Tras iniciar este año la primera producción masiva y envío comercial de su HBM4 líder en la industria, Samsung ahora amplía su roadmap de HBM con la introducción de muestras de HBM4E, respondiendo a las demandas en rápida evolución de la computación de IA y de la infraestructura hyperscale.

“Después del exitoso inicio de la producción masiva de HBM4, Samsung ha demostrado una vez más su diferenciación tecnológica con HBM4E”, afirmó Sang Joon Hwang, vicepresidente ejecutivo y Head de Desarrollo de Memoria en Samsung Electronics. “A través de nuestras avanzadas capacidades de manufactura e inversiones anticipadas en infraestructura, continuaremos impulsando el crecimiento del mercado global de memoria para IA”.

El HBM4E de Samsung ofrece una velocidad estable de pin de 14 gigabits por segundo (Gbps), con un rendimiento escalable de hasta 16Gbps para satisfacer los requisitos cada vez más intensivos de procesamiento de datos. Esto representa un incremento superior al 20% respecto al HBM4, además de ofrecer un ancho de banda de memoria de hasta 3.6 terabytes por segundo (TB/s) por stack, ayudando a maximizar el rendimiento computacional de grandes modelos de lenguaje (LLMs) y sistemas de IA de próxima generación.

El HBM4E de 12 capas de Samsung está disponible con una capacidad de 48 gigabytes (GB), lo que representa un incremento superior al 30% respecto a la generación anterior, con planes para expandir la línea e incluir configuraciones de 32GB (8 capas) y 64GB (16 capas), de acuerdo con las necesidades de los clientes.

El HBM4E se distingue por aprovechar al máximo las capacidades integrales de semiconductores de Samsung y utilizar las mismas tecnologías de vanguardia perfeccionadas durante la experiencia de producción del HBM4 de la compañía. Esto incluye el proceso DRAM de 10 nanómetros (nm) de sexta generación más avanzado de la industria (1c) y el logic base die de 4nm de Samsung Foundry, lo que permite al HBM4E lograr una mayor estabilidad de proceso y manufacturabilidad.

La optimización de diseño y procesos en las arquitecturas de memoria y lógica del HBM4E de Samsung también mejora el rendimiento, la eficiencia energética y el rendimiento de producción.

En particular, las tecnologías avanzadas de diseño de bajo consumo energético y las estructuras de empaquetado optimizadas mejoraron la eficiencia energética en un 16% y las características de resistencia térmica en más del 14% en comparación con la generación anterior. Estas mejoras también permiten una disipación de calor más eficiente, garantizando una confiabilidad prolongada y un menor consumo de energía en centros de datos de próxima generación con cargas de trabajo intensivas.

Samsung planea iniciar la producción masiva del HBM4E de acuerdo con los calendarios de sus clientes, tras el envío inicial de muestras y la fase de optimización.

La retroalimentación de clientes globales sobre el HBM4 de Samsung, presentado en febrero, ha sido altamente positiva, especialmente por su rendimiento y eficiencia energética. El HBM4 fue el primero de la industria en entrar en producción masiva y estableció un nuevo estándar para el sector al alcanzar velocidades de 11.7Gbps en pruebas de System in Package (SiP).

A medida que continúa creciendo el suministro estable del HBM4 de Samsung, se espera que el nuevo HBM4E, utilizando la misma combinación de core y base die, entre en producción masiva para acelerar aún más la innovación en sistemas de IA de próxima generación. Con un portafolio integral que abarca memoria, foundry, diseño lógico y empaquetado avanzado, Samsung continuará garantizando un suministro estable de semiconductores para el creciente mercado de IA.

El elemento central de la exhibición de Samsung en NVIDIA GTC 2026 fue la nueva HBM4 de sexta generación, que ahora está en producción en masa y está diseñada para la plataforma NVIDIA Vera Rubin. Se espera que la HBM4 de Samsung ayude a acelerar el desarrollo de futuras aplicaciones de IA, ofreciendo velocidades de procesamiento consistentes de 11.7 gigabits por segundo (Gbps), lo que supera el estándar de la industria de 8 Gbps, y se puede mejorar a 13 Gbps.

Al aprovechar el proceso DRAM de clase de 10 nanómetros (nm) de sexta generación más avanzado (1c), Samsung ha logrado tasas de rendimiento de producción estables y un desempeño líder en la industria. La HBM4E de próxima generación de la compañía, que ofrece 16 Gbps por pin y 4.0 terabytes por segundo (TB/s) de ancho de banda, también fue exhibido por primera vez en GTC 2026.

