삼성전자, 세계 최초 ‘3세대 10나노급(1z) D램’ 개발

2019/03/21

삼성전자가 세계 최초로 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했다.

삼성전자는 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월만에 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램을 개발하며 또 다시 역대 최고 미세 공정 한계를 극복했다.

▲ 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램

*자세한 내용은 삼성전자 뉴스룸(http://bit.ly/2Iq4MUp)에서 확인하실 수 있습니다.