Основное внимание новой линии, строительство которой уже началось, будет уделено EUV-решениям, выполненных по 5-нанометровому и еще более тонким техпроцессам. Линия будет играть ключевую роль в расширении использования компанией самых современных технологических процессов для множества решений текущего и следующего поколений, включая 5G, высокопроизводительные вычисления (HPC) и искусственный интеллект (ИИ). Запуск в эксплуатацию запланирован на вторую половину 2021 года.

«Новое предприятие расширит производственные мощности Samsung для 5-нм и более тонких техпроцессов и предоставит возможность оперативно реагировать на растущий спрос на решения для высокопроизводительных вычислений, – отметил д-р Юнг (ES Jung), президент и глава полупроводникового производства в Samsung Electronics. – Мы по-прежнему привержены удовлетворению потребностей наших клиентов посредством активных инвестиций и привлечения новых кадров. Это позволит нам продолжать развиваться, при этом обеспечивая устойчивый рост полупроводникового бизнеса Samsung».

Запустив массовое производство EUV-решений по 7-нм техпроцессу в начале 2019 года, Samsung недавно приступила к серийному изготовлению чипов для EUV на новой линии в Хвасоне, Корея. Ожидается, что с началом полной эксплуатации нового завода в Пхёнтэке в 2021 году мощность производства EUV-решений Samsung значительно возрастет.

Samsung намерена запустить массовое производство EUV-решений по 5-нм техпроцессу на заводе в Хвасоне во второй половине этого года. С учетом объекта в Пхёнтхэке у Samsung будет в общей сложности семь линий по производству полупроводников в Южной Корее и США, в том числе шесть с использованием 12-дюймовых подложек и одна с использованием 8-дюймовых подложек.