El elemento central de la exhibición fue el nuevo HBM4 de sexta generación, actualmente en producción en masa y diseñado para la plataforma NVIDIA Vera Rubin. Se espera que este producto acelere el desarrollo de futuras aplicaciones de IA, ofreciendo velocidades de procesamiento constantes de 11.7 Gbps, superando el estándar de la industria de 8 Gbps, y con capacidad de alcanzar hasta 13 Gbps. 

Gracias al uso del proceso DRAM más avanzado de sexta generación (clase 10 nm, 1c), Samsung logró rendimientos estables y un desempeño líder en la industria. Además, presentó por primera vez el HBM4E, con 16 Gbps por pin y un ancho de banda de 4.0 TB/s.  

Los visitantes también conocieron la tecnología de unión híbrida de cobre (HCB), un nuevo método que permitirá alcanzar 16 capas o más en la próxima generación de HBM, lo que reducirá la resistencia térmica en más de 20% frente a la tecnología TCB.  

Una alianza que impulsa la era de la IA 

 La colaboración entre Samsung y NVIDIA se destacó en una zona especial del stand llamada “NVIDIA Gallery”, donde se mostraron tecnologías como HBM4, SOCAMM2 y SSD PM1763, diseñadas para la infraestructura de IA de NVIDIA. 

Para responder a la necesidad de lograr la máxima eficiencia y escalabilidad en los sistemas de IA, el SOCAMM2 de Samsung, basado en DRAM de bajo consumo, es un módulo de memoria para servidores óptimo que ofrece un gran ancho de banda y una integración flexible en el sistema para la infraestructura de IA de próxima generación. El SOCAMM2 de Samsung se encuentra actualmente en producción en masa, lo que lo convierte en el primero del sector en alcanzar este hito. 

Diseñado para soluciones de almacenamiento de IA de última generación, el SSD PM1763 de Samsung se basa en la última interfaz PCIe 6.0, lo que permite transferencias de datos rápidas y grandes capacidades. El rendimiento del PM1763, líder en el sector, se demostró en servidores que funcionan con el modelo de programación NVIDIA SCADA. 

Como parte de la nueva arquitectura de referencia NVIDIA BlueField-4 STX para infraestructuras de almacenamiento aceleradas en la plataforma Vera Rubin de NVIDIA, la unidad SSD PM1753 de Samsung demostró cómo contribuye a mejorar la eficiencia energética y el rendimiento del sistema en cargas de trabajo de inferencia. 

Arquitectura de memoria para ampliar la fabricación inteligente 

Samsung también presentó su colaboración con NVIDIA en el desarrollo de la “AI Factory” en la GTC 2026, incluyendo planes para implementar la computación acelerada de NVIDIA con el fin de ampliar la “AI Factory” de Samsung y acelerar la fabricación mediante gemelos digitales que aprovechan las bibliotecas de NVIDIA Omniverse. Esta colaboración impulsa una de las infraestructuras de fabricación de chips más completas del mundo, que abarca memoria, lógica, fundición y empaquetado avanzado. 

Por otra parte, Yong Ho Song, vicepresidente ejecutivo y director del Centro de Inteligencia Artificial de Samsung Electronics, explicó con más detalle la colaboración estratégica entre ambas empresas en su ponencia del pasado 17 de marzo de 2026. Bajo el título “Transformar la fabricación de semiconductores con IA agentiva, desde el diseño y la ingeniería hasta la producción” (Transforming Semiconductor Manufacturing with Agentic AI from Design and Engineering to Production), la sesión profundizó en la “AI Factory” de la empresa y compartió casos de uso innovadores de principio a fin en el mundo real, en los que la IA y los gemelos digitales están transformando la fabricación de semiconductores con avances en la automatización del diseño electrónico (EDA) y la litografía computacional, hasta el diseño y la operación de instalaciones de fabricación avanzadas impulsadas por NVIDIA. 

Memoria eficiente para la inteligencia local  

Las soluciones de memoria de Samsung también ofrecen una eficiencia maximizada para las cargas de trabajo de IA locales en dispositivos personales. Durante la GTC 2026, Samsung también presentó soluciones eficientes y a medida para supercomputadoras de IA personales, entre las que se incluyeron las memorias NAND Samsung PM9E3 y PM9E1 para NVIDIA DGX Spark. 

Además, Samsung presentó soluciones DRAM, LPDDR5X y LPDDR6, diseñadas para integrarse a la perfección en smartphones, tablets y dispositivos portátiles de gama alta, lo que ofrecerá un mayor rendimiento de datos y una menor latencia. LPDDR5X ofrece velocidades de hasta 25 Gbps por pin, al tiempo que reduce el consumo de energía hasta en un 15%, lo que permite experiencias móviles ultrarrápidas, juegos de alta resolución y aplicaciones mejoradas con IA sin sacrificar la duración de la batería. 

