Samsung Electronics, lider global în tehnologia avansată de memorie, a anunțat astăzi că a început livrarea primelor mostre din industrie HBM4E cu 12 straturi către clienți globali importanți, consolidându-și poziția de lider pe piața HBM de nouă generație.

După prima producție în serie și livrare comercială din industrie a HBM4, lider în industrie, la începutul acestui an, Samsung își extinde acum planul de dezvoltare HBM cu introducerea eșantioanelor HBM4E, răspunzând cerințelor în rapidă evoluție ale calculului AI și infrastructurii hyperscale.

„După producția în serie de succes a HBM4, Samsung și-a demonstrat încă o dată avantajul tehnologic distinct cu HBM4E”, a declarat Sang Joon Hwang, Vicepreședinte Executiv și and Head of Memory Development la Samsung Electronics. „Prin capacitățile noastre avansate de producție și investițiile preventive în infrastructură, vom continua să stimulăm creșterea pieței globale a memoriilor pentru AI.”

HBM4E de la Samsung oferă o viteză stabilă de 14 gigabiți pe secundă (Gbps), cu performanțe scalabile până la 16 Gbps pentru a susține cerințele din ce în ce mai intense de procesare a datelor. Aceasta reprezintă o creștere de peste 20% față de HBM4, oferind în același timp o lățime de bandă de memorie de până la 3,6 terabiți pe secundă (TB/s) per stivă, contribuind la maximizarea performanței de calcul pentru modelele lingvistice de mari dimensiuni (LLM) și sistemele AI de nouă generație.

HBM4E cu 12 straturi de la Samsung este oferit cu o capacitate de 48 GB, ceea ce reprezintă o creștere de peste 30% față de generația anterioară, existând planuri de extindere a gamei pentru a include configurații de 32 GB (8 straturi) și 64 GB (16 straturi), în conformitate cu cerințele clienților.

HBM4E se distinge prin faptul că profită la maximum de capacitățile cuprinzătoare ale Samsung în domeniul semiconductorilor și valorifică aceleași tehnologii de vârf perfecționate prin experiența companiei în producția de HBM4 Acesta include cel mai avansat proces de fabricație DRAM din clasa de 10 nanometri (nm) de generația a 6-a (1c) din industrie și logic base die-ul de 4nm al Samsung Foundry, permițându-i memoriei HBM4E să asigure o stabilitate îmbunătățită a procesului și o manufacturabilitate superioară.

Optimizarea proiectării și a procesului atât în arhitecturile de memorie, cât și în cele logice ale HBM4E de la Samsung îmbunătățește, de asemenea, performanța, eficiența energetică și randamentul.

În special, tehnologiile avansate de proiectare cu consum redus de energie și structurile optimizate de ambalare au îmbunătățit eficiența energetică cu 16% și caracteristicile de rezistență termică cu peste 14% față de generația anterioară. Aceste îmbunătățiri permit, de asemenea, o disipare mai eficientă a căldurii, asigurând o fiabilitate prelungită și un consum redus de energie în centrele de date de nouă generație cu sarcini de lucru intense.

Samsung intenționează să înceapă producția în serie pentru HBM4E în conformitate cu programele clienților, după livrările inițiale de mostre și optimizare.

Feedback-ul clienților globali cu privire la HBM4 de la Samsung, lansat în februarie, a fost extrem de pozitiv, în special în ceea ce privește performanța și eficiența energetică. HBM4 a fost primul din industrie care a intrat în producția în serie și a stabilit cu succes standardul pentru industrie, cu viteze de 11,7 Gbps în testele sale de sistem în pachet (SiP).

Pe măsură ce aprovizionarea stabilă cu HBM4 de la Samsung continuă să crească, se preconizează că cel mai recent HBM4E al companiei, care utilizează aceeași combinație de nucleu și base die, va intra în producția de masă pentru a accelera și mai mult inovarea în sistemele AI de nouă generație. Cu portofoliul său cuprinzător care acoperă memoria, turnătoria, proiectarea logică și ambalarea avansată, Samsung va continua să asigure o aprovizionare stabilă cu semiconductori pentru piața AI în plină expansiune.

Piesa centrală a expoziției Samsung la NVIDIA GTC 2026 va fi noua generație a șasea HBM4, care se află acum în producție de masă și este proiectată pentru platforma NVIDIA Vera Rubin. Se preconizează că HBM4 de la Samsung va contribui la accelerarea dezvoltării viitoarelor aplicații de AI, oferind viteze de procesare constante de 11,7 gigabiți pe secundă (Gbps), care depășesc standardul industrial de 8 Gbps și pot fi îmbunătățite până la 13 Gbps.

