Tras convertirse este año en la primera compañía de la industria en iniciar la producción masiva y los envíos comerciales de HBM4, Samsung amplía ahora su portafolio de memorias HBM con el envío de muestras de HBM4E, una solución diseñada para responder a las crecientes demandas de la infraestructura de IA y los centros de datos de hiperescala. 

“Después del exitoso inicio de la producción masiva de HBM4, Samsung vuelve a demostrar su liderazgo tecnológico con HBM4E”, afirmó Sang Joon Hwang, vicepresidente ejecutivo y responsable de Desarrollo de Memoria en Samsung Electronics. “Gracias a nuestras avanzadas capacidades de fabricación y a las inversiones estratégicas en infraestructura, continuaremos impulsando la evolución del mercado global de memorias para inteligencia artificial”. 

La HBM4E de Samsung ofrece una velocidad estable por pin de 14 gigabits por segundo (Gbps), con capacidad de escalar hasta 16 Gbps para satisfacer requisitos de procesamiento de datos cada vez más exigentes. Esto representa una mejora superior al 20 % respecto a la HBM4 y permite alcanzar un ancho de banda de hasta 3,6 terabytes por segundo (TB/s) por pila, lo que maximiza el rendimiento de modelos de lenguaje de gran tamaño (LLM) y sistemas de IA de próxima generación. 

La versión de 12 capas alcanza una capacidad de 48 gigabytes (GB), más de un 30 % superior a la generación anterior. Samsung también planea ampliar la línea con configuraciones de 32 GB (8 capas) y 64 GB (16 capas), en función de las necesidades de sus clientes. 

La HBM4E aprovecha las capacidades integradas de semiconductores de Samsung y utiliza las mismas tecnologías avanzadas perfeccionadas durante la producción de HBM4. Entre ellas se encuentran el proceso DRAM de sexta generación de clase 10 nanómetros (nm) (1c), considerado el más avanzado de la industria, y el chip base lógico de 4 nm desarrollado por Samsung Foundry. Esta combinación permite mejorar la estabilidad del proceso y la eficiencia de fabricación. 

Las optimizaciones aplicadas tanto a la arquitectura de memoria como a la arquitectura lógica mejoran el desempeño, la eficiencia energética y la productividad de fabricación. 

En particular, las tecnologías avanzadas de diseño de bajo consumo y las estructuras de empaquetado optimizadas mejoraron la eficiencia energética en un 16 % y el desempeño térmico en más de un 14 % en comparación con la generación anterior. Estas mejoras favorecen una disipación de calor más eficiente, aumentan la confiabilidad operativa y reducen el consumo energético en centros de datos de próxima generación dedicados a cargas intensivas de IA. 

Samsung tiene previsto iniciar la producción masiva de HBM4E de acuerdo con los calendarios de sus clientes, una vez concluidas las fases iniciales de evaluación y optimización. 

Los comentarios recibidos de clientes globales sobre la HBM4 de Samsung, presentada en febrero, han sido especialmente positivos en términos de rendimiento y eficiencia energética. La HBM4 fue la primera de la industria en entrar en producción masiva y estableció un nuevo estándar con velocidades de 11,7 Gbps durante las pruebas de sistema en paquete (SiP). 

A medida que Samsung fortalece el suministro estable de HBM4, se espera que la nueva HBM4E, que comparte la misma arquitectura de núcleo y chip base, entre en producción masiva para acelerar aún más la innovación en sistemas de IA de próxima generación. Con un portafolio integral que abarca memoria, servicios de foundry, diseño lógico y empaquetado avanzado, Samsung continuará garantizando un suministro estable de semiconductores para responder al crecimiento del mercado global de la inteligencia artificial. 

El elemento central de la exhibición fue el nuevo HBM4 de sexta generación, actualmente en producción en masa y diseñado para la plataforma NVIDIA Vera Rubin. Se espera que este producto acelere el desarrollo de futuras aplicaciones de IA, ofreciendo velocidades de procesamiento constantes de 11.7 Gbps, superando el estándar de la industria de 8 Gbps, y con capacidad de alcanzar hasta 13 Gbps. 

Gracias al uso del proceso DRAM más avanzado de sexta generación (clase 10 nm, 1c), Samsung logró rendimientos estables y un desempeño líder en la industria. Además, presentó por primera vez el HBM4E, con 16 Gbps por pin y un ancho de banda de 4.0 TB/s.  

