Samsung presentó la memoria HBM4E, que destaca sus soluciones integrales de IA, su alianza con NVIDIA y su visión en NVIDIA GTC 2026

Samsung impulsa el desarrollo de infraestructura de IA y fábricas de IA mediante soluciones de cómputo que abarcan centros de datos e inteligencia artificial física y en dispositivos

Se exhibió el HBM4 comercial —primero en la industria— y su sucesor HBM4E, destacando rendimiento, confiabilidad y eficiencia energética para centros de datos de próxima generación

Samsung recientemente presentó su colaboración estratégica en IA con NVIDIA en innovación de ingeniería de semiconductores, desde I+D y diseño hasta manufactura

Samsung Electronics, líder global en tecnología avanzada de semiconductores, presentó las tecnologías integrales de cómputo para IA durante el evento NVIDIA GTC 2026 en San José, California, del 16 al 19 de marzo. Como la única compañía de semiconductores que ofrece una solución total de IA —que abarca memoria, lógica, fundición y empaquetado avanzado— Samsung exhibió su portafolio completo de productos y soluciones que permiten a los clientes diseñar y construir sistemas de IA de última generación. Para conocer más, los asistentes pudieron visitar el stand de Samsung en GTC 2026 (#1207). 

El elemento central de la exhibición fue el nuevo HBM4 de sexta generación, actualmente en producción en masa y diseñado para la plataforma NVIDIA Vera Rubin. Se espera que este producto acelere el desarrollo de futuras aplicaciones de IA, ofreciendo velocidades de procesamiento constantes de 11.7 Gbps, superando el estándar de la industria de 8 Gbps, y con capacidad de alcanzar hasta 13 Gbps. 

Gracias al uso del proceso DRAM más avanzado de sexta generación (clase 10 nm, 1c), Samsung logró rendimientos estables y un desempeño líder en la industria. Además, presentó por primera vez el HBM4E, con 16 Gbps por pin y un ancho de banda de 4.0 TB/s.  

Los visitantes también conocieron la tecnología de unión híbrida de cobre (HCB), un nuevo método que permitirá alcanzar 16 capas o más en la próxima generación de HBM, lo que reducirá la resistencia térmica en más de 20% frente a la tecnología TCB.  

Una alianza que impulsa la era de la IA 

 La colaboración entre Samsung y NVIDIA se destacó en una zona especial del stand llamada “NVIDIA Gallery”, donde se mostraron tecnologías como HBM4, SOCAMM2 y SSD PM1763, diseñadas para la infraestructura de IA de NVIDIA. 

Para responder a la necesidad de lograr la máxima eficiencia y escalabilidad en los sistemas de IA, el SOCAMM2 de Samsung, basado en DRAM de bajo consumo, es un módulo de memoria para servidores óptimo que ofrece un gran ancho de banda y una integración flexible en el sistema para la infraestructura de IA de próxima generación. El SOCAMM2 de Samsung se encuentra actualmente en producción en masa, lo que lo convierte en el primero del sector en alcanzar este hito. 

Diseñado para soluciones de almacenamiento de IA de última generación, el SSD PM1763 de Samsung se basa en la última interfaz PCIe 6.0, lo que permite transferencias de datos rápidas y grandes capacidades. El rendimiento del PM1763, líder en el sector, se demostró en servidores que funcionan con el modelo de programación NVIDIA SCADA. 

Como parte de la nueva arquitectura de referencia NVIDIA BlueField-4 STX para infraestructuras de almacenamiento aceleradas en la plataforma Vera Rubin de NVIDIA, la unidad SSD PM1753 de Samsung demostró cómo contribuye a mejorar la eficiencia energética y el rendimiento del sistema en cargas de trabajo de inferencia. 

Arquitectura de memoria para ampliar la fabricación inteligente 

Samsung también presentó su colaboración con NVIDIA en el desarrollo de la “AI Factory” en la GTC 2026, incluyendo planes para implementar la computación acelerada de NVIDIA con el fin de ampliar la “AI Factory” de Samsung y acelerar la fabricación mediante gemelos digitales que aprovechan las bibliotecas de NVIDIA Omniverse. Esta colaboración impulsa una de las infraestructuras de fabricación de chips más completas del mundo, que abarca memoria, lógica, fundición y empaquetado avanzado. 

Por otra parte, Yong Ho Song, vicepresidente ejecutivo y director del Centro de Inteligencia Artificial de Samsung Electronics, explicó con más detalle la colaboración estratégica entre ambas empresas en su ponencia del pasado 17 de marzo de 2026. Bajo el título “Transformar la fabricación de semiconductores con IA agentiva, desde el diseño y la ingeniería hasta la producción” (Transforming Semiconductor Manufacturing with Agentic AI from Design and Engineering to Production), la sesión profundizó en la “AI Factory” de la empresa y compartió casos de uso innovadores de principio a fin en el mundo real, en los que la IA y los gemelos digitales están transformando la fabricación de semiconductores con avances en la automatización del diseño electrónico (EDA) y la litografía computacional, hasta el diseño y la operación de instalaciones de fabricación avanzadas impulsadas por NVIDIA. 

Memoria eficiente para la inteligencia local  

Las soluciones de memoria de Samsung también ofrecen una eficiencia maximizada para las cargas de trabajo de IA locales en dispositivos personales. Durante la GTC 2026, Samsung también presentó soluciones eficientes y a medida para supercomputadoras de IA personales, entre las que se incluyeron las memorias NAND Samsung PM9E3 y PM9E1 para NVIDIA DGX Spark. 

Además, Samsung presentó soluciones DRAM, LPDDR5X y LPDDR6, diseñadas para integrarse a la perfección en smartphones, tablets y dispositivos portátiles de gama alta, lo que ofrecerá un mayor rendimiento de datos y una menor latencia. LPDDR5X ofrece velocidades de hasta 25 Gbps por pin, al tiempo que reduce el consumo de energía hasta en un 15%, lo que permite experiencias móviles ultrarrápidas, juegos de alta resolución y aplicaciones mejoradas con IA sin sacrificar la duración de la batería. 

Partiendo de esa base, la LPDDR6 amplía aún más el ancho de banda hasta alcanzar una velocidad escalable de entre 30 y 35 Gbps por pin e introduce funciones avanzadas de gestión de energía, como el ajuste adaptativo del voltaje y el control dinámico de la actualización, que en conjunto proporcionan el rendimiento necesario para las cargas de trabajo de IA en el borde de la red de próxima generación.