Prin utilizarea celui mai avansat proces DRAM de generația a șasea din clasa de 10 nanometri (nm) (1c), Samsung a obținut randamente stabile și performanțe de vârf în industrie. HBM4E de generație următoare al companiei, care oferă 16 Gbps pe pin și o lățime de bandă de 4,0 terabiți pe secundă (TB/s), va fi, de asemenea, expus pentru prima dată la GTC 2026.

Vizitatorii vor putea, de asemenea, să arunce o privire asupra tehnologiei Samsung de lipire hibridă a cuprului (HCB), o nouă metodă care va permite HBM de nouă generație să atingă 16 sau mai multe straturi, reducând în același timp rezistența la căldură cu peste 20%, comparativ cu lipirea prin compresie termică (TCB).

O alianță care duce era AI la un nivel superior

Colaborarea strânsă dintre Samsung și NVIDIA va fi evidențiată în „Galeria NVIDIA” separată a standului, care prezintă în mod specific o gamă largă de tehnologii de ultimă generație ale Samsung, precum HBM4, SOCAMM2 și SSD-ul PM1763, proiectate pentru infrastructura AI a NVIDIA.

Răspunzând nevoii de eficiență și scalabilitate maxime în sistemele de AI, SOCAMM2 de la Samsung, bazat pe DRAM cu consum redus de energie, este un modul de memorie optim pentru servere, care oferă lățime de bandă mare și integrare flexibilă a sistemului pentru infrastructura de AI de nouă generație. SOCAMM2 de la Samsung se află în prezent în producție de masă, fiind primul din industrie care a atins această etapă importantă.

Conceput pentru soluțiile de stocare AI de nouă generație, SSD-ul PM1763 de la Samsung se bazează pe cea mai recentă interfață PCIe 6.0, oferind transferuri rapide de date și capacități mari. Performanța de vârf a modelului PM1763 va fi demonstrată pe servere care funcționează cu modelul de programare NVIDIA SCADA.

Ca parte a noii arhitecturi de referință NVIDIA BlueField-4 STX pentru infrastructura de stocare accelerată din platforma Vera Rubin a NVIDIA, SSD-ul PM1753 de la Samsung va demonstra cum contribuie la îmbunătățirea eficienței energetice și a performanței sistemului pentru sarcinile de inferență.

Arhitectură de memorie pentru scalarea producției inteligente

Samsung va prezenta colaborarea sa cu NVIDIA în dezvoltarea AI Factory la GTC 2026, inclusiv planurile de implementare a calculului accelerat NVIDIA pentru a scala AI Factory-ul Samsung și a accelera producția de gemeni digitali care utilizează bibliotecile NVIDIA Omniverse. Această colaborare susține una dintre cele mai cuprinzătoare infrastructuri de producție de cipuri din lume ― acoperind memoria, logica, turnarea și ambalarea avansată.

Separat, Yong Ho Song, vicepreședinte executiv și șef al Centrului de AI la Samsung Electronics, va ilustra colaborarea strategică dintre cele două companii în detaliu prin sesiunea sa de prezentare din 17 martie 2026. Intitulată „Transformarea producției de semiconductori cu AI agentică, de la proiectare și inginerie la producție”, sesiunea va detalia AI Factory a companiei și va prezenta cazuri de utilizare inovatoare, end-to-end, din viața reală, în care AI și gemenii digitali remodelează producția de semiconductori cu progrese în automatizarea proiectării electronice (EDA) și litografia computațională, până la proiectarea și operarea facilităților de producție avansate alimentate de NVIDIA.

Memorie eficientă pentru inteligența locală

Soluțiile de memorie Samsung oferă, de asemenea, o eficiență maximă pentru sarcinile de lucru locale de AI pe dispozitivele personale. În cadrul GTC 2026, Samsung va prezenta soluții personalizate și eficiente pentru supercomputere personale de IA, inclusiv memoriile NAND Samsung PM9E3 și PM9E1 pentru NVIDIA DGX Spark.

În plus, Samsung va prezenta soluții DRAM, LPDDR5X și LPDDR6, concepute pentru integrarea perfectă în smartphone-uri, tablete și dispozitive portabile de top, oferind un debit de date mai rapid și o latență mai mică. LPDDR5X oferă viteze de până la 25 Gbps pe pin, reducând în același timp consumul de energie cu până la 15%, permițând experiențe mobile ultra-reactive, jocuri de înaltă rezoluție și aplicații îmbunătățite cu IA fără a sacrifica durata de viață a bateriei.

Bazându-se pe această fundație, LPDDR6 extinde lățimea de bandă la un nivel scalabil de 30-35 Gbps pe pin și introduce funcții avansate de gestionare a energiei, precum scalarea adaptivă a tensiunii și controlul dinamic al reîmprospătării, care împreună oferă performanța necesară pentru sarcinile de lucru de ultimă generație ale AI de margine.