Los visitantes también pudieron conocer de cerca la tecnología de unión híbrida de cobre (HCB) de Samsung, un nuevo método que permitirá que la HBM de próxima generación alcance 16 o más capas mientras reduce la resistencia al calor en más de un 20 por ciento, en comparación con la unión por compresión térmica (TCB).

Una alianza que lleva la era de la IA al siguiente nivel

La sólida colaboración entre Samsung y NVIDIA se destacó en un espacio exclusivo denominado ‘Galería NVIDIA’, dentro del stand, que presentó específicamente una amplia línea de tecnologías de vanguardia de Samsung, como HBM4, SOCAMM2 y el SSD PM1763, que están diseñados para la infraestructura de IA de NVIDIA.

Para abordar la necesidad de máxima eficiencia y escalabilidad en los sistemas de IA, el SOCAMM2 de Samsung, basado en DRAM de bajo consumo, es un módulo de memoria de servidor óptimo que ofrece un alto ancho de banda y una integración de sistema flexible para la infraestructura de IA de próxima generación. El SOCAMM2 de Samsung se encuentra actualmente en producción en masa, siendo el primero en la industria en alcanzar ese hito.

Diseñado para soluciones de almacenamiento de IA de próxima generación, el SSD PM1763 de Samsung se basa en la última interfaz PCIe 6.0, ofreciendo transferencias de datos rápidas y altas capacidades. El desempeño líder en la industria del PM1763 se demostrará en servidores que funcionan con el modelo de programación NVIDIA SCADA.

Como parte de la nueva arquitectura de referencia NVIDIA BlueField-4 STX para infraestructura de almacenamiento acelerado en la plataforma Vera Rubin de NVIDIA, el SSD PM1753 de Samsung mostrará cómo ayuda a mejorar la eficiencia energética y el desempeño del sistema para cargas de trabajo de inferencia.

Arquitectura de memoria para escalar la fabricación inteligente

Samsung exhibió su colaboración con NVIDIA en el desarrollo de AI Factory en GTC 2026, incluidos los planes para implementar la computación acelerada de NVIDIA para escalar la AI Factory de Samsung y acelerar la fabricación de gemelos digitales que aprovechan las bibliotecas de NVIDIA Omniverse. Esta colaboración impulsa una de las infraestructuras de fabricación de chips más completas del mundo, que abarca memoria, lógica, fundición y empaquetado avanzado.

Por otra parte, Yong Ho Song, vicepresidente ejecutivo y director del Centro de IA de Samsung Electronics, ilustró la colaboración estratégica de las dos empresas con más detalle a través de su ponencia, realizada el 17 de marzo de 2026. Titulada ‘Transformando la fabricación de semiconductores con IA agéntica desde el diseño y la ingeniería hasta la producción’, la sesión profundizó en la AI Factory de la compañía y compartió casos de uso innovadores de la vida real, de principio a fin, donde la IA y los gemelos digitales están remodelando la fabricación de semiconductores con avances en la automatización del diseño electrónico (EDA) y la litografía computacional para diseñar y operar instalaciones de fabricación avanzadas impulsadas por NVIDIA.

Memoria eficiente para inteligencia local

Las soluciones de memoria de Samsung también ofrecen una eficiencia maximizada para cargas de trabajo de IA locales en dispositivos personales. Durante GTC 2026, Samsung exhibió soluciones eficientes y personalizadas para supercomputadoras de IA personales, incluidas las NAND Samsung PM9E3 y PM9E1 para NVIDIA DGX Spark.

Además, Samsung mostró soluciones DRAM, LPDDR5X y LPDDR6, que están diseñadas para una integración perfecta en teléfonos inteligentes, tabletas y dispositivos wearables premium, ofreciendo una transferencia de datos más rápida y una menor latencia. LPDDR5X ofrece velocidades de hasta 25 Gbps por pin, al tiempo que reduce el consumo de energía hasta en un 15 por ciento, lo que permite experiencias móviles de gran capacidad de respuesta, juegos de alta resolución y aplicaciones mejoradas con IA sin sacrificar la duración de la batería.

Sobre esa base, LPDDR6 amplía aun más el ancho de banda a unos escalables 30-35 Gbps por pin e introduce funciones avanzadas de administración de energía, como el escalado de voltaje adaptativo y el control de actualización dinámico, que en conjunto brindan el desempeño necesario para las cargas de trabajo de IA en el borde (edge-AI) de próxima generación.