Partiendo de esa base, la LPDDR6 amplía aún más el ancho de banda hasta alcanzar una velocidad escalable de entre 30 y 35 Gbps por pin e introduce funciones avanzadas de gestión de energía, como el ajuste adaptativo del voltaje y el control dinámico de la actualización, que en conjunto proporcionan el rendimiento necesario para las cargas de trabajo de IA en el borde de la red de próxima generación. 

La ceremonia de firma se llevó a cabo en el complejo de fabricación de chips más avanzado de Samsung en Pyeongtaek, Corea, con la presencia de la Dra. Lisa Su, presidenta y CEO de AMD, y Young Hyun Jun, vicepresidente y CEO de Samsung Electronics.

“Samsung y AMD comparten el compromiso de avanzar en las tecnologías de AI, y este acuerdo refleja el alcance creciente de nuestra colaboración”, señaló Young Hyun Jun, vicepresidente y CEO de Samsung Electronics. “Desde HBM4 líder en la industria y arquitecturas de memoria de próxima generación hasta foundry de vanguardia y empaquetado avanzado, Samsung está posicionado de manera única para ofrecer herramientas integrales que respalden la evolución del roadmap de AI de AMD”.

“Impulsar la próxima generación de infraestructura de AI requiere una colaboración profunda en toda la industria”, explicó la Dra. Lisa Su, presidenta y CEO de AMD. “Estamos encantados de ampliar nuestro trabajo con Samsung, combinando su liderazgo en memoria avanzada con nuestras GPUs Instinct, CPUs EPYC y plataformas a escala de rack. La integración a lo largo de toda la pila de computación, desde el silicio hasta el sistema y el rack, es esencial para acelerar la innovación en AI que se traduzca en un impacto real a gran escala”.

En virtud del MOU, Samsung y AMD alinearán el suministro principal de HBM4 para el acelerador de AI de próxima generación de AMD, la GPU AMD Instinct MI455X, así como soluciones avanzadas de DRAM para CPUs AMD EPYC de 6ª generación, con nombre en clave “Venice”. Estas tecnologías respaldarán sistemas de AI de próxima generación que combinan GPUs AMD Instinct, CPUs AMD EPYC y arquitecturas a escala de rack como la plataforma AMD Helios.

Samsung y AMD están colaborando estrechamente en tecnologías avanzadas de memoria para cargas de trabajo de AI y centros de datos. A medida que el ancho de banda de la memoria y la eficiencia energética se vuelven cada vez más críticos para el rendimiento a nivel de sistema, esta colaboración ayudará a ofrecer una infraestructura de inteligencia artificial más optimizada para los clientes.

Primera en la industria en entrar en producción masiva, la HBM4 de Samsung está construida sobre su proceso DRAM más avanzado de sexta generación de clase 10 nanómetros (nm) (1c) y un die lógico base de 4 nm, con velocidades de procesamiento de hasta 13 gigabits por segundo (Gbps) y un ancho de banda máximo de 3,3 terabytes por segundo (TB/s), lo que supera los estándares de la industria.

Impulsada por el rendimiento líder en la industria, la confiabilidad y la eficiencia energética de la HBM4 de Samsung, se espera que la GPU AMD Instinct MI455X sea la solución ideal para sistemas de alto rendimiento que manejan el entrenamiento e inferencia de modelos de inteligencia artificial.

La GPU MI455X servirá como un componente clave para la arquitectura a escala de rack AMD Helios, diseñada para ofrecer el rendimiento y escalabilidad necesarios para la infraestructura de AI de próxima generación.

Como parte de su colaboración, Samsung y AMD también trabajarán juntos en una memoria DDR5 de alto rendimiento optimizada para CPUs AMD EPYC de 6ª generación. Las empresas buscan ofrecer soluciones DDR5 líderes en la industria para sistemas basados en la arquitectura a escala de rack AMD Helios.

Las dos empresas también discutirán oportunidades de asociación en foundry, mediante las cuales Samsung proporcionaría servicios de fabricación para productos AMD de próxima generación.

Samsung y AMD han colaborado durante casi dos décadas en tecnologías gráficas, móviles y de computación, incluyendo el papel de Samsung como principal socio de HBM3E de AMD, impulsando los más recientes aceleradores de AI AMD Instinct MI350X y MI355X.

▲ El vicepresidente y CEO de Samsung Electronics, Young Hyun Jun (izquierda), y la presidenta y CEO de AMD, Dra. Lisa Su, posan con el memorando de entendimiento (MOU) tras la ceremonia en el complejo de fabricación de chips más avanzado de Samsung en Pyeongtaek, Corea, el 18 de marzo de 2026.

▲ El vicepresidente y CEO de Samsung Electronics, Young Hyun Jun (izquierda), y la presidenta y CEO de AMD, Dra. Lisa Su, posan con el memorando de entendimiento (MOU) tras la ceremonia en el complejo de fabricación de chips más avanzado de Samsung en Pyeongtaek, Corea, el 18 de marzo de 2026.

