La ceremonia de firma se llevó a cabo en el complejo de fabricación de chips más avanzado de Samsung en Pyeongtaek, Corea, con la presencia de la Dra. Lisa Su, presidenta y CEO de AMD, y Young Hyun Jun, vicepresidente y CEO de Samsung Electronics.

“Samsung y AMD comparten el compromiso de avanzar en la computación de IA, y este acuerdo refleja el alcance creciente de nuestra colaboración”, afirmó Young Hyun Jun, vicepresidente y CEO de Samsung Electronics. “Desde HBM4 líder en la industria y arquitecturas de memoria de próxima generación hasta foundry de vanguardia y empaquetado avanzado, Samsung está posicionada de manera única para ofrecer capacidades integrales llave en mano que respaldan la evolución del roadmap de IA de AMD”.

“Impulsar la próxima generación de infraestructura de IA requiere una colaboración profunda en toda la industria”, afirmó la Dra. Lisa Su, presidenta y CEO de AMD. “Estamos encantados de ampliar nuestro trabajo con Samsung, combinando su liderazgo en memoria avanzada con nuestras GPUs Instinct, CPUs EPYC y plataformas a escala de rack. La integración a lo largo de toda la pila de computación, desde el silicio hasta el sistema y el rack, es esencial para acelerar la innovación en IA que se traduzca en un impacto real a gran escala”.

En virtud del MOU, Samsung y AMD alinearán el suministro principal de HBM4 para el acelerador de IA de próxima generación de AMD, la GPU AMD Instinct MI455X, así como soluciones avanzadas de DRAM para CPUs AMD EPYC de 6ª generación, con nombre en clave “Venice”. Estas tecnologías respaldarán sistemas de IA de próxima generación que combinan GPUs AMD Instinct, CPUs AMD EPYC y arquitecturas a escala de rack como la plataforma AMD Helios.

Samsung y AMD están colaborando estrechamente en tecnologías avanzadas de memoria para cargas de trabajo de IA y centros de datos. A medida que el ancho de banda de la memoria y la eficiencia energética se vuelven cada vez más críticos para el rendimiento a nivel de sistema, esta colaboración ayudará a ofrecer una infraestructura de IA más optimizada para los clientes.

Primera en la industria en entrar en producción masiva, la HBM4 de Samsung está construida sobre su proceso DRAM más avanzado de sexta generación de clase 10 nanómetros (nm) (1c) y un die lógico base de 4 nm, con velocidades de procesamiento de hasta 13 gigabits por segundo (Gbps) y un ancho de banda máximo de 3,3 terabytes por segundo (TB/s), superando los estándares de la industria.

Impulsada por el rendimiento líder en la industria, la confiabilidad y la eficiencia energética de la HBM4 de Samsung, se espera que la GPU AMD Instinct MI455X sea la solución óptima para sistemas de alto rendimiento que manejan el entrenamiento e inferencia de modelos de IA.

La GPU MI455X servirá como un componente clave para la arquitectura a escala de rack AMD Helios, diseñada para ofrecer el rendimiento y la escalabilidad necesarios para la infraestructura de IA de próxima generación.

Como parte de su colaboración, Samsung y AMD también trabajarán juntas en memoria DDR5 de alto rendimiento optimizada para CPUs AMD EPYC de 6ª generación. Las empresas buscan ofrecer soluciones DDR5 líderes en la industria para sistemas basados en la arquitectura a escala de rack AMD Helios.

Las dos empresas también discutirán oportunidades de asociación en foundry, mediante las cuales Samsung proporcionaría servicios de fabricación para productos AMD de próxima generación.

Samsung y AMD han colaborado durante casi dos décadas en tecnologías gráficas, móviles y de computación, incluyendo el papel de Samsung como principal socio de HBM3E de AMD, impulsando los más recientes aceleradores de IA AMD Instinct MI350X y MI355X.

