삼성전자, ‘28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM’ 출하

2019/03/06

삼성전자가 '28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory, 내장형 MRAM)' 솔루션 제품을 출하했다.

FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있는 공정이며, MRAM은 비휘발성(전원을 꺼도 데이터가 유지됨)이면서도 DRAM 수준으로 속도가 빠르다는 특성을 가지는 메모리 반도체다. 이 두 기술이 합쳐져 전력을 적게 소모하면서 속도도 매우 빠르고, 소형화가 쉬우면서도 가격까지 저렴한 차세대 내장 메모리가 만들어졌다.

▲ 삼성전자 파운드리 생산라인 전경

*자세한 내용은 삼성전자 뉴스룸(http://bit.ly/30Mpt3j)에서 확인하실 수 있습니다.