▲ La presidenta y CEO de AMD, Dra. Lisa Su, observa una línea avanzada de producción de semiconductores durante un recorrido por la ventana de la fábrica en el complejo de fabricación de chips más avanzado de Samsung en Pyeongtaek, Corea, el 18 de marzo de 2026.

Acerca de AMD

AMD (NASDAQ: AMD) impulsa la innovación en computación de alto rendimiento e IA para resolver los desafíos más importantes del mundo. Hoy en día, la tecnología de AMD impulsa miles de millones de experiencias en infraestructura de nube e IA, sistemas embebidos, PCs con IA y videojuegos. Con un amplio portafolio de CPUs, GPUs, redes y software optimizados para IA, AMD ofrece soluciones completas de IA que proporcionan el rendimiento y la escalabilidad necesarios para una nueva era de computación inteligente. Más información en www.amd.com.

Al aprovechar proactivamente su proceso de DRAM de clase de 10 nanómetros (nm) de sexta generación (1c) más avanzado, la compañía logró rendimientos estables y un desempeño líder en la industria desde el inicio de la producción en masa, todo realizado de manera fluida y sin rediseños adicionales. 

“En lugar de tomar el camino convencional de utilizar diseños probados existentes, Samsung dio el salto y adoptó los nodos más avanzados como la DRAM 1c y el proceso de lógica de 4 nm para la HBM4”, dijo Sang Joon Hwang, vicepresidente ejecutivo y jefe de Desarrollo de Memoria de Samsung Electronics. “Al aprovechar nuestra competitividad de proceso y la optimización del diseño, podemos asegurar un margen de rendimiento sustancial, lo que nos permite satisfacer las crecientes demandas de nuestros clientes de un mayor rendimiento cuando lo necesiten”. 

Establecer el nivel para el máximo rendimiento y eficiencia

El HBM4 de Samsung ofrece una velocidad de procesamiento constante de 11.7 gigabits por segundo (Gbps), superando el estándar de la industria de 8 Gbps en aproximadamente un 46% y estableciendo un nuevo logro para el rendimiento de HBM4. Esto representa un aumento de 1.22 veces sobre la velocidad máxima de pin de 9.6 Gbps de su predecesora, HBM3E. El rendimiento de la HBM4 también se puede mejorar hasta los 13 Gbps, mitigando eficazmente los cuellos de botella de datos que se intensifican a medida que los modelos de IA continúan escalando. 

Además, el ancho de banda total de memoria por stack individual aumenta 2.7 veces en comparación con la HBM3E, hasta un máximo de 3.3 terabytes por segundo (TB/s). 

A través de la tecnología de stacking de 12 capas, Samsung ofrece el HBM4 en capacidades que van desde 24 gigabytes (GB) hasta 36 GB. La compañía también mantendrá sus opciones de capacidad alineadas con los plazos futuros de los clientes mediante el uso de stacking de 16 capas, lo que ampliará la oferta hasta los 48 GB. 

Para abordar el consumo de energía y los desafíos térmicos impulsados por la duplicación de las E/S de datos de 1,024 a 2,048 pines, Samsung integró soluciones de diseño avanzadas de bajo consumo en el core die. El HBM4 también logra una mejora del 40% en la eficiencia energética al aprovechar la tecnología de low-voltage through silicon via (TSV) y la optimización de la power distribution network (PDN), al tiempo que mejora la resistencia térmica en un 10% y la disipación de calor en un 30%, en comparación con la HBM3E. 

Al brindar un rendimiento sobresaliente, eficiencia energética y alta confianza a los entornos de centros de datos del mañana, el HBM4 de Samsung permite a los clientes lograr el máximo rendimiento de la GPU y gestionar eficazmente su costo total de propiedad (TCO). 

Capacidades de producción integrales y ágiles

Samsung se compromete a avanzar en su camino de HBM a través de sus recursos de fabricación integrales, que incluyen una de las capacidades de producción de DRAM más grandes e infraestructuras dedicadas en la industria, lo que garantiza una cadena de suministro resiliente para satisfacer el aumento proyectado en la demanda de HBM4. 

Una Design Technology Co-Optimization (DTCO) estrechamente integrada entre los negocios de Fundición y Memoria de la compañía le permite asegurar los más altos estándares de calidad y rendimiento. Además, la amplia experiencia interna en advanced packaging permite ciclos de producción optimizados y tiempos de entrega reducidos. 

Samsung también planea ampliar el alcance de su asociación técnica con socios clave, basándose en discusiones cercanas con fabricantes globales de GPU e hyperscalers enfocados en el desarrollo de ASIC de próxima generación. 

Samsung anticipa que sus ventas de HBM se triplicarán con creces en 2026, en comparación con 2025, y está expandiendo proactivamente su capacidad de producción de HBM4. Tras la exitosa introducción de la HBM4 en el mercado, se espera que el muestreo para HBM4E comience en la segunda mitad de 2026, mientras que las muestras de HBM personalizadas comenzarán a llegar a los clientes en 2027, de acuerdo con sus respectivas especificaciones.