Acerca de AMD

AMD (NASDAQ: AMD) impulsa la innovación en computación de alto rendimiento e IA para resolver los desafíos más importantes del mundo. Hoy en día, la tecnología de AMD impulsa miles de millones de experiencias en infraestructura de nube e IA, sistemas embebidos, PCs con IA y videojuegos. Con un amplio portafolio de CPUs, GPUs, redes y software optimizados para IA, AMD ofrece soluciones completas de IA que proporcionan el rendimiento y la escalabilidad necesarios para una nueva era de computación inteligente. Más información en www.amd.com

Al ofrecer rendimiento y capacidad de clase de servidor, las nuevas soluciones de memoria admiten el procesamiento complejo de aplicaciones multimedios y datos de conducción autónoma

Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnología de memoria avanzada, presentó una amplia gama de soluciones de memoria automotriz de vanguardia diseñadas para vehículos eléctricos autónomos de próxima generación. La nueva línea incluye un SSD de ball grid array (BGA) NVMe de tercera generación PCIe de 256 gigabytes (GB), DRAM GDDR6 de 2GB y DRAM DDR4 de 2GB para sistemas de información y entretenimiento de alto rendimiento, así como DRAM GDDR6 de 2GB y Almacenamiento Flash Universal (UFS) de 128GB para sistemas autónomos de conducción.

“Con la reciente proliferación de vehículos eléctricos y el rápido avance de los sistemas de información y entretenimiento y conducción autónoma, la plataforma automotriz de semiconductores se enfrenta a un cambio de paradigma. Lo que solía ser un ciclo de reemplazo de siete a ocho años ahora está comprimiéndose en un ciclo de tres a cuatro años y, al mismo tiempo, los requisitos de rendimiento y capacidad están avanzando a niveles que se encuentran comúnmente en los servidores”, dijo Jinman Han, Vicepresidente Ejecutivo y Líder de Ventas & Marketing Globales de Memoria en Samsung Electronics. “La línea reforzada de soluciones de memoria de Samsung actuará como un catalizador importante para acelerar aún más el cambio hacia la era del ‘Servidor Sobre Ruedas’”.

Las funciones avanzadas en los sistemas de información y entretenimiento, como mapas de alta definición, streaming de video y juegos en 3D, junto con el uso creciente de sistemas de conducción autónoma, han impulsado la demanda de SSDs de alta capacidad y alto rendimiento y DRAM de gráficos en toda la industria automotriz.

El controlador y el firmware SSD BGA de 256GB de Samsung se desarrollaron internamente para un rendimiento optimizado, ofreciendo una velocidad de lectura secuencial de 2100 megabytes por segundo (MB/s) y una velocidad de escritura secuencial de 300MB/s, que son siete y dos veces más rápidas que el eMMC actual, respectivamente. Además, la DRAM GDDR6 de 2GB presenta una velocidad de datos por pin de hasta 14 gigabit por segundo (Gbps). Estas velocidades y ancho de banda excepcionales admitirán el procesamiento complejo de diversas aplicaciones multimedios, así como grandes cantidades de datos de conducción autónoma, contribuyendo a una experiencia de conducción más segura, dinámica y cómoda.

Además, las nuevas soluciones automotrices de Samsung cumplen con la calificación AEC-Q100, el estándar mundial de confiabilidad automotriz, lo que les permite operar de manera estable en temperaturas extremas que van desde -40°C a +105°C – un requisito especialmente crucial para los semiconductores automotrices.

Recientemente, aumentó el despliegue de sensores en vehículos autónomos para monitorear continuamente el entorno inmediato, y el procesamiento de alta velocidad para interpretar y predecir estos datos para una conducción más segura está volviéndose de vital importancia. Al introducir soluciones de memoria automotriz previamente defendidas en servidores y aceleradores de IA, Samsung está ayudando a allanar el camino para una conducción autónoma más segura.

Habiendo completado las evaluaciones de los clientes, los nuevos productos de memoria para automóviles se encuentran actualmente en producción en masa.