Samsung Electronics inicia el envío de muestras de la primera memoria HBM4E de 12 capas de la industria

Samsung Electronics, líder global en tecnología avanzada de memoria, anunció hoy el inicio del envío de muestras de la primera memoria HBM4E de 12 capas de la industria a importantes clientes globales, un avance que refuerza su liderazgo en el mercado de memorias HBM de próxima generación. 

Tras convertirse este año en la primera compañía de la industria en iniciar la producción masiva y los envíos comerciales de HBM4, Samsung amplía ahora su portafolio de memorias HBM con el envío de muestras de HBM4E, una solución diseñada para responder a las crecientes demandas de la infraestructura de IA y los centros de datos de hiperescala. 

“Después del exitoso inicio de la producción masiva de HBM4, Samsung vuelve a demostrar su liderazgo tecnológico con HBM4E”, afirmó Sang Joon Hwang, vicepresidente ejecutivo y responsable de Desarrollo de Memoria en Samsung Electronics. “Gracias a nuestras avanzadas capacidades de fabricación y a las inversiones estratégicas en infraestructura, continuaremos impulsando la evolución del mercado global de memorias para inteligencia artificial”. 

La HBM4E de Samsung ofrece una velocidad estable por pin de 14 gigabits por segundo (Gbps), con capacidad de escalar hasta 16 Gbps para satisfacer requisitos de procesamiento de datos cada vez más exigentes. Esto representa una mejora superior al 20 % respecto a la HBM4 y permite alcanzar un ancho de banda de hasta 3,6 terabytes por segundo (TB/s) por pila, lo que maximiza el rendimiento de modelos de lenguaje de gran tamaño (LLM) y sistemas de IA de próxima generación. 

La versión de 12 capas alcanza una capacidad de 48 gigabytes (GB), más de un 30 % superior a la generación anterior. Samsung también planea ampliar la línea con configuraciones de 32 GB (8 capas) y 64 GB (16 capas), en función de las necesidades de sus clientes. 

La HBM4E aprovecha las capacidades integradas de semiconductores de Samsung y utiliza las mismas tecnologías avanzadas perfeccionadas durante la producción de HBM4. Entre ellas se encuentran el proceso DRAM de sexta generación de clase 10 nanómetros (nm) (1c), considerado el más avanzado de la industria, y el chip base lógico de 4 nm desarrollado por Samsung Foundry. Esta combinación permite mejorar la estabilidad del proceso y la eficiencia de fabricación. 

Las optimizaciones aplicadas tanto a la arquitectura de memoria como a la arquitectura lógica mejoran el desempeño, la eficiencia energética y la productividad de fabricación. 

En particular, las tecnologías avanzadas de diseño de bajo consumo y las estructuras de empaquetado optimizadas mejoraron la eficiencia energética en un 16 % y el desempeño térmico en más de un 14 % en comparación con la generación anterior. Estas mejoras favorecen una disipación de calor más eficiente, aumentan la confiabilidad operativa y reducen el consumo energético en centros de datos de próxima generación dedicados a cargas intensivas de IA. 

Samsung tiene previsto iniciar la producción masiva de HBM4E de acuerdo con los calendarios de sus clientes, una vez concluidas las fases iniciales de evaluación y optimización. 

Los comentarios recibidos de clientes globales sobre la HBM4 de Samsung, presentada en febrero, han sido especialmente positivos en términos de rendimiento y eficiencia energética. La HBM4 fue la primera de la industria en entrar en producción masiva y estableció un nuevo estándar con velocidades de 11,7 Gbps durante las pruebas de sistema en paquete (SiP). 

A medida que Samsung fortalece el suministro estable de HBM4, se espera que la nueva HBM4E, que comparte la misma arquitectura de núcleo y chip base, entre en producción masiva para acelerar aún más la innovación en sistemas de IA de próxima generación. Con un portafolio integral que abarca memoria, servicios de foundry, diseño lógico y empaquetado avanzado, Samsung continuará garantizando un suministro estable de semiconductores para responder al crecimiento del mercado global de la inteligencia artificial.