Los visitantes también conocieron la tecnología de unión híbrida de cobre (HCB), un nuevo método que permitirá alcanzar 16 capas o más en la próxima generación de HBM, lo que reducirá la resistencia térmica en más de 20% frente a la tecnología TCB.  

Una alianza que impulsa la era de la IA 

 La colaboración entre Samsung y NVIDIA se destacó en una zona especial del stand llamada “NVIDIA Gallery”, donde se mostraron tecnologías como HBM4, SOCAMM2 y SSD PM1763, diseñadas para la infraestructura de IA de NVIDIA. 

Para responder a la necesidad de lograr la máxima eficiencia y escalabilidad en los sistemas de IA, el SOCAMM2 de Samsung, basado en DRAM de bajo consumo, es un módulo de memoria para servidores óptimo que ofrece un gran ancho de banda y una integración flexible en el sistema para la infraestructura de IA de próxima generación. El SOCAMM2 de Samsung se encuentra actualmente en producción en masa, lo que lo convierte en el primero del sector en alcanzar este hito. 

Diseñado para soluciones de almacenamiento de IA de última generación, el SSD PM1763 de Samsung se basa en la última interfaz PCIe 6.0, lo que permite transferencias de datos rápidas y grandes capacidades. El rendimiento del PM1763, líder en el sector, se demostró en servidores que funcionan con el modelo de programación NVIDIA SCADA. 

Como parte de la nueva arquitectura de referencia NVIDIA BlueField-4 STX para infraestructuras de almacenamiento aceleradas en la plataforma Vera Rubin de NVIDIA, la unidad SSD PM1753 de Samsung demostró cómo contribuye a mejorar la eficiencia energética y el rendimiento del sistema en cargas de trabajo de inferencia. 

Arquitectura de memoria para ampliar la fabricación inteligente 

Samsung también presentó su colaboración con NVIDIA en el desarrollo de la “AI Factory” en la GTC 2026, incluyendo planes para implementar la computación acelerada de NVIDIA con el fin de ampliar la “AI Factory” de Samsung y acelerar la fabricación mediante gemelos digitales que aprovechan las bibliotecas de NVIDIA Omniverse. Esta colaboración impulsa una de las infraestructuras de fabricación de chips más completas del mundo, que abarca memoria, lógica, fundición y empaquetado avanzado. 

Por otra parte, Yong Ho Song, vicepresidente ejecutivo y director del Centro de Inteligencia Artificial de Samsung Electronics, explicó con más detalle la colaboración estratégica entre ambas empresas en su ponencia del pasado 17 de marzo de 2026. Bajo el título “Transformar la fabricación de semiconductores con IA agentiva, desde el diseño y la ingeniería hasta la producción” (Transforming Semiconductor Manufacturing with Agentic AI from Design and Engineering to Production), la sesión profundizó en la “AI Factory” de la empresa y compartió casos de uso innovadores de principio a fin en el mundo real, en los que la IA y los gemelos digitales están transformando la fabricación de semiconductores con avances en la automatización del diseño electrónico (EDA) y la litografía computacional, hasta el diseño y la operación de instalaciones de fabricación avanzadas impulsadas por NVIDIA. 

Memoria eficiente para la inteligencia local  

Las soluciones de memoria de Samsung también ofrecen una eficiencia maximizada para las cargas de trabajo de IA locales en dispositivos personales. Durante la GTC 2026, Samsung también presentó soluciones eficientes y a medida para supercomputadoras de IA personales, entre las que se incluyeron las memorias NAND Samsung PM9E3 y PM9E1 para NVIDIA DGX Spark. 

Además, Samsung presentó soluciones DRAM, LPDDR5X y LPDDR6, diseñadas para integrarse a la perfección en smartphones, tablets y dispositivos portátiles de gama alta, lo que ofrecerá un mayor rendimiento de datos y una menor latencia. LPDDR5X ofrece velocidades de hasta 25 Gbps por pin, al tiempo que reduce el consumo de energía hasta en un 15%, lo que permite experiencias móviles ultrarrápidas, juegos de alta resolución y aplicaciones mejoradas con IA sin sacrificar la duración de la batería. 

Partiendo de esa base, la LPDDR6 amplía aún más el ancho de banda hasta alcanzar una velocidad escalable de entre 30 y 35 Gbps por pin e introduce funciones avanzadas de gestión de energía, como el ajuste adaptativo del voltaje y el control dinámico de la actualización, que en conjunto proporcionan el rendimiento necesario para las cargas de trabajo de IA en el borde de la red de próxima generación.