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삼성전자, 세계 최초 '2세대 10나노급(1y) D램' 본격 양산

2017/12/20

삼성전자가 역대 최고 수준의 공정 개발 난제를 극복하고 세계 최초로 '10나노급 2세대(1y나노) D램'을 양산한다.

삼성전자는 지난 달부터 세계 최소 칩 사이즈의 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산하고 있다.

2016년 2월에 '1x나노(10나노급 1세대) 8Gb D램'을 양산하며, 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 삼성전자는 21개월만에 또다시 반도체 미세공정 한계를 극복했다.

삼성전자는 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 약 30% 높여 글로벌 고객의 프리미엄 D램 수요 증가에 적기 대응할 수 있는 초격차 경쟁력을 구축했다.

자세한 내용은 삼성전자 뉴스룸(http://bit.ly/2Vh2SuH)에서 확인하실 수 있습니다.

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