“Od prawie trzech dekad jesteśmy liderem na rynku DRAM i pionierem w dostarczaniu innowacyjnych technologii patterning” – powiedział Jooyoung Lee, starszy wiceprezes i szef działu produktów i technologii DRAM w Samsung Electronics. “Dziś Samsung ustanawia kolejny kamień milowy w technologii wielowarstwowego EUV, który pozwolił na ekstremalną miniaturyzację w 14nm – wyczyn nieosiągalny w konwencjonalnym procesie argonowo-fluorkowym (ArF). Postęp ten pozwoli nam dostarczać najbardziej zróżnicowane rozwiązania pamięciowe, w pełni odpowiadając na potrzeby współczesnego świata napędzanego przez t5G, AI i metawersję.”

Ponieważ DRAM nadal skaluje się w dół w zakresie 10nm, technologia EUV staje się coraz ważniejsza. Dzięki temu poprawiona zostanie dokładność patterningu w celu uzyskania wyższej wydajności i produkcji. Dzięki zastosowaniu pięciu warstw EUV w 14nm DRAM, Samsung osiągnął najwyższą gęstość bitową, jednocześnie zwiększając ogólną wydajność wafla o około 20%. Dodatkowo, proces 14nm może pomóc obniżyć zużycie energii o prawie 20% w porównaniu z poprzednią generacją DRAM.

Wykorzystując najnowszy standard DDR5, 14nm DRAM firmy Samsung może zapewnić prędkość do 7,2 gigabitów na sekundę (Gbps), co stanowi ponad dwukrotność prędkości DDR4, która wynosi do 3,2Gbps.

Samsung planuje rozszerzyć swoją ofertę 14nm DDR5, aby obsłużyć centra danych, superkomputery i aplikacje serwerowe dla przedsiębiorstw. Ponadto, Samsung przewiduje zwiększenie gęstości 14nm DRAM do 24Gb, aby lepiej sprostać szybko rosnącemu zapotrzebowaniu na dane w globalnych systemach IT.