyoung Lee), исполнительный вице-президент подразделения DRAM Product & Technology компании Samsung Electronics. – Благодаря исключительной производительности и энергоэффективности, мы ожидаем, что наша новая DRAM послужит основой для более устойчивой работы в таких областях, как вычисления нового поколения, центры обработки данных и системы на базе искусственного интеллекта».

«Инновации часто требуют тесного сотрудничества с отраслевыми партнерами, чтобы расширить границы технологий, – сказал Джо Макри (Joe Macri), старший вице-президент и технический директор AMD по вычислениям и графике. – Мы очень рады вновь сотрудничать с Samsung, особенно по выпуску продуктов памяти DDR5, которые оптимизированы и проверены на платформах Zen».

Этот технологический скачок стал возможен благодаря использованию нового высокопрочного материала, увеличивающего емкость ячеек, и запатентованной технологии проектирования, улучшающей характеристики критических схем. В сочетании с передовой многослойной литографией в экстремальном ультрафиолете (EUV) новая DRAM отличается самой высокой в отрасли плотностью записи, что позволяет повысить производительность пластин на 20 процентов.

Используя новейший стандарт DDR5, DRAM Samsung класса 12 нм поможет разблокировать скорость до 7,2 гигабит в секунду (Гбит/с). Это означает, что два UHD-фильма объемом 30 гигабайт (ГБ) могут быть обработаны всего за одну секунду.

Исключительная скорость новой DRAM сопровождается более высокой энергоэффективностью. Потребляя на 23% меньше энергии, чем предыдущая DRAM, DRAM 12-нм класса станет идеальным решением для мировых ИТ-компаний, стремящихся к более экологичным операциям.

Массовое производство нового продукта начнется в 2023 году. Samsung планирует расширить линейку DRAM, созданных по передовой технологии 12-нм класса, в широком спектре сегментов рынка, продолжая работать с отраслевыми партнерами для поддержки быстрого распространения вычислений следующего поколения.

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, представила первый в отрасли модуль с поддержкой нового стандарта Compute Express Link (CXL). Новый модуль на базе Samsung Double Data Rate 5 (DDR5) позволит значительно повысить объем памяти серверных систем и увеличить пропускную способность, ускоряя выполнение задач, связанных с искусственным интеллектом (ИИ) и высокопроизводительными вычислениями (HPC) в центрах обработки данных.

Распространение ИИ и Big Data приводит к росту использования гетерогенных вычислений, при которых несколько процессоров работают параллельно для обработки больших объемов данных. Открытый, обладающий широкой отраслевой поддержкой протокол CXL, основанный на интерфейсе PCI Express (PCIe) 5.0, обеспечивает высокоскоростную передачу с малой задержкой между хост-процессором и такими устройствами, как серверные ускорители, буферы памяти и интеллектуальные устройства ввода-вывода. Также он повышает емкость памяти и пропускную способность, превосходя возможные ранее показатели. Для разработки технологий интерфейсов следующего поколения Samsung сотрудничает с рядом ЦОД и производителями серверов и чипов с момента создания консорциума CXL в 2019 году.

В отличие от обычной памяти на базе DDR, каналы которой ограничены, емкость модуля DDR5 Samsung с поддержкой CXL может быть увеличена до терабайтного уровня, значительно сокращая вызванные кэшированием задержки в работе.

Новый модуль Samsung успешно прошел тестирование на серверных платформах Intel следующего поколения. Кроме того, Samsung сотрудничает с центрами обработки данных и поставщиками облачных услуг по всему миру, чтобы лучше удовлетворять их потребность в большей емкости памяти.