Программные инновации Samsung включают в себя технологию «fail-in-place» (FIP), которая обеспечивает «бесконечную» работу SSD; «виртуализацию SSD» для предоставления независимых виртуальных рабочих пространств для нескольких пользователей; технологию машинного обучения V-NAND, которая использует Big Data для проверки достоверности данных при работе на сверхвысоких скоростях.

Технология Samsung FIP гарантирует, что накопитель будет продолжать нормальную работу даже при появлении ошибок на уровне чипа. В прошлом повреждение только одного из нескольких сотен чипов NAND означало необходимость замены всего SSD, что приводило к простою системы и дополнительным расходам. SSD, интегрированные с программным обеспечением Samsung FIP, выявляют неисправный чип, сканируют повреждения данных, а затем перемещают данные в рабочие чипы. Например, если в каком-либо из 512 NAND-чипов внутри твердотельного накопителя емкостью 30,72 ТБ обнаружена неисправность, программное обеспечение FIP автоматически активирует алгоритмы обработки ошибок на уровне чипа, сохраняя при этом высокую и стабильную производительность самого накопителя.

Технология виртуализации SSD позволяет разделить один накопитель до 64 раз на меньшие диски, предоставляя независимые виртуальные рабочие пространства для нескольких пользователей. С помощью этого ПО поставщики облачных хранилищ оптимизируют конкурентоспособность продукта и могут предоставлять услуги для большего числа пользователей при том же объеме ресурсов. Технология виртуализации также позволяет твердотельным накопителям выполнять ряд задач, которые обычно возложены на процессоры сервера — например, виртуализацию ввода-вывода с единым корнем. При этом требуется меньше серверных процессоров и твердотельных накопителей, что уменьшает занимаемую площадь сервера при более высокой эффективности.

Технология машинного обучения V-NAND помогает точно предсказывать и проверять характеристики ячейки, а также выявлять любые неполадки в микросхемах с помощью анализа больших данных. Это обеспечивает надежное хранение информации, поскольку рост скорости накопителя создает проблемы при считывании и проверке данных с помощью ультрабыстрых импульсов напряжения. Твердотельный накопитель на базе более чем 100-слойной четырехбитной NAND-памяти требует значительно более точного управления ячейкой, чем SSD на базе трехбитного NAND, и обладает более высокой производительностью, емкостью и надежностью, которые необходимы для использования в системах хранения серверов и центров обработки данных с применением машинного обучения.

«Мы расширяем рынок премиальных твердотельных накопителей за счет сочетания высокой скорости и мощности с революционными программными решениями, — отметил Ке Хён Кёнг (Kye Hyun Kyung), исполнительный вице-президент подразделения Memory Solution Product & Development в компании Samsung Electronics. — Мы планируем внедрить дополнительные инновации, основанные на нашем шестом поколении V-NAND, что поможет стимулировать дальнейший рост SSD на глобальном рынке».